本实用新型专利技术公开了一种抑制过电压的保护电路，包括包括储能电容、开关管和薄膜电容，所述储能电容和所述开关管串联，所述储能电容和所述开关管之间与所述薄膜电容的第一端连接，所述薄膜电容的第二端与氙灯连接。本实用新型专利技术通过设置在储能电容和开关管之间的薄膜电容减少了功率开关管两端电压过冲，安全可靠，运行稳定，与传统的吸收电路相比，具有制作成本低，占用空间小，效率高，制造工艺简单等优点。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种抑制过电压的保护电路，包括包括储能电容、开关管和薄膜电容，所述储能电容和所述开关管串联，所述储能电容和所述开关管之间与所述薄膜电容的第一端连接，所述薄膜电容的第二端与氙灯连接。本技术通过设置在储能电容和开关管之间的薄膜电容减少了功率开关管两端电压过冲，安全可靠，运行稳定，与传统的吸收电路相比，具有制作成本低，占用空间小，效率高，制造工艺简单等优点。【专利说明】—种抑制过电压的保护电路
本技术涉及一种保护电路，尤其涉及到一种抑制过电压的保护电路。
技术介绍
吸收电路又称缓冲电路，在电力半导体器件的应用技术中起着重要的作用。因为电力半导体器件的可靠性与它在电路中承受的各种应力(电的、热的)有关，所承受的应力越低工作可靠性越高。电力半导体器件开通时流过很大的电流，阻断时承受很高的电压；尤其在开关转换瞬间，电路中各种储能元件的能量释放会导致器件经受很大的冲击，可能超过器件的安全工作区而导致损坏。缓冲电路的主要作用是用来减少大功率器件漏源极之间的浪涌电压即过电压尖峰，减少器件的开关损耗，充分利用开关管的功率极限。吸收电路将开关损耗从器件本身转移至缓冲器上，目的是使功率器件损耗减少，保证安全工作，但总的开关损耗并未减少。一般来讲在大功率激光电源中，脉冲瞬间放电高达300A-600A,导通时di/dt很大，关断时dv/dt很大，在无缓冲吸收电路保护的情况下，在开关管的C与E极之间的会出现很高的尖峰电压。 一般来讲在大功率激光电源中，脉冲瞬间放电高达300A-600A，导通时di/dt很大，关断时dv/dt很大，在无缓冲吸收电路保护的情况下，在开关管的C与E极之间的会出现很高的尖峰电压，传统吸收电路即有RDC构成，(如图1所示)，采用吸收电路将开关损耗从器件本身转移至缓冲器上，目的是使功率器件损耗减少，保证安全工作，但总的开关损耗并未减少。但这种电路存在致命的缺点:需要多个器件组即R组，D组，C组来完成；成本高，制造工艺复杂，体积大，发热量大所以效率低，当工作频率过高时，吸收电路很容易过热而损坏进而造成大功率开关管爆炸。
技术实现思路
本技术的目的就在于为了解决上述问题而提供一种结构简单，实用方便的抑制过电压的保护电路。 本技术通过以下技术方案来实现上述目的: 本技术包括包括储能电容、开关管和薄膜电容，所述储能电容和所述开关管串联，所述储能电容和所述开关管之间与所述薄膜电容的第一端连接，所述薄膜电容的第二端与氙灯连接。 进一步地，所述开关管的过压为300V。 本技术的有益效果在于: 本技术通过设置在储能电容和开关管之间的薄膜电容减少了功率开关管两端电压过冲，安全可靠，运行稳定，与传统的吸收电路相比，具有制作成本低，占用空间小，效率高，制造工艺简单等优点。 【专利附图】【附图说明】 图1是传统电路结构示意图。 图2是本技术的电路等效结构示意图。 【具体实施方式】 下面结合附图对本技术作进一步说明: 如图2所示，本技术包括包括储能电容、开关管和薄膜电容，所述储能电容和所述开关管串联，所述储能电容和所述开关管之间与所述薄膜电容的第一端连接，所述薄膜电容的第二端与氙灯连接。 快恢复二极管Dl的正向导通时间以及与L、D2、氙灯建立续流的时间非常短，所以由D1、L、D2、氙灯构成的回路就基本解决了由L及其后段杂散电感引起的电压尖峰即过压，由引线AB与⑶引起的杂散电感Ldl和Ld2产生的过压为(Ldl+Ld2)* (di/dt)。如果开关管的电流由300A在100ns时间内下降到0，(Ldl+Ld2)为I微亨，由以上公式算出过压为300V，可见微小的杂散电感就会在对开关管产生致命的危害，因此可见关键的问题就是减小储能电容到开关管之间的引线AB与CD所产生的杂散电感Ldl与Ld2，可以通过减少引线长度与加粗引线直接减小储能电容两端到开关管之间即AB与CD段引线的杂散电感Ldl与Ld2。 以上仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围内。【权利要求】1.一种抑制过电压的保护电路，包括储能电容和开关管，所述储能电容和所述开关管串联，其特征在于:还包括薄膜电容，所述储能电容和所述开关管之间与所述薄膜电容的第一端连接，所述薄膜电容的第二端与氙灯连接。2.根据权利要求1所述的一种抑制过电压的保护电路，其特征在于:所述开关管的过压为300V。【文档编号】H02H9/04GK203951182SQ201420383597【公开日】2014年11月19日 申请日期:2014年7月13日 优先权日:2014年7月13日 【专利技术者】韩勇进 申请人:厦门法博科技有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种抑制过电压的保护电路，包括储能电容和开关管，所述储能电容和所述开关管串联，其特征在于：还包括薄膜电容，所述储能电容和所述开关管之间与所述薄膜电容的第一端连接，所述薄膜电容的第二端与氙灯连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：韩勇进，
申请(专利权)人：厦门法博科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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