【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】“绝缘体上硅”(SOI)型衬底的活性硅层的薄化方法
本专利技术属于制造应用于电子学、光学和/或光电子学领域的衬底的领域。更具体而言,本专利技术涉及使旨在应用于上述领域的衬底的活性硅层薄化的方法。
技术介绍
在上述衬底中,特别而言,有一种被称作"SOI"(其为首字母缩写,代表“绝缘体上硅”)的衬底,其中,绝缘层(通常为氧化物层)插入并隐埋在表面硅活性层和支持衬底之间。表述“活性层”表示半导体材料层(在SOI情况下,为硅层),在其中和/或其上将依次制造电子学、光学和/或光电子学组件。此类衬底通常通过以下方式获得:将由硅制成的供体衬底分子粘合到支持衬底上,在所述粘合前用绝缘层覆盖这两个衬底中的一个或两个,而后使活性硅层沿着弱化区从供体衬底上脱离。该弱化区通过例如注入原子物种(atomicspecies)来获得,例如按照商标名为SmartCutTM的方法来注入原子物种。通常对由此获得的SOI衬底执行精整(finishing)步骤,其目的是使转移到支持衬底上的活性硅层的厚度变薄。现有技术中已知的是称作“牺牲氧化/去氧化(deoxidation)”的薄化方法,其是对所述活性硅层的表面部分进行热氧化以形成硅氧化物(SiO2)层,随后对该牺牲的氧化物层进行去氧化(去除)。该热氧化通常通过在常规的干式氧化炉或湿式氧化炉中对活性硅层施加700℃~1100℃的温度几分钟至几小时(取决于所需的氧化物厚度)来进行。可惜的是,由此形成的热硅氧化物(SiO2)层的厚度并不均匀。在进行牺牲氧化步骤本身的过程中,该均匀性也极难控制。所以,在除去该热氧化层(去氧化)后,活性硅层的残留厚度不再 ...
【技术保护点】
使“绝缘体上硅”(SOI)衬底(1)的活性硅层(2)薄化的方法,所述衬底旨在应用于电子学、光学和/或光电子学领域,并且包括隐埋在所述活性硅层(2)和支持物(3)之间的绝缘层(4),所述方法包括至少一个下述步骤:通过利用牺牲性热氧化形成牺牲硅氧化物层(20)并对该层(20)进行去氧化,从而对所述活性硅层(2)进行牺牲性薄化,其特征在于,所述方法还包括:‑使用氧化性等离子体在所述活性硅层(2)上形成被称作“互补”氧化物层的氧化物层(5)的步骤,该互补氧化物层(5)的厚度轮廓与所述牺牲硅氧化物层(20)的厚度轮廓互补或基本互补,从而使得所述互补氧化物层(5)和所述牺牲硅氧化物层(20)的厚度之和在所处理的衬底(1)的整个表面上是恒定的或基本恒定的,‑对该互补氧化物层(5)进行去氧化的步骤,从而在所有这些步骤结束后使所述活性硅层(2)以均匀的厚度薄化。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.03.12 FR 12522031.使“绝缘体上硅”(SOI)衬底(1)的活性硅层(2)薄化的方法,所述衬底旨在应用于电子学、光学和/或光电子学领域,并且包括隐埋在所述活性硅层(2)和支持物(3)之间的绝缘层(4),所述方法包括至少一个下述步骤:通过利用牺牲性热氧化形成牺牲硅氧化物层(20)并对该层(20)进行去氧化,从而对所述活性硅层(2)进行牺牲性薄化,其特征在于,所述方法还包括:-使用氧化性等离子体在所述活性硅层(2)上形成被称作“互补”氧化物层的氧化物层(5)的步骤,该互补氧化物层(5)的厚度轮廓与所述牺牲硅氧化物层(20)的厚度轮廓互补,从而使得所述互补氧化物层(5)和所述牺牲硅氧化物层(20)的厚度之和在所处理的衬底(1)的整个表面上是恒定的,-对该互补氧化物层(5)进行去氧化的步骤,从而在所有这些步骤结束后使所述活性硅层(2)以均匀的厚度薄化。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,使用氧化性等离子体形成所述互补氧化物(5)的步骤在带有电容耦合和能够调节的磁控管效应的反应性离子蚀刻型反应器中进行,纯氧压力为10~200mTorr,持续时间为10~90s,RF功率密度为0.3~3W/cm2。3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述牺牲硅氧化物层(20)的形成通过在750℃~1200℃的温度下进行湿式氧化来进行。4.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述牺牲硅氧化物层(20)的形成通过在750℃~1200℃的温度下进行干式氧化来进行。5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述牺牲硅氧化物层(20)的厚度在其中心部分较大并向着其环状外周逐渐变小,并且,将所述互补氧化物层(5)制成为使其厚度在其中心部分较小并向着其环状外周逐渐变大。6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述牺牲硅氧化物层(20)的厚度在其中心部分较小并向着其环状外周逐渐变大,并且,将所述互补氧化物层(5)制成为使其厚度在其中心部分较大并向着其环状外周逐渐变小。7.如权利要求5或6所述的方法,其特征在于,通过在需要获得较薄厚度的部分注入较少气体并向着需要获得较厚厚度的部分逐渐注入更多的气体,从而在所述衬底(1)的中心部分和环状外周之间产生离子化物种的密度梯度和/或氧化性等离子体的自由基的密度梯度。8.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:F·博迪特,塞巴斯蒂安·凯尔迪勒,
申请(专利权)人:索泰克公司,
类型:发明
国别省市:法国;FR
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