一种低热导率的Mg2Si0.2Ge0.1Sn0.7基热电材料制造技术

本发明专利技术公开了一种低热导率的Mg2Si0.2Ge0.1Sn0.7基热电材料，涉及热电材料，通过向Mg2Si0.2Ge0.1Sn0.7基热电材料中掺杂Ge元素，降低了Mg2Si0.3Sn0.7晶格热导率，从而提高Mg2Si0.3Sn0.7基热电材料的ZT值。本发明专利技术Ge掺杂的Mg2Si0.3Sn0.7基热电材料的热电性能优于现有的Mg2Si0.3Sn0.7材料，其机理是Ge原子和Si原子间、Ge原子与Sn原子间的质量差与原子半径差可阻碍热传导，降低材料的晶格热导率，从而提高材料的热电性能，填补了用Ge元素掺杂的Mg2Si0.3Sn0.7基热电材料的空白，工艺简单，成本较低。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种低热导率的Mg2Si0.2Ge0.1Sn0.7基热电材料，其特征在于：通过向Mg2Si0.2Ge0.1Sn0.7基热电材料中掺杂Ge元素，降低了Mg2Si0.3Sn0.7晶格热导率，从而提高Mg2Si0.3Sn0.7基热电材料的ZT值。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杜正良，
申请(专利权)人：宁波工程学院，
类型：发明
国别省市：浙江;33