从载体去除衬底制造技术

本发明专利技术涉及从载体去除衬底，提供了从载体去除衬底方法和装置，其中向衬底的至少一个部分施加脱模剂。从载体去除衬底的至少一个部分。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及从载体去除衬底，提供了从载体去除衬底方法和装置，其中向衬底的至少一个部分施加脱模剂。从载体去除衬底的至少一个部分。【专利说明】从载体去除衬底
本申请涉及与从载体去除衬底的一部分有关的方法和装置。
技术介绍
在半导体工业中，对于各种种类的处理，衬底(例如半导体晶片)被装配至载体以用于处理。例如对于研磨或者其中打薄衬底的其它工艺，可以将衬底装配至所谓研磨带。然后可以从研磨带向所谓切分带传送衬底。衬底通常由于在带的至少一侧提供的某种粘合剂而粘附到这样的带。 在一些情形中，可能希望从相应带再次去除衬底的一部分而不影响剩余衬底的粘合。例如在以上提到的情形中，在向切分带装配衬底时，可能必须去除被切分(即被切割成若干片)的衬底的一些部分(例如衬底的外围部分)，这可能在一些境况中显得困难。
技术实现思路
根据本公开的一个方面，提供了一种方法，包括:向衬底的至少一个部分施加脱模剂；向载体传送所述衬底；并且从所述载体去除所述衬底的所述至少一个部分。 根据一个实施方式，向所述载体传送所述衬底包括向所述载体传送所述衬底以使得在所述衬底的所述至少一个部分与所述载体之间插入所述脱模剂。 根据一个实施方式，所述脱模剂包括含氟聚合物。 根据一个实施方式，所述脱模剂包括氟娃氧烧。 根据一个实施方式，所述衬底包括半导体晶片。 根据一个实施方式，所述载体包括带。 根据一个实施方式，所述带包括切分带。 根据一个实施方式，所述衬底的所述至少一个部分包括所述衬底的外围部分。 根据一个实施方式，去除所述至少一个衬底部分包括用紫外线光照射所述衬底。 根据本公开的另一方面，提供了一种方法，包括:在第一载体上提供衬底；向所述衬底的至少一个部分施加脱模剂；从所述第一载体向第二载体传送所述衬底，使得在所述衬底的所述至少一个部分与所述第二载体之间插入所述脱模剂；以及从所述第二载体去除所述衬底的所述至少一个部分。 根据一个实施方式，所述衬底包括切分的衬底。 根据一个实施方式，所述第一载体包括研磨带。 根据一个实施方式，所述第二载体包括切分带。 根据一个实施方式，所述脱模剂包括含氟聚合物或者氟硅氧烷中的至少一项。 根据本公开的又一方面，提供了一种装置，包括:脱模剂施加设备，被配置用于在衬底的至少一个部分上施加脱模剂；以及去除设备，被配置用于从载体去除所述衬底的所述至少一个部分。 根据一个实施方式，还包括被配置用于向所述载体传送所述衬底的传送设备。 根据一个实施方式，所述传送设备被配置用于向所述载体传送所述衬底而所述脱模剂被插入在所述衬底与所述载体之间。 根据一个实施方式，所述脱模剂施加设备包括施加器，并且其中所述施加器包括喷嘴。 根据一个实施方式，所述去除设备包括紫外线光源。 根据一个实施方式，还包括被配置用于在向所述脱模剂施加设备供应所述衬底之前研磨所述衬底的研磨设备。 【专利附图】【附图说明】 图1是根据一个实施例的装置的框图； 图2是图示根据一个实施例的方法的流程图；并且 图3A至3C是用于图示各种实施例的各种单元和处理阶段的图。 【具体实施方式】 在下文中，将参照附图具体讨论各种实施例。将注意这些实施例仅用作示例而不会解释为限制本申请的范围。例如可以组合不同实施例的特征以形成新实施例。在另一方面，尽管实施例被描述为包括多个特征或者单元，但是应当注意这不会解释为指示所有那些特征或者单元是实施例的实施所必需的。对照而言，其它实施例与描述的实施例比较可以包括更少特征、备选特征和/或附加特征。 各种实施例涉及从载体去除衬底的一个或者多个部分。为了有助于这样的去除，在一些实施例中，例如在向载体装配衬底之前向衬底的将随后从载体去除的一个或者多个部分施加脱模剂。 尽管将在下文中使用半导体晶片(比如硅树脂晶片)作为用于衬底的示例来描述实施例，但是这里公开的技术、设备和方法也可以应用于其它衬底，例如玻璃衬底。另外，尽管使用带作为用于载体的示例，但是也可以使用其它种类的载体，例如可以在其至少一侧上涂覆有粘合剂的玻璃载体、金属载体或者塑料载体。 现在转向各图，在图1中，示出根据一个实施例的可用于处理衬底的装置。图1的装置被示出为包括多个不同设备10、11、12和13。尽管这些设备被示出为分离块，但是所示设备中的两个或者更多设备也可以集成于单个设备内，使得单个设备执行对应功能。在另一方面，各种设备也可以相互远离定位，例如即使在不同房间或者不同大楼中，仍然在设备之间传送衬底。另外，其它实施例也可以仅包括图1中所示设备中的仅一些设备、可以包括附加设备和/或可以包括备选设备。也应当注意可以在图1中描绘的设备10-13之间提供在衬底处理期间执行其它动作的附加设备。 在图1的装置中，提供一个或者多个研磨设备10 (在下文中简称为研磨设备10)。在研磨设备10中，可以打薄衬底。将注意研磨设备10仅为可用于在施加脱模剂之前的衬底处理的设备的一个示例(见下文)，并且在其它实施例中，其它种类的处理(例如蚀刻)可以附加地或者备选地出现。也如图1中的箭头所示，可以向研磨设备10供应衬底。这些衬底可以是未处理的衬底或者已经经历先前处理的衬底。在一些实施例中，衬底可以是半导体晶片，例如硅晶片。在一些实施例中，可以在衬底上形成半导体器件。 在更多其它实施例中，可以省略研磨设备10，并且可以向一个或者多个脱模剂施加设备11 (在下文中简称为脱模剂施加设备11)直接供应处理或者未处理的衬底。脱模剂施加设备11向衬底的一个或者多个部分施加脱模剂(即有助于层分离的物质)。例如可以使用基于氟硅氧烷(fluorosilicone)或者含氟聚合物的脱模剂。在一些实施例中，脱模剂可以是例如对紫外线辐射敏感的辐射敏感材料。 为了向衬底的希望的部分施加脱模剂，可以使用常规技术。例如可以使用喷嘴向希望的部分施加脱模剂。备选地，可以向衬底施加并且然后在希望的部分处从衬底去除光刻胶，并且此后可以例如通过旋涂向整个衬底施加脱模剂。在剩余光刻胶被溶解之后，从除了希望的部分之外的部分去除脱模剂。也可以运用其它技术。 在脱模剂施加设备11已经施加脱模剂之后，一个或者多个传送设备12 (在下文中简称为传送设备12)向载体(例如粘合带)传送衬底。在传送之后，一个或者多个去除设备(在下文中称为去除设备13)用于从载体去除衬底的先前已经向其施加脱模剂的一个或者多个部分。为此，去除设备13可以例如在脱模剂对紫外线光敏感的情况下包括紫外线光源。 在去除设备13已经去除衬底的部分之后，如箭头所示，可以进一步处理，例如向客户装运剩余衬底。 在图2中，示出了如下流程图，该流程图图示根据一个实施例的方法。尽管参照图2描述某些动作或者事件，但是应当注意用于处理衬底的附加动作或者事件可以在参照图2描述的动作或者事件之前、之后和/或之间发生。可以使用图1的装置来实施、但是也可以使用其它装置来实施图2的方法。 在20，向衬底的一个或者多个部分(例如向半导体晶片的部分)施加脱模剂。半导体晶片可以例如是在研磨带上的切分的晶片。脱模剂可以例如包括如以上描述的氟硅氧烷或者含氟聚合物，但不限于此。 在21，向载体(例如粘合带或者具有粘合本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：向衬底的至少一个部分施加脱模剂；向载体传送所述衬底；并且从所述载体去除所述衬底的所述至少一个部分。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：A·科勒，F·玛利亚尼，K·乌明格，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE