液晶面板、显示装置及液晶面板的制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及液晶显示技术领域，公开了一种液晶面板、显示装置及液晶面板的制作方法，所述液晶面板的制作方法包括：在第一基板上形成覆盖基板面且沿第一方向取向的第一取向层；在所述第一取向层上形成沿第二方向取向的第二取向层，所述第二取向层为具有设定螺距的硅氧烷侧链液晶弹性体，所述第二取向层对应每个列像素区具有至少一个贯穿所述列像素区的取向单元，每个所述取向单元的宽度小于所述列像素区的宽度；将第二基板和第一基板真空对盒。采用本发明专利技术液晶面板的制作方法，无需在单个像素区内进行多次摩擦，仅需制作两层取向方向不同的取向层就可以实现多畴显示，大大简化了制作工艺。

【技术实现步骤摘要】
液晶面板、显示装置及液晶面板的制作方法
本专利技术涉及液晶显示
，特别是涉及一种液晶面板、显示装置及液晶面板的制作方法。
技术介绍
在平板显示装置中，薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、制造成本相对较低和无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。常见的液晶显示器可用作手机显示屏、NoteBook显示屏、GPS显示屏、液晶电视的显示屏等。随着科学技术的进步，传统的单畴液晶显示器由于对比度低、视角不对称、不同角度观看显示画面会出现色偏等缺点，已经不能满足人们对液晶显示器的要求。多畴显示技术逐步发展起来，多畴显示器具有改善液晶显示器的视角不对称性、增大视角、提高对比度、改善灰阶逆转、有效改善色偏等优点。为实现液晶显示器的多畴化显示，许多研究者对其进行了研究。传统的多畴显示器是将液晶显示器中一个像素划分为四个子像素，然后在四个子像素区域内分别制作不同摩擦取向方向的取向层使液晶分子形成不同的初始排列，在施加电压过程中形成多畴态，进而实现多畴显示。但是该方法需要在一个像素内对取向层进行多次摩擦，制作过程复杂，另外，在同一像素区进行多次摩擦的摩擦辊的制作难度大，进而使得该工艺难度较高，不易实现。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种液晶面板、显示装置及液晶面板的制作方法，用以简化多畴液晶面板的制作过程，降低多畴液晶面板的制作工艺难度。本专利技术实施例首先提供一种液晶面板的制作方法，该制作方法包括：在第一基板上形成覆盖基板面且沿第一方向取向的第一取向层；在所述第一取向层上形成沿第二方向取向的第二取向层，所述第二取向层为具有设定螺距的硅氧烷侧链液晶弹性体，所述第二取向层对应每个列像素区具有至少一个贯穿所述列像素区的取向单元，每个所述取向单元的宽度小于所述列像素区的宽度；将第二基板和第一基板真空对盒。在本专利技术技术方案中，通过在第一取向层上形成与第一取向层取向方向不同的硅氧烷侧链液晶弹性体的第二取向层，第二取向层的取向单元贯穿列像素区，使得在一个像素区内，与第一取向层直接接触的液晶分子按第一方向初始排列，而直接接触硅氧烷侧链液晶弹性体的第二取向层的液晶分子则按第二取向层表面分子的第二方向初始排列，从而在一个像素区内形成多个液晶分子的初始排列，实现液晶面板的多畴显示；采用本专利技术液晶面板的制作方法，无需在单个像素区内进行多次摩擦，仅需制作两层取向方向不同的取向层就可以实现多畴显示，大大简化了制作工艺；另外，现有的在同一个像素区进行多次摩擦，对摩擦辊的制作难度大，使得生产工艺难度较大，而本专利技术的技术方案仅需制作覆盖基板面的第一取向层，再制作贯穿每个列像素区的第二取向层的至少一个取向单元，制作工艺简单。优选的，在所述第一取向层上形成沿第二方向取向的第二取向层具体包括：在所述第一取向层上通过掩膜板涂覆硅氧烷侧链液晶弹性体，所述掩膜板具有与每个所述取向单元对应的开口；对涂覆有硅氧烷侧链液晶弹性体的第一基板加热至设定的温度，使得硅氧烷侧链液晶弹性体形成设定的螺距；对加热后的第一基板进行速冷至室温，使得硅氧烷侧链液晶弹性体形成沿第二方向取向的第二取向层。通过在第一取向层上利用掩膜板涂覆一层硅氧烷侧链液晶弹性体，在设定温度加热使其形成一定的螺距，然后将其速冷至室温，由于硅氧烷侧链液晶弹性体所具有的弹性体性质及其网络结构，其在高温下的排列被保持，从而在第一取向层上形成具有一定排列的取向方向与第一取向层取向方向不同的硅氧烷侧链液晶弹性体的第二取向层。另外，本专利技术采用的硅氧烷侧链液晶弹性体的螺旋扭曲力较大，且具有较强的温度依赖性，有利于第二取向层取向方向的调节；由于硅氧烷侧链液晶弹性体本身具有网络结构，不需要聚合，使得第二取向层的制作方法简单。硅氧烷侧链液晶弹性体可以有多种化学结构，优选的，所述硅氧烷侧链液晶弹性体通过式I所示的液晶性单体和式II所示的交联剂在式III所示的聚甲基氢硅氧烷上接枝得到：其中，式I中k选自3～9任一整数，式II中n选自3～9任一整数，式III中m选自4～30任一整数，式I所示的液晶性单体和式II所示的交联剂的摩尔比为1:9～9:1。更优选的，式I中k为3，式II中n为3，式III中m为4，式I所示的液晶性单体和式II所示的交联剂的摩尔比为1:6～3:2。第一取向层采用常规的取向层即可，例如采用摩擦的方法或光取向的方法制作。本专利技术实施例还提供一种液晶面板，包括对盒的第一基板和第二基板，以及设置于所述第一基板和所述第二基板之间的液晶层，所述第一基板具有朝向所述液晶层一面的取向层，所述取向层包括：覆盖基板面且沿第一方向取向的第一取向层；位于所述第一取向层朝向所述液晶层一面的沿第二方向取向的第二取向层，所述第二取向层为具有设定螺距的硅氧烷侧链液晶弹性体，所述第二取向层对应每个列像素区具有至少一个贯穿所述列像素区的取向单元，每个所述取向单元的宽度小于所述列像素区的宽度。在本专利技术技术方案中，通过在第一基板的第一取向层上形成一层具有一定排列的取向方向与第一取向层取向方向不同的硅氧烷侧链液晶弹性体的第二取向层，使得在一个像素区内，和第一取向层直接接触的液晶分子，按其取向方向初始排列；而直接接触硅氧烷侧链液晶弹性体的第二取向层的液晶分子则按第二取向层表面分子的排列方向初始排列，从而在一个像素区内形成多个液晶分子的初始排列，实现液晶多畴显示。优选的，所述硅氧烷侧链液晶弹性体通过式I所示的液晶性单体和式II所示的交联剂在式III所示的聚甲基氢硅氧烷上接枝得到：其中，式I中k选自3～9任一整数，式II中n选自3～9任一整数，式III中m选自4～30任一整数，式I所示的液晶性单体和式II所示的交联剂的摩尔比为1:9～9:1。更有选的，式I中k为3，式II中n为3，式III中m为4，式I所示的液晶性单体和式II所示的交联剂的摩尔比为1:6～3:2。优选的，所述第一取向层为摩擦取向层或光取向层。第一取向层采用常规的制作方法得到，例如采用摩擦的方法得到的摩擦取向层，也可以为光取向的方法得到的光取向层。本专利技术实施例还提供一种显示装置，包括上述任一种所述的液晶面板。在本专利技术显示装置中，由于上述任一种液晶面板可以形成多畴显示，制作工艺简单，因此，显示装置也可以实现多畴显示，制作工艺简单。附图说明图1为本专利技术一实施例提供的液晶面板结构的制作方法的流程示意图；图2为图1所示的步骤102的具体流程示意图；图3为图1所示的步骤101的具体流程示意图；图4为本专利技术一实施例提供的液晶面板的结构示意图；图5为图4所示的液晶面板的第二取向层用硅氧烷侧链液晶弹性体的化学结构示意图；图6a为本专利技术第一实施例提供的液晶面板中的第一基板的结构示意图；图6b为图6a所示的A区的放大结构示意图；图7a为本专利技术第二实施例提供的液晶面板中的第一基板的结构示意图；图7b为图7a所示的A区的放大结构示意图；图8a为本专利技术第三实施例提供的液晶面板中的第一基板的结构示意图；图8b为图8a所示的A区的放大结构示意图；图9为第二取向层的取向方向相对第一取向层的取向方向的扭转角随第二取向层的膜层厚度的变化曲线图；图10a为第二取向层的取向方向与第一取向层的取向方向相差90度的液晶面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶面板的制作方法，其特征在于，包括：在第一基板上形成覆盖基板面且沿第一方向取向的第一取向层；在所述第一取向层上形成沿第二方向取向的第二取向层，所述第二取向层为具有设定螺距的硅氧烷侧链液晶弹性体，所述第二取向层对应每个列像素区具有至少一个贯穿所述列像素区的取向单元，每个所述取向单元的宽度小于所述列像素区的宽度；将第二基板和第一基板真空对盒。

【技术特征摘要】
1.一种液晶面板的制作方法，在第一基板上形成覆盖基板面且沿第一方向取向的第一取向层；在所述第一取向层上形成沿第二方向取向的第二取向层，其特征在于，包括：所述第二取向层为具有设定螺距的硅氧烷侧链液晶弹性体，所述第二取向层对应每个列像素区具有至少一个贯穿所述列像素区的取向单元，每个所述取向单元的宽度小于所述列像素区的宽度；将第二基板和第一基板真空对盒。2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第一取向层上形成沿第二方向取向的第二取向层具体包括：在所述第一取向层上通过掩膜板涂覆硅氧烷侧链液晶弹性体，所述掩膜板具有与每个所述取向单元对应的开口；对涂覆有硅氧烷侧链液晶弹性体的第一基板加热至设定的温度，使得硅氧烷侧链液晶弹性体形成设定的螺距；对加热后的第一基板进行速冷至室温，使得硅氧烷侧链液晶弹性体形成沿第二方向取向的第二取向层。3.如权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述硅氧烷侧链液晶弹性体通过式I所示的液晶性单体和式II所示的交联剂在式III所示的聚甲基氢硅氧烷上接枝得到：其中，式I中k选自3～9任一整数，式II中n选自3～9任一整数，式III中m选自4～30任一整数，式I所示的液晶性单体和式II所示的交联剂的摩尔比为1:9～9:1。4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于，式I中k为3，式II中n为3，式III中m...

【专利技术属性】
技术研发人员：武晓娟，车春城，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11