【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上制备非晶硅层；采用等离子体工艺于所述非晶硅层上制备氧化硅层；对所述非晶硅层进行激光多晶硅化工艺。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：彭思君，吴建宏，刘冲，严晓龙，
申请(专利权)人：上海和辉光电有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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