具有氧化物薄膜晶体管的平板显示装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种具有氧化物薄膜晶体管的平板显示装置及其制造方法。具有氧化物薄膜晶体管的平板显示装置包括：缓冲膜，其形成在基板上；氧化物半导体层，其具有第一长度的宽度并且形成在缓冲膜上；栅极绝缘膜，其具有第二长度的宽度并且形成在氧化物半导体层上；栅电极，其具有第三长度的宽度并且形成在栅极绝缘膜上；层间绝缘膜，其形成在设置有栅电极的基板的整个表面；源电极和漏电极，其形成在层间绝缘膜上并且连接到氧化物半导体层；钝化膜，其形成在设置有源电极和漏电极的基板的整个表面上；以及像素电极，其形成在钝化膜上并且连接到漏电极。第一长度大于第二长度并且第二长度大于第三长度。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了一种。具有氧化物薄膜晶体管的平板显示装置包括：缓冲膜，其形成在基板上；氧化物半导体层，其具有第一长度的宽度并且形成在缓冲膜上；栅极绝缘膜，其具有第二长度的宽度并且形成在氧化物半导体层上；栅电极，其具有第三长度的宽度并且形成在栅极绝缘膜上；层间绝缘膜，其形成在设置有栅电极的基板的整个表面；源电极和漏电极，其形成在层间绝缘膜上并且连接到氧化物半导体层；钝化膜，其形成在设置有源电极和漏电极的基板的整个表面上；以及像素电极，其形成在钝化膜上并且连接到漏电极。第一长度大于第二长度并且第二长度大于第三长度。【专利说明】
本专利技术涉及一种平板显示装置，并且更具体地，涉及一种，其适于确保元件的可靠性和结构稳定性。
技术介绍
诸如液晶显示装置的平板显示装置使用布置在各像素中的诸如薄膜晶体管的有源元件来驱动显示元件。显示装置的这样的驱动模式被称为主动矩阵驱动模式。在主动矩阵驱动模式中，薄膜晶体管被布置在各像素中并且用于驱动各像素。 当前，具有由非晶硅膜和多晶硅膜中的一种形成的沟道层的薄膜晶体管得到了最广泛的使用。 非晶硅膜能够在低于350°C的温度薄薄地沉积。然而，非晶硅的迁移率低于 0.5cm2/VSo由此，非晶硅难以在超级尺寸的屏幕中实现高分辨率和高驱动速度。另一方面，多晶硅具有几十至几百cm2/Vs的高迁移率。 鉴于此，非晶硅薄膜晶体管用于驱动像素，并且多晶硅薄膜晶体管用于驱动和控制整个画面或图片。 图1是示出根据现有技术的具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置及其制造方法的截面图。 参考图1，使用多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置包括形成在基板11上的薄膜晶体管30和连接到薄膜晶体管30的像素电极21。 薄膜晶体管30包括形成在基板11的整个表面上的缓冲膜12、形成在缓冲膜12上的半导体层13和形成在缓冲膜12的整个表面上以覆盖半导体层13的栅极绝缘膜15。而且，薄膜晶体管30包括形成在栅极绝缘膜15上的栅电极16a、形成在设置有栅电极16a的栅极绝缘膜15的整个表面上的层间绝缘膜17和形成在层间绝缘膜17上并且分别连接到半导体层13的源极区域14a和漏极区域14b的源电极18a和漏电极18b。 平板显示装置进一步包括形成在设置有源电极18a和漏电极18b的层间绝缘膜17上的钝化膜19。像素电极21形成在钝化膜19上并且通过形成在钝化膜19中的接触孔20连接到漏电极18b。 而且，制造这样的平板显示装置的方法包括在基板11上顺序地形成缓冲膜12、半导体层13、栅极绝缘膜15和栅电极16a，将掺杂物注入到半导体层13中，并且在设置有栅电极16a的栅极绝缘膜15上顺序地形成层间绝缘膜17、源电极18a和漏电极18b、钝化膜19以及像素电极21。 由多晶硅形成的半导体层13能够通过对非晶硅层进行结晶化来获得。通过非晶硅的结晶化获得的多晶硅半导体层13能够具有比较满意的结晶度，但是必须在1000°C以上的高温进行处理。 半导体层13的掺杂过程包括使用栅电极16a作为掩模形成低密度区域，并且使用暴露半导体层13的对应于源极区域14a和漏极区域14b的部分的光刻胶图案作为另一掩模形成高密度区域。低密度区域(未示出)用于减少薄膜晶体管30的截止电流。高密度区域变为源极区域14a和漏极区域14b。 然而，使用暴露半导体层13的对应于源极区域14a和漏极区域14b的部分的光刻胶图案作为掩模形成高密度区域除了形成栅电极16a的掩模过程之外还要求额外的掩模过程。 本申请要求2013年5月28日提交的韩国专利申请N0.10-2013-0060259的优先权，通过引用将其整体并入这里。
技术实现思路
因此，本专利技术的实施方式涉及一种平板显示装置及其制造方法，其基本上避免了由于现有技术的限制和缺点导致的问题中的一个或多个。 实施方式用于提供一种具有氧化物薄膜晶体管的平板显示装置，其适于确保有效沟道长度，实施方式还提供了制造这样的平板显示装置的方法。 而且，实施方式用于提供一种具有氧化物薄膜晶体管的平板显示装置的制造方法，其适于减少掩模过程的数目。 在随后的描述中将会部分地阐述本专利技术的额外的优点、目的和特征，并且部分优点、目的和特征对于已经研究过下面所述的本领域技术人员来说将是显而易见的，或者部分优点、目的和特征将通过本专利技术的实践来知晓。通过在给出的描述及其权利要求以及附图中特别地指出的结构可以实现并且获得本专利技术的目的和其它的优点。 根据用于解决现有技术的问题的本专利技术的一般性方面，一种平板显示装置包括:缓冲膜，其形成在基板上；氧化物半导体层，其具有第一长度的宽度并且形成在缓冲膜上；栅极绝缘膜，其具有第二长度的宽度并且形成在氧化物半导体层上；栅电极，其具有第三长度的宽度并且形成在栅极绝缘膜上；层间绝缘膜，其形成在基板的整个表面上并且位于栅电极上；源电极和漏电极，其形成在层间绝缘膜上并且连接到氧化物半导体层；钝化膜，其形成在基板的整个表面上并且位于源电极和漏电极上；以及像素电极，其形成在钝化膜上并且连接到漏电极。第一长度大于第二长度并且第二长度大于第三长度。 根据用于解决现有技术的问题的本实施方式的另一一般性方面的具有氧化物薄膜晶体管的平板显示装置的制造方法包括:在基板上形成缓冲膜；在缓冲膜上形成具有第一长度的宽度的氧化物半导体层；在氧化物半导体层上形成具有第二长度的宽度的栅极绝缘膜和具有第三长度的宽度的栅电极；通过使用栅极绝缘膜对氧化物半导体层进行金属化来形成源极区域和漏极区域；在基板的整个表面上以及在栅电极上形成层间绝缘膜；在层间绝缘膜上形成分别连接到源极区域和漏极区域的源电极和漏电极；在基板的整个表面上并且在源电极和漏电极上形成钝化膜；以及在钝化膜上形成连接到漏电极的像素电极，其中，第一长度大于第二长度并且第二长度大于第三长度。 其它系统、方法、特征和优点将对于审视了下面的附图和详细描述的本领域技术人员来说是显而易见的。想要的是，所有这样的额外的系统、方法、特征和优点包括在该描述内，包括在本公开的范围内，并且由所附权利要求保护。在该部分中的任何部分都不应被视为对这些权利要求的限制。下面结合实施方式讨论进一步的方面和优点。将理解的是，本公开的前述一般性描述和下面的详细描述是示例性的和说明性的并且意在提供所附权利要求记载的本公开的进一步的说明。 【专利附图】【附图说明】 附图被包括进来以提供本专利技术的进一步理解，并且被并入本申请且构成本申请的一部分，示出了本专利技术的实施方式，并且与说明书一起用于说明本专利技术的原理。在附图中: 图1是示出根据现有技术的具有多晶硅薄膜晶体管的平板显示装置及其制造方法的截面图； 图2是示出根据本公开的实施方式的具有氧化物薄膜晶体管的平板显示装置的平面图； 图3是示出沿着图2中的线1-1’截取的平板显示装置的截面图； 图4A至图4E是逐步骤地示出根据本公开的实施方式的具有氧化物薄膜晶体管的平板显示装置的制造方法的截面图；以及 图5是示出通过应用根据本公开的实施方式的具有薄膜晶体管的平板显示装置的制造方法获得的元件的增强的性质的数据图。 【具体实施方式】 现在将参考在附图中示出的其(示例)的本专利技术的实施方式。下面介本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种平板显示装置，所述平板显示装置具有氧化物薄膜晶体管，所述平板显示装置包括；缓冲膜，所述缓冲膜形成在基板上；氧化物半导体层，所述氧化物半导体层具有第一长度的宽度并且形成在所述缓冲膜上；栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜具有第二长度的宽度并且形成在所述氧化物半导体层上；栅电极，所述栅电极具有第三长度的宽度并且形成在所述栅极绝缘膜上；层间绝缘膜，所述层间绝缘膜形成在所述基板的整个表面上并且位于所述栅电极上；源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极形成在所述层间绝缘膜上并且连接到所述氧化物半导体层；钝化膜，所述钝化膜形成在所述基板的整个表面上并且位于所述源电极和漏电极上；以及像素电极，所述像素电极形成在所述钝化膜上并且连接到所述漏电极，其中，所述第一长度大于所述第二长度并且所述第二长度大于所述第三长度。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：郑棋永，金杞泰，韩昌勋，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR