一种测量装置及镀膜设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种测量装置及镀膜设备。该测量装置包括：第一石英晶振片，在镀膜过程中一起被镀膜；第二石英晶振片，和第一石英晶振片相同，在镀膜的过程中被遮挡，不会被镀膜；激励源产生单元，用于产生并输出交变电流到所述第一石英晶振片和第二石英晶振片测试单元；第一计算模块，用于根据所述第一石英晶振片在镀膜过程中响应于所述交变电流产生的第一响应信号计算频率变化初始值；第二计算模块，用于根据所述第二石英晶振片在镀膜过程中响应于所述交变电流产生的第二响应信号计算频率变化修正值；第三计算模块，用于利用所述频率变化修正值修正所述频率变化初始值得到的频率变化目标值计算膜层厚度。本发明专利技术提高了膜厚测量精度。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种测量装置及镀膜设备。该测量装置包括：第一石英晶振片，在镀膜过程中一起被镀膜；第二石英晶振片，和第一石英晶振片相同，在镀膜的过程中被遮挡，不会被镀膜；激励源产生单元，用于产生并输出交变电流到所述第一石英晶振片和第二石英晶振片测试单元；第一计算模块，用于根据所述第一石英晶振片在镀膜过程中响应于所述交变电流产生的第一响应信号计算频率变化初始值；第二计算模块，用于根据所述第二石英晶振片在镀膜过程中响应于所述交变电流产生的第二响应信号计算频率变化修正值；第三计算模块，用于利用所述频率变化修正值修正所述频率变化初始值得到的频率变化目标值计算膜层厚度。本专利技术提高了膜厚测量精度。【专利说明】一种测量装置及镀膜设备
本专利技术涉及测量技术，特别是一种测量装置及镀膜设备。
技术介绍
当今微电子薄膜、光学薄膜、抗氧化薄膜、巨磁电阻薄膜、高温超导薄膜等在工业生产和人类生活中不断得到应用。如大规模集成电路、液晶面板、LED器件等生产工艺中的各种薄膜，由于集成程度的不断提高，薄膜厚度的任何微小变化，对器件的性能都会产生直接的影响。除此之外，薄膜的各种性能，如透光性能、导电性能、绝缘性能等都与厚度有着密切的联系。 因此可以看出，薄膜的厚度是一个非常重要的参数，直接关系到该薄膜材料能否正常工作。因此在生产过程中需要获取薄膜的厚度。 随着科技的进步和精密仪器的应用，薄膜厚度的测量方法有很多，一种常见的测量方法为使用晶振片对薄膜厚度进行实时测量。 然而专利技术人发现，现有技术中使用晶振片对薄膜厚度进行实时测量的方法，由于受到环境因素的影响而存在精度不高的问题。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的在于提供一种测量装置及镀膜设备，提高使用晶振片对薄膜厚度进行测量的测量精度。 为了实现上述目的，本专利技术实施例提供了一种测量装置，用于测量一待镀膜模组上产生的膜层的厚度，所述测量装置包括: 第一石英晶振片，在镀膜过程中一起被镀膜； 第二石英晶振片，和第一石英晶振片相同，在镀膜的过程中被遮挡，不会被镀膜； 激励源产生单元，用于产生并输出交变电流到所述第一石英晶振片和第二石英晶振片; 第一计算模块，用于根据所述第一石英晶振片在镀膜过程中响应于所述交变电流产生的第一响应信号计算频率变化初始值； 第二计算模块，用于根据所述第二石英晶振片在镀膜过程中响应于所述交变电流产生的第二响应信号计算频率变化修正值； 第三计算模块，用于利用所述频率变化修正值修正所述频率变化初始值得到的频率变化目标值计算膜层厚度。 上述的测量装置，其中，所述频率变化目标值等于频率变化初始值与频率变化修正值的差值。 上述的测量装置，其中，还包括: 一遮挡模块，用于在镀膜过程中遮挡所述第二石英晶振片，使所述第二石英晶振片不会被镀膜。 上述的测量装置，其中，所述第二石英晶振片的数量为多个，所述第二计算模块具体用于根据每一个第二石英晶振片在镀膜过程中响应于所述交变电流产生的第二响应信号计算第二石英晶振片各自对应的频率变化中间值，并取所有频率变化中间值的平均值作为频率变化修正值。 为了实现上述目的，本专利技术实施例提供了一种镀膜设备，包括一镀膜机，用于向待镀膜模组镀膜，所述镀膜设备还包括一测量装置，所述测量装置包括: 第一石英晶振片，在镀膜过程中一起被镀膜； 第二石英晶振片，和第一石英晶振片相同，在镀膜的过程中被遮挡，不会被镀膜； 激励源产生单元，用于产生并输出交变电流到所述第一石英晶振片和第二石英晶振片; 第一计算模块，用于根据所述第一石英晶振片在镀膜过程中响应于所述交变电流产生的第一响应信号计算频率变化初始值； 第二计算模块，用于根据所述第二石英晶振片在镀膜过程中响应于所述交变电流产生的第二响应信号计算频率变化修正值； 第三计算模块，用于利用所述频率变化修正值修正所述频率变化初始值得到的频率变化目标值计算膜层厚度。 上述的镀膜设备，其中，所述频率变化目标值等于频率变化初始值与频率变化修正值的差值。 上述的镀膜设备，其中，还包括: —遮挡模块，用于在镀膜过程中遮挡所述第二石英晶振片，使所述第二石英晶振片不会被镀膜。 上述的镀膜设备，其中，所述第一石英晶振片和第二石英晶振片环形排列，所述遮挡模块具体为一设置有一通孔的可旋转遮挡片，所述遮挡片能够通过旋转使得所述通孔位于不同石英晶振片的上方。 上述的镀膜设备，其中，还包括: 控制器，用于根据所述膜层厚度实际值控制镀膜机的镀膜厚度。 上述的镀膜设备，其中，所述镀膜机上设置有一具有一吸附面的用于吸附所述待镀膜模组的真空吸附装置，所述第一石英晶振片、第二石英晶振片的安置高度与所述待镀膜模组的安置高度相同。 上述的镀膜设备，其中，所述第二石英晶振片的数量为多个，所述第二计算模块具体用于根据每一个第二石英晶振片在镀膜过程中响应于所述交变电流产生的第二响应信号计算第二石英晶振片各自对应的频率变化中间值，并取所有频率变化中间值的平均值作为频率变化修正值。 本专利技术实施例中，设置了第一石英晶振片，其利用现有技术的薄膜厚度测量方法可以得到一个膜层厚度初始值。之前提到，由于石英晶振片的频率变化不仅与薄膜厚度有关，而且与环境有关，因此基于镀膜后的石英晶振片的振荡频率变化量计算出的膜层厚度并不准确。而本专利技术实施例中同时还设置了第二石英晶振片，而第二石英晶振片在镀膜的过程中被遮挡，不会被镀膜，根据该第二石英晶振片的振荡频率变化量可以计算出一修正值，进而可以将由于环境导致的振荡频率变化带来的误差从膜层厚度初始值中扣除，提高了膜层厚度检测的精度。 【专利附图】【附图说明】 图1表示设置的多块石英晶振片和遮挡机构的配合示意图； 图2表示本专利技术实施例用于真空蒸镀时的具体结构示意图。 【具体实施方式】 本专利技术实施例的测量装置及镀膜设备中，使用一个不镀膜的石英晶振片来测量镀膜过程中的环境因素对频率变化产生的影响，提高了测量的精度。 为方便本领域技术人员更好的理解本专利技术实施例，在此先对本专利技术实施例涉及到的一些知识介绍如下。 使用石英晶振片测膜厚原理是利用了石英晶振片振荡频率的变化与沉积薄膜厚度的近似线性关系如下: 【权利要求】1.一种测量装置，用于测量一待镀膜模组上产生的膜层的厚度，其特征在于，所述测量装置包括: 第一石英晶振片，在镀膜过程中一起被镀膜； 第二石英晶振片，和第一石英晶振片相同，在镀膜的过程中被遮挡，不会被镀膜； 激励源产生单元，用于产生并输出交变电流到所述第一石英晶振片和第二石英晶振片; 第一计算模块，用于根据所述第一石英晶振片在镀膜过程中响应于所述交变电流产生的第一响应信号计算频率变化初始值； 第二计算模块，用于根据所述第二石英晶振片在镀膜过程中响应于所述交变电流产生的第二响应信号计算频率变化修正值； 第三计算模块，用于利用所述频率变化修正值修正所述频率变化初始值得到的频率变化目标值计算膜层厚度。2.根据权利要求1所述的测量装置，其特征在于，所述频率变化目标值等于频率变化初始值与频率变化修正值的差值。3.根据权利要求1所述的测量装置，其特征在于，还包括: 一遮挡模块，用于在镀膜过程中遮挡所述第二石英晶振片，使所述第二石英晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种测量装置，用于测量一待镀膜模组上产生的膜层的厚度，其特征在于，所述测量装置包括：第一石英晶振片，在镀膜过程中一起被镀膜；第二石英晶振片，和第一石英晶振片相同，在镀膜的过程中被遮挡，不会被镀膜；激励源产生单元，用于产生并输出交变电流到所述第一石英晶振片和第二石英晶振片；第一计算模块，用于根据所述第一石英晶振片在镀膜过程中响应于所述交变电流产生的第一响应信号计算频率变化初始值；第二计算模块，用于根据所述第二石英晶振片在镀膜过程中响应于所述交变电流产生的第二响应信号计算频率变化修正值；第三计算模块，用于利用所述频率变化修正值修正所述频率变化初始值得到的频率变化目标值计算膜层厚度。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：吴海东，马群，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11