一种阵列基板及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种阵列基板及其制作方法，该阵列基板包括玻璃基板、数据线、扫描线、像素电极、薄膜晶体管以及彩膜光阻；其中第二绝缘层用于对第二金属层与彩膜光阻层进行绝缘处理，第二绝缘层包括氮化硅绝缘层以及二氧化硅绝缘层。本发明专利技术还提供一种阵列基板的制作方法，本发明专利技术的阵列基板及其制作方法通过设置具有氮化硅绝缘层以及二氧化硅绝缘层的第二绝缘层，并将彩膜光阻设置在第二绝缘层的二氧化硅绝缘层上，使得彩膜光阻不易从第二绝缘层上脱落。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制作方法
本专利技术涉及显示器领域，特别是涉及一种阵列基板及其制作方法。
技术介绍
液晶显示装置已广泛的应用于人们的工作和生活中，随着液晶显示技术的发展，人们对显示器的画质要求越来越高，如分辨率、亮度、视角、色彩饱和度以及画面响应速度等。传统的液晶显示装置将彩膜基板和阵列基板分别在不同的基板上进行制作，其中彩膜基板包括公共电极、RGB(红绿蓝)彩膜(彩膜光阻)以及黑色矩阵(BM，BlackMatrix)；阵列基板包括薄膜晶体管、外围线路以及像素电极；然后将彩膜基板和阵列基板进行对盒操作，以形成液晶显示面板。传统的液晶显示面板的制作过程虽然简单，但是彩膜基板和阵列基板进行对盒操作时，容易由于对位误差产生漏光以及开口率降低的技术问题。因此为了避免上述的技术问题，液晶显示装置的制作商开发了一种COA(ColorFilmOnArray)阵列基板，COA阵列基板将彩膜基板和阵列基板设置在同一玻璃基板上，这样在对盒操作时不会产生对位误差，提高了液晶显示面板的开口率。但是现有的COA阵列基板需要将彩膜光阻(有机材料)粘附在阵列基板的绝缘材料(无机材料)上，容易产生彩膜光阻的脱落(peeling)现象。故，有必要提供一种阵列基板及其制作方法，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种彩膜光阻不易从阵列基板上脱落的阵列基板及其制作方法；以解决现有的阵列基板中彩膜光阻易从阵列基板上脱落的技术问题。为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术实施例提供一种阵列基板，其包括：玻璃基板，其上依次设置有第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层、彩膜光阻层、第三绝缘层以及透明电极层；其中所述第一绝缘层用于对所述第一金属层与所述第二金属层进行绝缘处理；所述第三绝缘层用于对所述彩膜光阻层和所述透明电极层进行绝缘处理；所述第二绝缘层用于对所述第二金属层与所述彩膜光阻层进行绝缘处理；所述第二绝缘层包括氮化硅绝缘层以及设置在所述氮化硅绝缘层上的二氧化硅绝缘层。在本专利技术所述阵列基板中，所述第二金属层包括用于传输数据信号的数据线；所述第一金属层包括用于传输扫描信号的扫描线；所述透明电极层包括用于显示所述数据信号的像素电极；所述彩膜光阻层包括彩膜光阻。在本专利技术所述阵列基板中，所述阵列基板还包括：薄膜晶体管，用于根据所述扫描信号，将所述数据信号传输至所述像素电极上。在本专利技术所述阵列基板中，所述第二绝缘层的所述氮化硅绝缘层的厚度为50纳米至100纳米；所述第二绝缘层的所述二氧化硅绝缘层的厚度为50纳米至100纳米。在本专利技术所述阵列基板中，所述第三绝缘层为氮化硅绝缘层或二氧化硅绝缘层，所述第三绝缘层的厚度为100纳米至200纳米；所述第一绝缘层为氮化硅绝缘层，所述第一绝缘层的厚度为100纳米至300纳米；所述彩膜光阻层的厚度为500纳米至2000纳米；所述透明电极层为氧化铟锡透明电极层或氧化铟锌透明电极层，所述透明电极层的厚度为10纳米至100纳米。本专利技术实施例还提供一种阵列基板的制作方法，其包括：在玻璃基板上沉积第一金属层，并对所述第一金属层进行图形化处理，以形成扫描线以及薄膜晶体管的栅极；在所述玻璃基板上沉积第一绝缘层以及半导体层，并对所述第一绝缘层以及所述半导体层进行图形化处理，以形成所述薄膜晶体管的沟道；在所述玻璃基板上沉积第二金属层，并对所述第二金属层进行图形化处理，以形成数据线以及所述薄膜晶体管的漏极以及源极；在所述玻璃基板上沉积第二绝缘层，并对所述第二绝缘层进行图形化处理；在所述图形化处理后的所述第二绝缘层上沉积彩膜光阻层，以形成所述彩膜光阻；在所述玻璃基板上沉积第三绝缘层，并对所述第三绝缘层进行图形化处理，以在所述第三绝缘层上形成通孔；以及在所述玻璃基板上沉积透明电极层，并对所述透明电极层进行图形化处理，以形成像素电极；其中所述第二绝缘层包括氮化硅绝缘层以及设置在所述氮化硅绝缘层上的二氧化硅绝缘层。在本专利技术所述的阵列基板的制作方法中，所述第二绝缘层的所述氮化硅绝缘层的厚度为50纳米至100纳米；所述第二绝缘层的所述二氧化硅绝缘层的厚度为50纳米至100纳米。在本专利技术所述的阵列基板的制作方法中，所述彩膜光阻层的厚度为500纳米至2000纳米。在本专利技术所述的阵列基板的制作方法中，所述第三绝缘层为氮化硅绝缘层或二氧化硅绝缘层，所述第三绝缘层的厚度为100纳米至200纳米；所述第一绝缘层为氮化硅绝缘层，所述第一绝缘层的厚度为100纳米至300纳米。在本专利技术所述的阵列基板的制作方法中，所述透明电极层为氧化铟锡透明电极层或氧化铟锌透明电极层，所述透明电极层的厚度为10纳米至100纳米。相较于现有的阵列基板及其制作方法，本专利技术的阵列基板及其制作方法通过设置具有氮化硅绝缘层以及二氧化硅绝缘层的第二绝缘层，并将彩膜光阻设置在第二绝缘层的二氧化硅绝缘层上，使得彩膜光阻不易从第二绝缘层上脱落；解决了现有的阵列基板中彩膜光阻易从阵列基板上脱落的技术问题。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：附图说明图1为本专利技术的阵列基板的优选实施例的结构示意图；图2为本专利技术的阵列基板的制作方法的优选实施例的流程图；图3A-图3F为本专利技术的阵列基板的制作方法的优选实施例的制作示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。请参照图1，图1为本专利技术的阵列基板的优选实施例的结构示意图。本优选实施例的阵列基板10包括玻璃基板11、数据线、扫描线、像素电极、薄膜晶体管以及彩膜光阻15。其中在玻璃基板11上依次设置有第一金属层、第一绝缘层13、半导体层、第二金属层、第二绝缘层、彩膜光阻层、第三绝缘层16以及透明电极层。扫描线设置在第一金属层上，用于传输扫描信号；数据线设置在第二金属层上，用于传输数据信号；像素电极17设置在透明电极层上，用于显示数据信号；薄膜晶体管包括源极122、漏极123、栅极121以及沟道124，其中薄膜晶体管的栅极121设置在第一金属层上，与扫描线连接；薄膜晶体管的源极122上设置在第二金属层上，与数据线连接；薄膜晶体管的漏极123设置在第二金属层上，与像素电极17连接；薄膜晶体管的沟道124设置在半导体层。彩膜光阻15设置在彩膜光阻层上，用于形成RGB像素。其中第一绝缘层13用于对数据线与扫描线进行绝缘处理，第三绝缘层16用于对彩膜光阻15和像素电极17进行绝缘处理，第二绝缘层用于对数据线和彩膜光阻15进行绝缘处理。在本优选实施例中，第二绝缘层包括与数据线接触的氮化硅绝缘层141、以及与彩膜光阻15接触的二氧化硅绝缘层142，即二氧化硅绝缘层142设置在氮化硅绝缘层141上。其中第一金属层的材料可为铬、钼、铝或铜等，该第一金属层的厚度为100纳米至600纳米。第一绝缘层13为氮化硅绝缘层，第一绝缘层13的厚度为100纳米至300纳米。第二金属层的材料可为铬、钼、铝或铜等，该第二金属层的厚本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：玻璃基板，其上依次设置有第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层、彩膜光阻层、第三绝缘层以及透明电极层；其中所述第一绝缘层用于对所述第一金属层与所述第二金属层进行绝缘处理；所述第三绝缘层用于对所述彩膜光阻层和所述透明电极层进行绝缘处理；所述第二绝缘层用于对所述第二金属层与所述彩膜光阻层进行绝缘处理；所述第二绝缘层包括氮化硅绝缘层以及设置在所述氮化硅绝缘层上的二氧化硅绝缘层。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：玻璃基板，其上依次设置有第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层、彩膜光阻层、第三绝缘层以及透明电极层；其中所述第一绝缘层用于对所述第一金属层与所述第二金属层进行绝缘处理；所述第三绝缘层用于对所述彩膜光阻层和所述透明电极层进行绝缘处理；所述第二绝缘层用于对所述第二金属层与所述彩膜光阻层进行绝缘处理；所述第二绝缘层包括氮化硅绝缘层以及设置在所述氮化硅绝缘层上的二氧化硅绝缘层；所述彩膜光阻层设置于所述二氧化硅绝缘层上，其中，所述二氧化硅绝缘层为使用等离子体对所述二氧化硅绝缘层的表面进行轰击得到的，二氧化硅绝缘层的表面粗糙度高于所述氮化硅绝缘层的表面粗糙度；其中所述第二绝缘层的所述氮化硅绝缘层的厚度为50纳米至100纳米；所述第二绝缘层的所述二氧化硅绝缘层的厚度为50纳米至100纳米；其中所述第三绝缘层为氮化硅绝缘层或二氧化硅绝缘层，所述第三绝缘层的厚度为100纳米至200纳米；所述第一绝缘层为氮化硅绝缘层，所述第一绝缘层的厚度为100纳米至300纳米。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二金属层包括用于传输数据信号的数据线；所述第一金属层包括用于传输扫描信号的扫描线；所述透明电极层包括用于显示所述数据信号的像素电极；所述彩膜光阻层包括彩膜光阻。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：薄膜晶体管，用于根据所述扫描信号，将所述数据信号传输至所述像素电极上。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述彩膜光阻层的厚度为500纳米至2000纳米；所述透明电极层为氧化铟锡透明电极层或氧化铟锌透明电极层，所述透明电极层的厚度为10纳米至100纳米。5.一种阵列基...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐向阳，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44