由基体材料形成的细间距探测器阵列制造技术

由基体材料形成的细间距探测器阵列。根据第一方法实施例，一种制品包括探测器阵列。每个探测器包括探头端部，该探头端部适用于接触集成电路测试点。每个探头端部被安装在探测器手指结构上。阵列的所有探测器手指结构具有相同的材料晶粒结构。探测器手指可具有非线性轮廓和/或被配置作为弹性部件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】由基体材料形成的细间距探测器阵列。根据第一方法实施例，一种制品包括探测器阵列。每个探测器包括探头端部，该探头端部适用于接触集成电路测试点。每个探头端部被安装在探测器手指结构上。阵列的所有探测器手指结构具有相同的材料晶粒结构。探测器手指可具有非线性轮廓和/或被配置作为弹性部件。【专利说明】由基体材料形成的细间距探测器阵列 相关申请 本申请要求Namburi在2012年3月7日提交的申请号为61/607,893、题为"使用 硅制造细间距探测器阵列的方法"的美国临时专利申请的优先权，其全部内容通过引入被 结合于此。
本专利技术的实施例涉及集成电路设计、制造和测试领域。更具体地，本专利技术的实施例 涉及用于由基体材料形成的细间距探测器阵列的系统和方法。
技术介绍
集成电路测试通常使用细探测器（fine probe)与集成电路的测试点接触，以便注 入电信号和/或测量集成电路的电气参数。传统的电路探测器是分别独立生产的，并且被 手动组装在对应于集成电路上的一部分或全部测试点的阵列中。 遗憾的是，由于逐个生产探测器并将它们组装为阵列的限制，传统的集成电路探 测器阵列通常不能实现小于约50 μ m的间距（例如，探测器与探测器之间的间隔）。此外， 传统的探测器常常具有不期望的高电感，这会限制测试信号的频率。进一步地，传统的集成 电路探测器阵列通常不能在所有的三个维度中达到必要的对准精度。更进一步地，传统探 测器的这种对准和共面性缺陷不利地限制了探测器的数量和探测器阵列的总面积，并因此 限制了单次可被测试的集成电路的总面积。例如，以细间距组装的单个传统集成电路探测 器阵列可能不能接触大型集成电路（例如，高级微处理器）的全部测试点。
技术实现思路
因此，需要用于由基体材料（bulk material)形成的细间距探测器阵列的系统和 方法。此外还需要用于由基体材料形成的具有细间距和高位置精度的细间距探测器阵列的 系统和方法。还存在对于与现有的集成电路设计、制造和测试系统和方法兼容和互补的用 于由基体材料形成的细间距探测器阵列的系统和方法。本专利技术的实施例提供了这些优点。 与通过添加单个探测器形成组件来构建电子探测器阵列的传统工艺相反，根据本 专利技术的实施例通过移除材料形成电子探测器阵列的基础，来从基体材料形成电子探测器阵 列。 根据第一方法实施例，一种制品包括探测器阵列。每个探测器包括适用于接触集 成电路测试点的探头端部（probe tip)。每个探头端部被安装在探测器手指结构（probe finger structure)上。阵列的所有探测器手指结构具有相同的材料晶粒结构。探测器手指 可具有非线性轮廓和/或被配置作为弹性部件。 根据一种方法实施例，具有基本平行的第一和第二表面的基体材料被获取。探测 器基底被形成在第一表面上。适用于接触集成电路测试点的探头端部被形成在探测器基底 上。第二表面被安装到载体晶片。基体材料的多个部分被移除，以形成耦合到探测器基底 和探头端部的探测器手指结构。探测器手指结构涂覆有电耦合到探头端部的导电金属。探 头端部和探测器基底的形成可包括光刻法。 根据本专利技术的另一实施例，用于测试集成电路的电子探测器阵列包括多个独立探 测器，该多个独立探测器被机械耦合并被电绝缘。每个独立探测器包括被功能性地耦合到 探测器手指结构的探头端部。探头端部具有与探测器手指结构不同的材料。探头端部被配 置用于接触集成电路测试点。每个探测器手指结构由同一块基体材料形成。每个独立探测 器涂覆有导电金属。 【专利附图】【附图说明】 结合在本说明书中并构成本说明书的一部分的附图示出了本专利技术的实施例，并且 与本说明书一起用于解释本专利技术的原理。除非另有说明，附图并未按照比例绘制。 图1示出了根据本专利技术的实施例的示例性"硅通孔"（TSV)载体晶片的一部分。 图2A示出了根据本专利技术的实施例的探测器块的形成。 图2B示出了根据本专利技术的实施例的沿着一个轴在探测器行之间形成沟槽以形成 探测器块。 图2C示出了根据本专利技术的实施例的沟槽形成之后的衬底的一部分的俯视图。 图3示出了根据本专利技术的实施例的探测器块至载体晶片的芯片焊接（die bonding)〇 图4示出了根据本专利技术的实施例的独立探测器阵列的截面图。 图5示出了根据本专利技术的实施例的对阵列应用导电金属涂层。 图6示出了根据本专利技术的实施例的移除掩膜层从而暴露出探头端部。 图7示出了根据本专利技术的实施例的探测器阵列的典型应用。 【具体实施方式】 现在将详细参考本专利技术的各种实施例，其中这些实施例的示例在附图中被示出。 尽管将结合这些实施例描述本专利技术，但是应当理解的是它们并非意图将本专利技术限制于这些 实施例。相反，本专利技术意图涵盖可被包括在由附加的权利要求限定的本专利技术的精神和范围 之内的替代物、修改和等同物。此外，在下文的本专利技术的详细描述中，给出了许多具体细节 以便帮助彻底理解本专利技术。然而，本领域普通技术人员将认识到，可在不具有这些具体细节 的情况下实施本专利技术。在其他实例中，为了避免不必要地模糊本专利技术的各个方面，众所周知 的方法、过程、组件和电路未被详细描述。 注释和术语 下文详细描述的一些部分（例如，图1-7)被以流程、步骤、逻辑块、处理、和其他可 在计算机存储器上执行的对数据位的操作的符号表示的形式提供。这些描述和表示是数据 处理领域的技术人员用以有效地向本领域的其他技术人员传达他们的工作的实质的手段。 流程、计算机执行的步骤、逻辑块、处理等被认为是导向期望结果的步骤或指令的自相一致 的序列。这些步骤是需要物理量的物理操控的步骤。通常，尽管非必要地，这些量采用能够 在计算机系统中被存储、传输、结合、比较、或进行其他操作的电信号或磁信号的形式。已经 数次证明，原则上出于通用的原因，以位、值、元素、符号、字符、术语、数字等来引用这些信 号是非常方便的。 但是，应当牢记的是，所有这些及类似术语都与适当的物理量相关联，并且仅仅是 应用于这些量的方便的标注。除非明确说明，否则如在下面的讨论中清楚表明的，贯穿本发 明，使用诸如"获取"、"形成"、"安装"、"移除"、"涂覆"、"附加"、"处理"、"分离"、"粗糙化"、 "填充"、"实施"、"生成"、"调整"、"创建"、"执行"、"继续"、"索引"、"计算"、"转化"、"演算"、 "确定"、"测量"、"收集"、"运行"等术语的讨论都是指计算机系统或类似电子计算设备的动 作或处理，这些计算机系统或类似电子计算设备操控计算机系统的寄存器和存储器中的表 示为物理（电子）量的数据，并将这些数据转换为计算机系统的存储器或寄存器或其它这 样的信息存储器中的类似地表示为物理量的其他数据。 由基体材料形成的细间距探测器阵列 图1示出了根据本专利技术的实施例的示例性"硅通孔"（TSV)载体晶片100的一部 分。尽管晶片100可使用任何适当的材料，但是其被示出由硅形成。晶片100通常应具有 平行的顶面和底面。可使用任何适当的平面图形状。晶片100包括娃衬底101，其中，娃通 孔的侧壁上具有氧化物，以便将金属通孔与半导体硅绝缘。 载体晶片100还包括由本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制品，包括：探测器阵列，其中，每个探测器包括：探头端部，该探头端部适用于接触集成电路测试点；所述探头端部被安装在探测器手指结构上；其中，所述阵列的所有探测器手指结构具有相同的材料晶粒结构。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：拉克什密坎斯·纳穆布瑞，
申请(专利权)人：爱德万测试公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP