本实用新型专利技术公开一种晶圆背面清洗装置，通过对吸附装置的结构设计，在进行晶圆背面清洗时，可将晶圆背面的污染颗粒牢固的吸附于吸附管上，并可多次反复进行确保晶圆背面不同尺寸的污染颗粒被吸附。进而避免了污染颗粒由于受静电力的影响，无法通过有机溶剂完全有效去除，导致在使用光刻机进行曝光定义电路图形时，晶圆会产生局部区域的失焦，使得图形定义不完整而造成缺陷的情况，降低了晶圆的曝光失焦，提高了晶圆清洗的效率。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开一种晶圆背面清洗装置，通过对吸附装置的结构设计，在进行晶圆背面清洗时，可将晶圆背面的污染颗粒牢固的吸附于吸附管上，并可多次反复进行确保晶圆背面不同尺寸的污染颗粒被吸附。进而避免了污染颗粒由于受静电力的影响，无法通过有机溶剂完全有效去除，导致在使用光刻机进行曝光定义电路图形时，晶圆会产生局部区域的失焦，使得图形定义不完整而造成缺陷的情况，降低了晶圆的曝光失焦，提高了晶圆清洗的效率。【专利说明】晶圆背面清洗装置
本技术涉及半导体制造领域，尤其涉及晶圆背面清洗装置。
技术介绍
在半导体集成电路器件的制造过程中，需要使半导体晶圆的表面始终保持清洁，不仅要求晶圆的正面始终保持清洁，晶圆的背面同样要求始终保持清洁，以避免晶圆在传输过程中造成交叉污染，因此需要对晶圆的正面及背面进行清洗处理。 目前晶圆表面的污染物，根据污染物发生的情况，大致可分为颗粒、有机物、金属污染物及氧化物。污染物附着的机理主要有静电力，范德华力，化学键等。通常用于晶圆清洗污染物的方法是槽式清洗法，即将多片晶圆浸泡在清洗槽中清洗，该方法虽然能够同时去除晶圆正面和晶圆背面的污染物。但是，由于去除的污染物仍留在清洗液中，污染物可能会再次附着在晶圆上，造成交叉污染，从而降低半导体集成电路器件的品质。 在半导体芯片的制造中，光刻工艺是所有四个基本工艺中最关键工艺，由光刻工艺来确定器件的关键尺寸。光刻过程中的错误可造成图形歪曲或套准不好，最终可转化为对器件的电特性产生影响。图形的错位也会导致类似的不良结果。光刻工艺中的另一个问题是由于污染物所造成的缺陷问题。事实上由于光刻在晶圆生产过程中要完成5层至20层或更多，所以污染问题将会放大。为了防止光刻工艺中污染物所造成的缺陷，特别是防止光阻涂布过程有机物光阻污染晶圆背面，一般采用在背面喷射有机溶剂的方法，以化学溶解的方法来清除光阻污染。 但是对于静电力附着的颗粒，有机溶剂并不能完全有效去除，在使用光刻机进行曝光来定义电路图形时，若晶圆背面有颗粒污染，在曝光的过程中，会产生局部区域失焦，使得图形定义不完整而造成缺陷。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种晶圆背面清洗装置，以解决现有技术中晶圆背面的污染颗粒，由于受静电力的影响，无法通过有机溶剂完全有效去除，导致在使用光刻机进行曝光定义电路图形时，晶圆会产生局部区域的失焦，使得图形定义不完整而造成缺陷的问题。 为了解决上述技术问题，本技术提供一种晶圆背面清洗装置，所述晶圆背面清洗装置，包括:驱动装置、吸附装置及支撑杆； 所述吸附装置设置于所述驱动装置上； 所述支撑杆设置于所述驱动装置上并贯穿所述吸附装置。 可选的，在所述的晶圆背面清洗装置中，所述吸附装置包括:吸附管及与所述吸附管相连的吸附块。 可选的，在所述的晶圆背面清洗装置中，所述吸附块的横截面为圆形、长方形或者正方形。 可选的，在所述的晶圆背面清洗装置中，所述吸附块的截面宽度大于等于晶圆的直径。 可选的，在所述的晶圆背面清洗装置中，所述吸附管的数量为多个；多个所述吸附管的形状相同，并均匀分布于所述吸附块的上表面。 可选的，在所述的晶圆背面清洗装置中，所述吸附管及所述吸附块的材质均为S12和HMDS的混合材质或者Si和HMDS的混合材质。 可选的，在所述的晶圆背面清洗装置中，所述支撑杆的数量为三个；三个所述支撑杆呈三角形分布于所述驱动装置上。 可选的，在所述的晶圆背面清洗装置中，所述支撑杆为中空的可伸缩的杆。 可选的，在所述的晶圆背面清洗装置中，所述支撑杆的长度为5cm?10cm。 在本技术所提供的晶圆背面清洗装置中，通过对吸附装置的结构设计，在进行晶圆背面清洗时，可将晶圆背面的污染颗粒牢固的吸附于吸附管上，并可多次反复进行确保晶圆背面不同尺寸的污染颗粒被吸附。进而避免了污染颗粒由于受静电力的影响，无法通过有机溶剂完全有效去除，导致在使用光刻机进行曝光定义电路图形时，晶圆会产生局部区域的失焦，使得图形定义不完整而造成缺陷的情况，降低了晶圆的曝光失焦，提高了晶圆清洗的效率。 【专利附图】【附图说明】 图1是本技术晶圆背面清洗装置的俯视图； 图2是本技术晶圆背面清洗装置的剖面示意图。 【具体实施方式】 以下结合附图和具体实施例对本技术提出的晶圆背面清洗装置作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。 请参考图1及图2，其为本技术实施例的晶圆背面清洗装置的相关示意图。如图1所示，所述晶圆背面清洗装置包括:驱动装置1、吸附装置2及支撑杆3 ;所述吸附装置2设置于所述驱动装置I上；所述支撑杆3设置于所述驱动装置I上并贯穿所述吸附装置2。 本技术的晶圆背面清洗装置应用的原理: 参照图2，当对晶圆背面进行清洗时: 第一步，由支撑杆3装载需要清洗的晶圆； 第二步，调整驱动装置I驱动支撑杆3收缩，使支撑杆3上的晶圆背面靠近吸附装置2 ; 第三步，调整驱动装置I驱动支撑杆3做伸缩运动反复多次(若想晶圆背面的污染颗粒更完全的去除，可以多进行几次)； 第四步，调节驱动装置I驱动支撑杆3伸长卸载支撑杆3上的晶圆； 第五步，结束晶圆背面的清洗操作，将清洗后的晶圆放置于光刻机上进行后续的曝光工序。 优选的，所述吸附装置包括:吸附管22及与所述吸附管22相连的吸附块21。 优选的，所述吸附块21的横截面为圆形、长方形或者正方形，并且所述吸附块21的截面宽度大于等于晶圆的直径。具体的，晶圆横截面小于吸附装置2的横截面，当晶圆靠近吸附装置2时，晶圆背面充分接触吸附装置2，使晶圆背面的污染颗粒被吸附装置2所吸附。 优选的，所述吸附管22的数量为多个；多个所述吸附管22的形状相同，并均匀分布于所述吸附块21的上表面。具体的，吸附管22的设置，进一步确保吸附的污染颗粒能够牢固的黏附与吸附装置上，相比不设置吸附管22，仅仅是一个平面的吸附结构，在装载有晶圆的支撑杆3上移时，避免已被吸附的污染颗粒可能重新被晶圆带走。 优选的，所述吸附管22及所述吸附块21的材质均为S12和HMDS的混合材质或者Si和HMDS的混合材质。S12和HMDS的混合材质或者Si和HMDS的混合材质可以较好的吸附晶圆背面的污染颗粒，通过吸附的黏着力，克服污染颗粒与晶圆之间的静电力，从而达到去除污染颗粒的目的。 优选的，所述支撑杆3的数量为三个；三个所述支撑杆3呈三角形分布于所述驱动装置I上。具体的，为了晶圆能够平稳的放置于支撑杆3上，不存在晶圆表面倾斜的情况。在晶圆背面清洗时，由于晶圆背面不够水平，在晶圆靠近吸附装置时，部分污染颗粒无法被吸附，达不到较佳的吸附效果。 优选的，所述支撑杆3为中空的可伸缩的杆。具体的，支撑杆3设计为中空结构，有利于对晶圆的真空吸附固定；其可伸缩性可在驱动装置I的驱动下做上下移动的操作，进而完成晶圆的装载、卸载及清洗操作。 优选的，所述支撑杆3的长度为5cm?10cm。支撑杆可根据需要靠近吸附装置2或远离吸附装置2，完成晶圆背面的清洗操作。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种晶圆背面清洗装置，其特征在于，包括：驱动装置、吸附装置及支撑杆； 所述吸附装置设置于所述驱动装置上； 所述支撑杆设置于所述驱动装置上并贯穿所述吸附装置。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孔德平，胡华勇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11
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