一种太阳能单晶硅测试样片的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种太阳能单晶硅测试样片的制作方法，包括以下步骤：①取样：在单晶硅棒头部和尾部各切割出厚度为1~5mm的样片；②物理抛光：在样片表面规定的位置上，用抛光轮进行物理打磨抛光，直至样片表面无明显刀痕成镜面为止；③测试：在抛光后的样片中心处选取第一测试点进行测试。本发明专利技术有如下优点：①该方法采用物理抛光能够减少生产过程中造成的环境污染、节省人力和时间，提高工作效率；②不使用氢氟酸与硝酸混合溶液进行抛光样片，减少生产成本，增加企业经济效益。

【技术实现步骤摘要】

    本专利技术涉及一种太阳能单晶硅测试领域，具体涉及一种太阳能单晶硅测试样片的制作方法。
技术介绍
目前，太阳能单晶硅测试样片的制作过程中，截断车间截取样片后，用金刚砂研磨，去掉刀痕，并调整均匀度，使样片测量部位的厚度差尽可能的小，将研磨好的样片清洗干净，放入氢氟酸与硝酸混合溶液中进行抛光，氢氟酸与硝酸的配比为1：(3~5），抛光后，再用大量去离子水冲洗干净。一方面，由于硝酸和氢氟酸均属于强酸，使用过程中的黄烟已造成大气污染，使用后的废酸需要进行中和处理，处理不当会造成环境污染；另一方面，硝酸为6.70元/kg，氢氟酸为11.70元/kg,纯水为0.20元/kg，不含污水处理费、尾气处理费，成本较高；另外，将单晶硅棒从截断车间将样片拿到酸洗车间，然后在酸洗车间进行抛光，最少需要1~2人，耗费人力和工时，工作效率低。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术中存在的问题，提供一种太阳能单晶硅测试样片的制作方法，该方法采用物理抛光能够减少生产过程中造成的环境污染、减少生产成本、节省人力和时间，提高工作效率。本专利技术是通过以下技术方案实现的：一种太阳能单晶硅测试样片的制作方法，其特征在于包括以下步骤：①取样：在单晶硅棒头部和尾部各切割出厚度为1~5mm的样片；②物理抛光：在样片表面规定的位置上，用抛光轮进行物理打磨抛光，直至样片表面无明显刀痕成镜面为止；③测试：在抛光后的样片中心处选取第一测试点进行测试。所述步骤①中样片厚度为2~4mm所述步骤②中抛光轮的叶轮为圆环形，其外直径：为90~120 mm，内直径为65~95 mm，厚度为8~13mm。还包括步骤④，步骤④如下：在距样片边缘5~7mm处选取第二测试点，第二测试点是以圆心为中心呈辐射状设置。所述第二测试点为3~7个。本专利技术有如下优点：①该方法采用物理抛光能够减少生产过程中造成的环境污染、节省人力和时间，提高工作效率；②不使用氢氟酸与硝酸混合溶液进行抛光样片，减少生产成本，增加企业经济效益。具体实施方式     一种太阳能单晶硅测试样片的制作方法，包括以下步骤：①取样：在单晶硅棒头部和尾部各切割出厚度为1~5mm的样片；②物理抛光：在样片表面规定的位置上，用抛光轮进行物理打磨抛光，直至样片表面无明显刀痕成镜面为止；③测试：在抛光后的样片中心处选取第一测试点进行测试。步骤②中抛光轮的叶轮为圆环形，其外直径：为90~120 mm，内直径为65~95 mm，厚度为8~13mm。作为本专利技术的优选方案：步骤①中样片厚度为3mm，步骤②中抛光轮圆环形叶轮的外直径为105 mm，内直径为80 mm，厚度为11mm，在距样片边缘6mm处选取4个第二测试点，第二测试点是以圆心为中心呈辐射状设置。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能单晶硅测试样片的制作方法，其特征在于包括以下步骤：①取样：在单晶硅棒头部和尾部各切割出厚度为1~5mm的样片；②物理抛光：在样片表面规定的位置上，用抛光轮进行物理打磨抛光，直至样片表面无明显刀痕成镜面为止；③测试：在抛光后的样片中心处选取第一测试点进行测试。

【技术特征摘要】
1.一种太阳能单晶硅测试样片的制作方法，其特征在于包括以下步骤：
①取样：在单晶硅棒头部和尾部各切割出厚度为1~5mm的样片；
②物理抛光：在样片表面规定的位置上，用抛光轮进行物理打磨抛光，直至样片表面无明显刀痕成镜面为止；
③测试：在抛光后的样片中心处选取第一测试点进行测试。
2.根据权利要求1所述的太阳能单晶硅测试样片的制作方法，其特征在于：所述步骤①中样片厚度为2~4mm。
3.根据权利要求1所述的太阳能...

【专利技术属性】
技术研发人员：林会社，
申请(专利权)人：河南协鑫光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：河南;41