一种掩膜板的清洗方法技术

技术编号:10659468 阅读:169 留言:0更新日期:2014-11-19 19:17
本发明专利技术公开了一种掩膜板的清洗方法,包括以下步骤:将掩膜板浸泡在丙酮中,同时用滚筒刷对掩膜板的表面从各个方向进行滚动刷洗;再将掩膜板浸泡在去离子水中进行超声清洗;重复以下步骤5次:将掩膜板放入气体和液体的强力混合流体中进行清洗后,再将掩膜板放入流动的去离子水中进行冲洗;最后将掩膜板用气体吹干。本发明专利技术方法采用丙酮并配以聚乙烯醇材质的滚筒刷来代替SPM溶液,清洗效果与现有SPM溶液清洗方法相当,但是由于丙酮不会与Cr发生化学反应,它只是将光刻胶等杂质去除而不会将掩膜板上的图形破坏,因此减少了因清洗而对掩膜板造成的损伤,从而提高掩膜板的寿命,降低企业的生产成本。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了,包括以下步骤:将掩膜板浸泡在丙酮中,同时用滚筒刷对掩膜板的表面从各个方向进行滚动刷洗;再将掩膜板浸泡在去离子水中进行超声清洗;重复以下步骤5次:将掩膜板放入气体和液体的强力混合流体中进行清洗后,再将掩膜板放入流动的去离子水中进行冲洗;最后将掩膜板用气体吹干。本专利技术方法采用丙酮并配以聚乙烯醇材质的滚筒刷来代替SPM溶液,清洗效果与现有SPM溶液清洗方法相当,但是由于丙酮不会与Cr发生化学反应,它只是将光刻胶等杂质去除而不会将掩膜板上的图形破坏,因此减少了因清洗而对掩膜板造成的损伤,从而提高掩膜板的寿命,降低企业的生产成本。【专利说明】
本专利技术涉及半导体元器件制造技术,尤其涉及。
技术介绍
现有的清洗掩膜板的方法是将其浸泡在SPM溶液中,SPM溶液即为用浓硫酸和双 氧水按一定比例配成的溶液。其具体步骤为: S1 :配制SPM溶液,并将其加热到所需的温度; S2 :将掩膜板在SPM溶液中浸泡一定时间后取出; S3 :将掩膜板放入气体和液体的强力混合流体中清洗一定时间后取出; S4 :将掩膜板放入流动的去离子水中冲洗一定时间; S5 :重复步骤S3、S4的操作进行5次; S6 :将掩膜板用气体吹干。 上述这种方法的清洗效果很好,清洗后掩膜板的表面很干净。但是由于掩膜板上 的图形是Cr材质,经常用SPM溶液浸泡会使硫酸将Cr腐蚀掉,使图形发生变化而不精确。 因此用这种方法清洗掩膜板,掩膜板的使用次数很少,需要经常更换掩膜板,这样会提高生 产的成本。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的缺陷而提供。 本专利技术的目的是这样实现的: 本专利技术的,包括以下步骤: S1 :将掩膜板浸泡在丙酮中,同时用滚筒刷对掩膜板的表面从各个方向进行滚动 刷洗; S2 :将掩膜板浸泡在去离子水中进行超声清洗; S3 :将掩膜板放入气体和液体的强力混合流体中进行清洗; S4 :将掩膜板放入流动的去离子水中进行冲洗; S5 :重复步骤S3、S4的操作进行5次; S6 :将掩膜板用气体吹干。 上述的,其中,步骤S1中,所述滚筒刷包括滚筒、轴、叉形 支架和手柄,所述滚筒套在所述轴上,所述轴的两端安装在所述叉形支架上,所述手柄安装 在所述叉形支架的下方,所述滚筒由聚乙烯醇(PVA)制成。 在清洗干净的前提下,现有清洗方法主要是通过化学腐蚀并辅以物理方法将掩膜 板上的杂质去除,但这种化学试剂在去除杂质的同时也将掩膜板上的图形损坏,因此长期 使用会导致掩膜板的图形发生变形而不得不更换掩膜板。 本专利技术方法采用丙酮并配以聚乙烯醇(PVA)材质的滚筒刷来代替SPM溶液,在这 种化学腐蚀和物理冲刷和震荡的共同作用下清洗的掩膜板,清洗后掩膜板表面的干净程度 与现有SPM溶液清洗方法相当,但是由于丙酮不会与Cr发生化学反应,它只是将光刻胶等 杂质去除而不会将掩膜板上的图形破坏,因此减少了因清洗而对掩膜板造成的损伤,从而 提高掩膜板的寿命,降低企业的生产成本。 【专利附图】【附图说明】 图1是本专利技术中滚筒刷的结构示意图。 【具体实施方式】 下面将结合实施例,对本专利技术作进一步说明。 本专利技术掩膜板的清洗方法,包括以下步骤: S1 :将掩膜板浸泡在丙酮中,同时用滚筒刷对掩膜板的表面从各个方向进行滚动 刷洗; S2 :将掩膜板浸泡在去离子水中进行超声清洗; S3 :将掩膜板放入气体和液体的强力混合流体中进行清洗; S4 :将掩膜板放入流动的去离子水中进行冲洗; S5 :重复步骤S3、S4的操作进行5次; S6 :将掩膜板用气体吹干。 步骤S1中,如图1所示,滚筒刷包括滚筒1、轴2、叉形支架3和手柄4,滚筒1套在 轴2上,轴2的两端安装在叉形支架3上,手柄4安装在叉形支架3的下方,滚筒1采用聚 乙烯醇(PVA)制成。 以上实施例仅供说明本专利技术之用,而非对本专利技术的限制,有关
的技术人 员,在不脱离本专利技术的精神和范围的情况下,还可以作出各种变换或变型,因此所有等同的 技术方案也应该属于本专利技术的范畴,应由各权利要求所限定。【权利要求】1. ,其特征在于,所述清洗方法包括以下步骤: 51 :将掩膜板浸泡在丙酮中,同时用滚筒刷对掩膜板的表面从各个方向进行滚动刷 洗; 52 :将掩膜板浸泡在去离子水中进行超声清洗; 53 :将掩膜板放入气体和液体的强力混合流体中进行清洗; 54 :将掩膜板放入流动的去离子水中进行冲洗; 55 :重复步骤S3、S4的操作进行5次; 56 :将掩膜板用气体吹干。2. 如权利要求1所述的,其特征在于,步骤S1中,所述滚筒刷包 括滚筒、轴、叉形支架和手柄,所述滚筒套在所述轴上,所述轴的两端安装在所述叉形支架 上,所述手柄安装在所述叉形支架的下方,所述滚筒由聚乙烯醇制成。【文档编号】H01L21/00GK104157546SQ201310173911【公开日】2014年11月19日 申请日期:2013年5月13日 优先权日:2013年5月13日 【专利技术者】陈子勇, 李雪峰, 管玉成, 黄震寰, 赵云翔, 李鑫, 许晓翠, 李方圆, 倪智平 申请人:上海鸿辉光通科技股份有限公司本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种掩膜板的清洗方法,其特征在于,所述清洗方法包括以下步骤:S1:将掩膜板浸泡在丙酮中,同时用滚筒刷对掩膜板的表面从各个方向进行滚动刷洗;S2:将掩膜板浸泡在去离子水中进行超声清洗;S3:将掩膜板放入气体和液体的强力混合流体中进行清洗;S4:将掩膜板放入流动的去离子水中进行冲洗;S5:重复步骤S3、S4的操作进行5次;S6:将掩膜板用气体吹干。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:陈子勇李雪峰管玉成黄震寰赵云翔李鑫许晓翠李方圆倪智平
申请(专利权)人:上海鸿辉光通科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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