本公开提供了一种薄膜晶体管，该膜晶体管包括：基底；在基底上形成的第一隔离膜；在第一隔离膜上的选择区中形成的第二隔离膜，具有针对氢的阻隔性质；氧化物半导体层，包括在第二隔离膜上形成的第一部分以及在第一隔离膜上形成的第二部分，其中第一部分作为活性层，以及第二部分具有比第一部分更低的电阻；栅电极，在氧化物半导体层的第一部分上形成并在栅电极与该第一部分之间具有栅极绝缘膜；以及源电极或者漏电极，电连接到氧化物半导体层的第二部分。第一隔离膜具有针对来自基底的杂质的阻隔性质，以及化学的减少氧化物半导体层的特性。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本公开提供了一种薄膜晶体管，该膜晶体管包括：基底；在基底上形成的第一隔离膜；在第一隔离膜上的选择区中形成的第二隔离膜，具有针对氢的阻隔性质；氧化物半导体层，包括在第二隔离膜上形成的第一部分以及在第一隔离膜上形成的第二部分，其中第一部分作为活性层，以及第二部分具有比第一部分更低的电阻；栅电极，在氧化物半导体层的第一部分上形成并在栅电极与该第一部分之间具有栅极绝缘膜；以及源电极或者漏电极，电连接到氧化物半导体层的第二部分。第一隔离膜具有针对来自基底的杂质的阻隔性质，以及化学的减少氧化物半导体层的特性。【专利说明】薄膜晶体管、显示单元、以及电子设备相关申请的交叉参考本申请已于2013年5月24日申请日本优先权专利申请JP2013-109773，其全部内容通过引用结合于此。
本公开涉及一种薄膜晶体管(TFT)，例如，使用氧化物半导体的膜晶体管、以及使用TFT的显示单元和电子设备。
技术介绍
本公开涉及一种膜晶体管(TFT)，例如使用氧化物半导体的膜晶体管、以及使用TFT的显示单元和电子设备。 氧化锌、包含氧和铟的氧化物、以及其它的氧化物展现优良半导体(活化层)特性。为了将这些氧化物应用到例如薄膜晶体管(TFT)、发光器件、以及透明导电膜的电子器件，因此加速了氧化物的研究和发展。已知当该氧化物被施加到TFT的活性层(沟道)时，与由非晶硅制成的TFT相比，所述TFT展现较大的电子迁移率以及优越的电特性。此外，SP使例如在大约为室温的低温条件下形成的时候，由氧化物制成的TFT具有较大的电子迁移率的潜能。 当半导体器件在例如由硅(Si)或者玻璃制成的基底上形成时，氮化硅膜或者氧化硅膜用作为阻挡来自基底的杂质(例如碱离子)对半导体器件的侵入的隔离膜。例如，日本未经审查专利申请公开第2012-164873描述的TFT，其中氧化物半导体在基底的表面形成，并在氧化物半导体与基地表面之间具有隔离膜。
技术实现思路
如上所述，由氧化物半导体制成的TFT被要求确保隔离性能并且展现优良的晶体管特性。 希望提供能够达到优良的晶体管特性的薄膜晶体管、显示单元、以及电子设备。 根据本公开的实施方式的薄膜晶体管包括:基底；在基底上形成的第一隔离膜；在第一隔离膜上的选择区中形成的第二隔离膜，其具有针对氢的不透气性；氧化物半导体层，包括在第二隔离膜上形成的第一部分以及在第一隔离膜上形成的第二部分，在其中，第一部分作为活性层，以及第二部分的电阻低于第一部分；栅电极，在氧化物半导体层的第一部分上形成，在栅电极与该第一部分之间具有栅极绝缘膜；以及源电极或者漏电极，电连接到氧化物半导体层的第二部分。第一隔离膜具有针对来自基底的杂质的阻隔性质，以及化学还原氧化物半导体层的特性。 根据本公开的实施方式配有多个像素的显示单元。每一个像素配有薄膜晶体管。每一个薄膜晶体管包括:基底；在所述基底上形成的第一隔离膜；在第一隔离膜上的选择区中形成的第二隔离膜，具有针对氢的阻隔性质；氧化物半导体层，包括在第二隔离膜上形成的第一部分以及在第一隔离膜上形成的第二部分，在其中，第一部分作为活性层以及第二部分具有比第一部分更低的电阻；栅电极，在氧化物半导体层的第一部分上形成，并且在栅电极与该第一部分之间具有栅极绝缘膜；以及源电极或者漏电极，电连接到氧化物半导体层的第二部分。第一隔离膜具有针对来自基底的杂质的阻隔性质，以及化学还原氧化物半导体层的特性。 根据本公开的实施方式的电子设备配有显示单元。所述显示单元配有多个像素，并且每一个像素具有薄膜晶体管。每一个薄膜晶体管包括:基底；在所述基底上形成的第一隔离膜；在第一隔离膜上的选择区中形成的第二隔离膜，该第二隔离膜具有针对氢的阻隔性质；氧化物半导体层，包括在第二隔离膜上形成的第一部分以及在第一隔离膜上形成的第二部分，在其中，第一部分作为活性层以及第二部分比第一部分的电阻小；栅电极，在氧化物半导体层的第一部分上形成，并且在栅电极与该第一部分之间具有栅极绝缘膜；以及源电极或者漏极，电连接到氧化物半导体层层的第二部分。第一隔离膜具有针对来自基底的杂质的阻隔性质，以及化学还原氧化物半导体层的特性。 根据以上描述的本公开的实施方式在薄膜晶体管、显示单元和电子设备中，第一隔离膜是在所述基底上形成，并且具有针对氢的阻隔性质的第二隔离膜在第一隔离膜与氧化物半导体层的第一部分之间形成。第一隔离膜使得整个氧化物半导体层不受杂质的恶化，并且选择性的减少氧化物半导体层的第二部分的电阻。此外，插入第二隔离抑制第一隔离膜中的氢漫射到氧化物半导体层的第一部分，从而减少由化学还原反应导致的第一部分的特性波动。 根据以上描述的本公开的实施方式的所述薄膜晶体管、显示单元和电子设备，各自具有在所述基底上形成的第一隔离膜，以及在第一隔离层与氧化半导体层的第一部分之间的第二隔离膜，该第二隔离膜具有针对氢的阻隔性质。第一隔离膜能够使得整个氧化物半导体层的膜质量免受杂质带来的恶化的影响，并且选择性的减少氧化物半导体层的第二部分的电阻。此外，插入第二隔离能够减少由来自第一隔离膜氢的扩散引起的氧化物半导体层第一部分的特性波动。因此能够确保隔离性能以减少氧化物半导体层期望区域的电阻，并且减少活性层的特性变动。因此，能够提供优良的晶体管特性。 应当理解上述概述及以下的详细说明都是示例性的，并且旨在提供权利要求中技术的进一步说明。 【专利附图】【附图说明】 附图被包括进来以提供对所述公开的进一步理解并形成一体且构成本说明书的一部分。所述附图示出实施方式和所述规范，并且用于说明所述技术的原理。 图1是根据本公开的实施方式示出晶体管以及保持电容的截面配置的视图。 图2是示出晶体管第二隔离膜的厚度和晶体管阈值电压的移位量之间关系的特性曲线图。 图3A是示出按照处理顺序制造图1中示出的所述晶体管的方法的视图。 图3B是示出图3A中的处理之后的处理的视图。 图4A是示出图3B中的处理之后的处理的视图。 图4B是示出图4A中的处理之后的处理的视图。 图5A是示出图4B中的处理之后的处理的视图。 图5B是示出图5A中的处理之后的处理的视图。 图5C是示出图5B中的处理之后的处理的视图。 图是示出图5C中的处理之后的处理的视图。 图6是示出图中的处理之后的处理的视图。 图7是根据比较示例示出晶体管的电流-电压特性的特性曲线图。 图8是根据实施例示出晶体管的电流-电压特性的特性曲线图。 图9是根据本公开的实施方式示出显示单元总体构造并包括其外围电路的框图。 图10是示出在图9中示出的像素线路的框图。 图11是示出包括在图9示出的显示单元的模块的配置轮廓的平面图。 图12是示出应用示例I外观的立体图。 图13A是示出从前面来观察应用示例2的外观的立体图。 图13B是示出从后面来观察应用示例2的外观的立体图。 图14是示出应用示例3外观的立体图。 图15是示出应用示例4外观的立体图。 图16A示出了在闭合下的应用示例5的前表面、左侧表面、右侧表面、上表面、以及 。 图16B示出了在打开状态中的应用示例5的前表面和侧面。 图17A是示出应用示例6外观的立体图。 图17B是示出应用示本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括：基底；第一隔离膜，形成在所述基底上；第二隔离膜，在所述第一隔离膜上的选择区中形成，并且具有针对氢的阻隔性质；氧化物半导体层，包括在所述第二隔离膜上形成的第一部分以及在所述第一隔离膜上形成的第二部分，所述第一部分作为活性层，以及所述第二部分具有比所述第一部分低的电阻；栅电极，在所述氧化物半导体层的所述第一部分上形成，并在所述栅电极与所述第一部分之间具有栅极绝缘膜；以及源电极或者漏电极，电连接到所述氧化物半导体层的所述第二部分，所述第一隔离膜具有针对来自所述基底侧的杂质的阻隔性质，以及针对所述氧化物半导体层的还原特性。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：加藤祐一，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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