一种钽酸锂晶体的制备方法技术

本发明专利技术首先提供一种脲素在制备钽酸锂晶体中的应用。另外再公开一种钽酸锂晶体的制备方法。本发明专利技术利用脲素在低温分解（约120℃），使得碳酸锂和五氧化二钽在液态的脲素中进一步混合，在温度继续升高的时候，脲素分解释放大量热，可瞬时达到1200℃，为基料反应提供能量。脲素不断分解同时释放大量小分子，如NH3，H2O，CO2，NOX，小分子渗透进入五氧化二钽和碳酸锂中，可大幅降低生成钽酸锂的反应温度。本发明专利技术通过脲素大幅降低钽酸锂的反应温度，减少钽酸锂的反应时间，既缩短了周期，又降低了反应温度，使得钽酸锂的合成取得了重大的进步。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术首先提供一种脲素在制备钽酸锂晶体中的应用。另外再公开。本专利技术利用脲素在低温分解（约120℃），使得碳酸锂和五氧化二钽在液态的脲素中进一步混合，在温度继续升高的时候，脲素分解释放大量热，可瞬时达到1200℃，为基料反应提供能量。脲素不断分解同时释放大量小分子，如NH3，H2O，CO2，NOX，小分子渗透进入五氧化二钽和碳酸锂中，可大幅降低生成钽酸锂的反应温度。本专利技术通过脲素大幅降低钽酸锂的反应温度，减少钽酸锂的反应时间，既缩短了周期，又降低了反应温度，使得钽酸锂的合成取得了重大的进步。【专利说明】
本专利技术涉及光学材料领域，更具体地，涉及。
技术介绍
钽酸锂(Lithium Tantalate, LiTa03, LT)晶体是一种重要的具有多功能压电、铁电和电光、声光、非线性、光折变及激光活性等特点的晶体材料，是一种光学性能多、综合指标好的人工晶体。 伴随着激光技术的迅猛发展，钽酸锂晶体在电光调制器、二次谐波发生器、Q开关、声表面滤波器及集成光学等方面得到了广泛的应用。作为压电材料，其突出优点是延迟时间温度系数低，器件的热稳定性好，是制作声表面波彩色电视机中频滤波器的优良材料，是优秀的热释电红外探测器材料，可用于薄型小口径高灵敏度传感器和监控激光能量的透射型传感器。 钽酸锂单晶使用提拉法生长，制备多晶料是生长单晶必不可少的准备工作。掺杂光学级和近化学计量比钽酸锂单晶的多晶原料制备多用固相反应。首先将生长钽酸锂晶体的原料碳酸锂(Li2C03)、五氧化二钽(Ta205)粉末和掺杂剂(金属氧化物固体粉末)按比例均匀混合后进行烧结。原料的摩尔比由生长的晶体类型决定，如化学计量比，近化学计量比或一定量的掺杂都能影响原料的比例。烧结过程分为两步，在650~700°C烧结3~5小时使碳酸锂分解二氧化碳(C02)，然后升温至1250~1300°C恒温8~12小时，使五氧化二钽(Ta205)与氧化锂(Li20)充分进行固相反应生成钽酸锂，基本反应流程如下: 【权利要求】1.一种脲素在制备钽酸锂晶体中的应用。2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述的脲素的质量占原料总重量的20~30%。3.—种钽酸锂晶体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤 51.研磨脲素、碳酸锂、五氧化二钽和掺杂剂； 52.烘干碳酸锂、五氧化二钽和掺杂剂； 53.将SI所得的脲素和S2所得的碳酸锂、五氧化二钽和掺杂剂混合，其中脲素占总重量的20~30% ； 54.晃料； 55.将S4所得的混合料升温至700V~800 V，并维持3~5小时，即得。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，S4所述的晃料的时间为20-30小时。5.根据权利要 求3所述的制备方法，其特征在于，S5所述的升温所用的时间为3~4小时。【文档编号】C01G35/00GK104163454SQ201410312827【公开日】2014年11月26日 申请日期:2014年9月1日 优先权日:2014年9月1日 【专利技术者】王彪, 朱允中, 马德才 申请人:中山大学本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种脲素在制备钽酸锂晶体中的应用。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王彪，朱允中，马德才，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：广东;44