本发明专利技术公开了一种高性能功率型LED散热基板材料的制备方法,包括以下步骤:(1)将滑石粉和粘接剂以1:5-10的体积比,混合均匀,采用冷等静压工艺压制成型,在真空条件下去除粘结剂,得到半成品;(2)用铜粉包覆半成品,装入模具,放入放电等离子烧结炉中进行放电等离子烧结,然后进行退火,冷却,取样脱模;(3)将样品放入热等静压烧结炉中进行热等静压烧结,然后进行退火,冷却,即得LED散热基板材料。本发明专利技术采用滑石粉和铜混合制备的功率型LED散热基板材料,具有优异的电绝缘性、稳定性、导热性和较小的热膨胀系数,而且平整性高、强度高,致密度达到97%。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种高性能功率型LED散热基板材料的制备方法,包括以下步骤:(1)将滑石粉和粘接剂以1:5-10的体积比,混合均匀,采用冷等静压工艺压制成型,在真空条件下去除粘结剂,得到半成品;(2)用铜粉包覆半成品,装入模具,放入放电等离子烧结炉中进行放电等离子烧结,然后进行退火,冷却,取样脱模;(3)将样品放入热等静压烧结炉中进行热等静压烧结,然后进行退火,冷却,即得LED散热基板材料。本专利技术采用滑石粉和铜混合制备的功率型LED散热基板材料,具有优异的电绝缘性、稳定性、导热性和较小的热膨胀系数,而且平整性高、强度高,致密度达到97%。【专利说明】一种高性能功率型LED散热基板材料的制备方法
本专利技术涉及LED封装材料
,尤其涉及一种高性能功率型LED散热基板材 料的制备方法。
技术介绍
LED是一种固态半导体组件,具有高效节能、绿色环保和使用寿命长等等显著特 点,广泛应用于信号指示、照明、背光源等电路中。作为继白炽灯、日光灯、高压气体灯后的 第四代光源,LED在照明市场上应用前景尤其备受各国瞩目。 对于功率型LED,在系统散热方面,选择合适的基板,对其散热性和可靠性具有重 要影响,功率型LED散热基板材料要求具有高电绝缘性、高稳定性、高导热性及芯片匹配的 热膨胀系数、平整性和较高的强度。目前常用的基板材料有硅、金属、陶瓷等,但硅和陶瓷材 料加工困难,成本高,金属材料的热膨胀系数与LED晶粒不匹配,在使用过程中将产生热应 力和翘曲,难以满足高密度封装的要求。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术的不足,提供一种高性能功率型LED散热基板材料 的制备方法。 为了实现上述目的本专利技术采用如下技术方案: -种高性能功率型LED散热基板材料的制备方法,包括以下制备步骤: (1)将滑石粉和粘接剂以1 :5-10的体积比,混合均勻,采用冷等静压工艺压制成 型,然后在真空条件下去除粘结剂,得到半成品; (2)用铜粉包覆半成品,装入模具,放入放电等离子烧结炉中进行放电等离子烧 结,先抽真空20-50分钟,加压30-80MPa,先升温至400-600°C,保温2-3小时,再升温在 800-1000°C,保温10-20分钟,然后进行退火,先冷却到400-600°C,保温3-5小时,再自然冷 却,最后取样脱模; (3)将步骤(2)制备的样品放入热等静压烧结炉中进行热等静压烧结,先在氩气 氛围下,加压至200-300MPa,温度升至800-1000°C,保温3-5小时,然后进行退火,先冷却到 400-600°C,保温3-5小时,再自然冷却,即得LED散热基板材料。 步骤(2)中铜粉与半成品的体积比为3:7-7:3。 所述滑石粉的颗粒大小为50-300um,铜粉的颗粒大小为80-200um。 本专利技术最后制的成品外围由铜包裹,中心主体部分是滑石/铜的复合材料。 与已有技术相比,本专利技术的有益效果如下: (1)本专利技术采用滑石粉和铜混合制备的功率型LED散热基板材料,具有优异的电 绝缘性、稳定性、导热性和较小的热膨胀系数,而且平整性高、强度高,致密度达到97%,在 使用过程中不会产生热应力和翘曲,可以满足高密度封装的要求,用于封装的白光LED,发 光稳定,光衰小,寿命长。 (2)制备过程中采用退火工艺可以消除残余应力,避免产品产生变形和裂纹,提高 颗粒间的结合力。 (3)采用热等静压再烧结的方法,提升了基板材料的致密性和结合度。 【具体实施方式】 以下结合实施例对本专利技术作进一步的说明,但本专利技术不仅限于这些实施例,在未 脱离本专利技术宗旨的前提下,所作的任何改进均落在本专利技术的保护范围之内。 实施例1 : 一种高性能功率型LED散热基板材料的制备方法,包括以下制备步骤: (1)将粒径为50um的滑石粉和粒径为200um的粘接剂以1 :5的体积比,混合均匀, 采用冷等静压工艺压制成型,然后在真空条件下去除粘结剂,得到半成品; (2)用铜粉包覆半成品,铜粉与半成品的体积比为3:7,装入模具,放入放电等离 子烧结炉中进行放电等离子烧结,先抽真空20分钟,加压50MPa,先升温至400°C,保温3小 时,再升温在800°C,保温20分钟,然后进行退火,先冷却到400°C,保温5小时,再自然冷 却,最后取样脱模; (3)将步骤(2)制备的样品放入热等静压烧结炉中进行热等静压烧结,先在氩气 氛围下,加压至200MPa,温度升至8000°C,保温5小时,然后进行退火,先冷却到400°C,保温 5小时,再自然冷却,即得LED散热基板材料。 本实施例制备的功率型LED散热基板材料性能优良,致密度为97%,导热率达到 45〇W(m · k)。 实施例2 : -种高性能功率型LED散热基板材料的制备方法,包括以下制备步骤: (1)将粒径为100um的滑石粉和粒径为100um的粘接剂以1 :8的体积比,混合均 匀,采用冷等静压工艺压制成型,然后在真空条件下去除粘结剂,得到半成品; (2)用铜粉包覆半成品,铜粉与半成品的体积比为5:5,装入模具,放入放电等离 子烧结炉中进行放电等离子烧结,先抽真空30分钟,加压60MPa,先升温至500°C,保温3小 时,再升温在900°C,保温15分钟,然后进行退火,先冷却到500°C,保温4小时,再自然冷 却,最后取样脱模; (3)将步骤(2)制备的样品放入热等静压烧结炉中进行热等静压烧结,先在氩气 氛围下,加压至250MPa,温度升至900°C,保温4小时,然后进行退火,先冷却到500°C,保温 4小时,再自然冷却,即得LED散热基板材料。 本实施例制备的功率型LED散热基板材料性能优良,致密度为99%,导热率达到 55〇W(m · k)。 实施例3 : 一种高性能功率型LED散热基板材料的制备方法,包括以下制备步骤: (1)将粒径为200um的滑石粉和粒径为80um以1 :10的体积比,混合均匀,采用冷 等静压工艺压制成型,然后在真空条件下去除粘结剂,得到半成品; (2)用铜粉包覆半成品,铜粉与半成品的体积比为7:3,装入模具,放入放电等离 子烧结炉中进行放电等离子烧结,先抽真空50分钟,加压80MPa,先升温至600°C,保温3小 时,再升温在1000°C,保温10分钟,然后进行退火,先冷却到600°C,保温5小时,再自然冷 却,最后取样脱模; (3)将步骤⑵制备的样品放入热等静压烧结炉中进行热等静压烧结,先在氩气 氛围下,加压至300MPa,温度升至1000°C,保温3小时,然后进行退火,先冷却到600°C,保温 5小时,再自然冷却,即得LED散热基板材料。 本实施例制备的功率型LED散热基板材料性能优良,致密度为98%,导热率达到 50(W(m · k)。【权利要求】1. 一种高性能功率型LED散热基板材料的制备方法,其特征在于:包括以下制备步 骤: (1) 将滑石粉和粘接剂以1 :5-10的体积比,混合均匀,采用冷等静压工艺压制成型,然 后在真空条件下去除粘结剂,得到半成品; (2) 用铜粉包覆半成品,装入模具,放入本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种高性能功率型LED散热基板材料的制备方法,其特征在于:包括以下制备步骤:(1)将滑石粉和粘接剂以1:5‑10的体积比,混合均匀,采用冷等静压工艺压制成型,然后在真空条件下去除粘结剂,得到半成品;(2)用铜粉包覆半成品,装入模具,放入放电等离子烧结炉中进行放电等离子烧结,先抽真空20‑50分钟,加压30‑80MPa,先升温至400‑600℃,保温2‑3小时,再升温在800‑1000℃,保温10‑20分钟,然后进行退火,先冷却到400‑600℃,保温3‑5小时,再自然冷却,最后取样脱模;(3)将步骤(2)制备的样品放入热等静压烧结炉中进行热等静压烧结,先在氩气氛围下,加压至200‑300MPa,温度升至800‑1000℃,保温3‑5小时,然后进行退火,先冷却到400‑600℃,保温3‑5小时,再自然冷却,即得LED散热基板材料。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:沈金鑫,
申请(专利权)人:铜陵国鑫光源技术开发有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽;34
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