修正辅助图案的方法技术

本发明专利技术提供一种修正辅助图案的方法，包括下列步骤。首先，由一计算机系统接收一第一布局图案，并将第一布局图案分割为多个第一区域。接着，添加多个辅助图案于第一布局图案中以形成一第二布局图案，且定义相邻任一第一区域的任一边线的至少一辅助图案为一选取图案，随后，将第二布局图案分割为多个第二区域。最后，对具有选取图案的第二区域进行一检测步骤，且修正第二布局图案以形成一已修正的第二布局图案。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种，包括下列步骤。首先，由一计算机系统接收一第一布局图案，并将第一布局图案分割为多个第一区域。接着，添加多个辅助图案于第一布局图案中以形成一第二布局图案，且定义相邻任一第一区域的任一边线的至少一辅助图案为一选取图案，随后，将第二布局图案分割为多个第二区域。最后，对具有选取图案的第二区域进行一检测步骤，且修正第二布局图案以形成一已修正的第二布局图案。【专利说明】
本专利技术是关于一种，尤指一种在光学邻近修正(opticalproximity correct1n, 0PC)方法修正原始布局图案之前,先行。
技术介绍
由于电子产品及其周边产品是朝轻薄短小方向发展，在半导体制程中，元件缩小化与积集化是必然的趋势，也是各界积极发展的重要课题，其中微影技术(lithography)是决定元件性能的关键技术。 现行的半导体制程是先将集成电路(integrated circuits)的布局图案形成于一光罩上，随后将光罩上的图案藉由曝光与显影步骤，以一定比例转移到半导体芯片上的光阻层中，并进一步配合相关的蚀刻制程，将元件逐步形成于半导体芯片上。随着集成电路的积集度的提升，元件尺寸缩小，元件与元件间的距离也随之缩小。然而，由于光学邻近效应(optical proximity effect, ΟΡΕ)等因素的影响,上述元件的距离在曝光制程中已面临到其极限。举例来说，为了得到微小尺寸的元件，光罩的透光区的间隔(Pitch)将配合元件尺寸而缩小，但若透光区之间的间隔缩小至特定范围时(曝光波长为1/2或以下时)，通过光罩的光线会发生绕射、干涉等现象，进而影响转移后图案的分辨率，使得光阻上的图形产生偏差(deviat1n),例如直角转角圆形化(right-angled corner rounded)、直线末端紧缩(line end shortened)以及直线线宽增加或缩减(line width increase/decrease)等,都是常见的光学邻近效应所导致的光阻图案缺陷。 为了解决上述的问题，已知技术藉由在光罩上集成电路的布局图案之间形成辅助图案(assist pattern)例如:虚置图案(dummy pattern)或分散条(scattering bar),以减少光阻图案缺陷的发生。而如何形成合适的辅助图案，以进一步于目标层中形成预期的布局图案实为相关技术者所欲改进的课题。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于提供一种，以提高光罩图案的正确度，进而形成预期的布局图案。 本专利技术的一较佳实施例是提供一种，包括下列步骤。首先，由一计算机系统接收一第一布局图案，并将第一布局图案分割为多个第一区域。接着，添加多个辅助图案于第一布局图案中以形成一第二布局图案，且定义相邻任一第一区域的任一边线的至少一辅助图案为一选取图案，随后，将第二布局图案分割为多个第二区域。最后，对具有选取图案的第二区域进行一检测步骤，且修正第二布局图案以形成一已修正的第二布局图案。 本专利技术的特点在于，对布局图案进行光学邻近修正运算之前，先对布局图案进行两次的分割运算，以改善添加的辅助图案的正确性。更详细地说，首先，对布局图案进行第一次分割以形成多个第一区域，并选择相邻第一区域的边界的辅助图案作为选取图案；接着，进行第二次分割，例如:扩大包含选取图案的第一区域或平移此第一区域以形成第二区域，使第二区域的边界未重迭选取图案，且第二区域包含的图案不同于第一区域包含的图案，以进一步确认选取图案与相邻图案(尤指原先此第一区域未包含的辅助图案)的相对关系。据此，可避免不适当的辅助图案的设置，提高光罩图案的正确度，以形成预期的布局图案。 【专利附图】【附图说明】 图1绘示了本专利技术的一较佳实施例的的流程图。 图2至图9绘示了本专利技术的一较佳实施例的的示意图。 图10绘示了本专利技术的一较佳实施例的的流程图。 10，12，14，16，18，20，22，24，步骤 26，28，30，301，302，303，304 100第一布局图案 102，104第一区域 106第二布局图案 108,110已修正的第二布局图案 112,114已修正的第一布局图案 202，204，202’，204’ 第二区域 Dl水平方向I间距 IP端点 L1，L2，L3，L4边线 Pl图案ΡΓ辅助图案 P1”修正后的辅助图案 Pu, sr已修正的子辅助图案 P2判别图案P2’已修正的判别图案 P3，P4已修正的辅助图案 SI, S2, S3选取图案 W宽度 【具体实施方式】 为使熟悉本专利技术所属
的一般技艺者能更进一步了解本专利技术，下文特列举本专利技术的较佳实施例，并配合所附图式，详细说明本专利技术的构成内容及所欲达成的功效。 请参考图1。图1绘示了本专利技术的一较佳实施例的的流程图。如图1所示，首先，进行步骤10，由一计算机系统接收一第一布局图案，第一布局图案是指后续欲转移至一光罩或半导体芯片上的一材料层(图未示)例如:光阻层的理想图案，其包含多个可转印性图案(printable feature),且该等可转印性图案又可包任何用以构成集成电路(integrated circuits, IC)的特征图案例如掺杂区图案、元件图案、电路的布局图案(layout)等。随着集成电路的特征图案的复杂度与积集度的增加，为降低计算机系统的运算负荷及后续步骤的运算时间，可进行步骤12，先由一计算机系统将第一布局图案分割为多个第一区域，例如:当第一布局图案为一矩形图案，将第一布局图案分割成大小相同的多个矩形第一区域，然后，再将多个第一区域分别输入至其它计算机系统，以多个计算机系统同时进行后续的处理步骤，节省运算处理时间。在一实施例中，当第一布局图案为一边长100微米(micrometer, μ m)的正方形,是将第一布局图案分割为100个成矩阵排列的第一区域，且各第一区域为一边长10微米的正方形。 由于第一布局图案中可转印性图案与相邻的另一可转印性图案的间距不一定相同，因此，若直接将第一布局图案形成于光罩上，并使用该光罩进行后续的微影制程，部分可转印性图案的两侧的透光量将可能有所不同，也就是说，部分形成于材料层上的图案将发生偏移或形变的现象，因此，为提高第一布局图案转移至材料层上的正确性，将进行步骤14,添加多个辅助图案于第一布局图案中以形成一第二布局图案。辅助图案为一非可转印性图案(non-printable feature),更详细地说，当使用具有第一布局图案以及该些辅助图案的光罩对晶圆上的一感光的材料层进行一微影制程时，仅有对应第一布局图案的图案会形成于材料层上，而对应辅助图案的图案将不会形成于材料层上。在一实施例中，第一布局图案包含多个矩形图案，且添加的辅助图案的形状与第一布局图案的图案相类似，以均匀化第二布局图案的图案密集度，也就是说，当光源通过具有第二布局图案的光罩时，第二布局图案的各可转印性图案的两侧的透光量将较为一致，以于后续进行微影制程时，能在材料层上形成预期的布局图案。辅助图案的尺寸、形状、数量与排列方式均可根据制程需求进行调整，此外，辅助图案的尺寸范围与排列方式均需符合辅助图案的制程规则检测(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种修正辅助图案的方法，包括：由一计算机系统接收一第一布局图案；将该第一布局图案分割为多个第一区域；添加多个辅助图案于该第一布局图案中以形成一第二布局图案，且定义相邻任一该第一区域的任一边线的至少一该辅助图案为一选取图案；将该第二布局图案分割为多个第二区域；对具有该选取图案的该第二区域进行一检测步骤；以及修正该第二布局图案以形成一已修正的第二布局图案。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴宗晔，林金隆，范耀仁，简韦瀚，蔡佳君，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71