本发明专利技术公开了一种LED封装COB树脂,其按照重量份数主要由以下原料制备:正硅酸乙酯6000~7000;六甲基二硅氧烷1400~1800;乙烯基单封头400~700;苯基封头剂90~270;水4000~6000;酸性催化1000~1500;甲苯3000~5000;碱性催化剂2~4。本发明专利技术还公开了所述LED封装COB树脂的制备方法、应用及使用其配置的封装胶。所述LED封装COB树脂,克服了传统树脂只能用于50W以下的COB封装的弊端,可用于500W以内的COB封装,同时不产生黄变、老化、开裂和光衰低的现象。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种LED封装COB树脂,其按照重量份数主要由以下原料制备:正硅酸乙酯6000~7000;六甲基二硅氧烷1400~1800;乙烯基单封头400~700;苯基封头剂90~270;水4000~6000;酸性催化1000~1500;甲苯3000~5000;碱性催化剂2~4。本专利技术还公开了所述LED封装COB树脂的制备方法、应用及使用其配置的封装胶。所述LED封装COB树脂,克服了传统树脂只能用于50W以下的COB封装的弊端,可用于500W以内的COB封装,同时不产生黄变、老化、开裂和光衰低的现象。【专利说明】一种LED封装COB树脂及其制备方法
本专利技术涉及LED封装C0B芯片保护领域,尤其涉及一种LED封装C0B树脂及其制 备方法。
技术介绍
LED作为绿色、节能光源虽然在这几年得到大力的发展,但其光电转换效率不是很 高,大部分的电能被转换为热能,随着LED功率的提高,其发热量也逐渐的增大,如果产生 的热量不能及时地散发将极大的影响LED的正常工作,缩短其使用寿命。目前市场传统C0B 封装结构主要是采用将大功率或小功率LED芯片集成封装在基板上的方式,基板分为金属 和陶瓷基板,在金属基板上进行大功率和小功率LED芯片集成封装的方式中,由于大功率 LED芯片发热量大、热量集中,以及金属基板上有一介电层(绝缘层),因而存在散热较差 等问题,这些问题最终导致基板发黄发黑、光效降低及光衰增大,从而造成LED产品不能使 用;陶瓷基板虽然无上述问题,但成本较高,光效较低。 传统的板上芯片封装(C0B)模块的封装保护工艺通常包括以下步骤:首先,利用 引线键合工艺制造板上芯片封装模块;利用固化胶水或环氧树脂材料等保护封装好的板上 芯片封装模块;将保护好的成品板上芯片封装模块安装到卡片的铣槽中;利用胶水使板上 芯片封装模块固定到卡片。然而,目前常规LED封装C0B树脂只能用于50W以下的C0B封 装,封装50W以上的C0B会出现裂胶、老化和变黄的现象。 由此可见,本领域急需一种LED封装C0B树脂,可用于封装大功率的C0B,同时不出 现裂胶、老化和变黄等不良现象。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于提出一种LED封装C0B树脂,能够用于封装大功率的C0B, 同时不出现裂胶、老化和变黄等不良现象。为达此目的,本专利技术采用以下技术方案: -种LED封装C0B树脂,其按照重量份数主要由以下原料制备: 正硅酸乙酯 6000?7000 六甲基二硅氧烷 1400?1800 乙烯基单封头 400?700 苯基封头剂 90?270 水 4000?6000 酸性催化剂 1000?1500 甲苯 3000?5000 碱性催化剂 2?4, 优选地,所述的LED封装C0B树脂按照重量份数主要由以下原料制备: 正硅酸乙酯 6240 六甲基二桂氧焼 1650 乙烯基单封头 500 苯基封头剂 180 水 4500 酸性催化剂 1200 甲苯 3500 碱性催化剂 2.5。 其中所述正硅酸乙酯的Si02含量为28% ;优选地,所述苯基封头剂为甲基二苯 基乙氧基硅烷和/或甲基二苯基氯硅烷;所述酸性催化剂为盐酸、浓硫酸和/或醋酸,优选 36%盐酸;所述碱性催化剂为氢氧化钾、氢氧化锂和/或四甲基氢氧化铵,优选氢氧化钾。 其中所述原料六甲基二硅氧烷、乙烯基单封头、苯基封头剂的浓度大于或等于 99 %,甲苯浓度大于或等于98 %。 本专利技术的目的之一还在于提供所述的LED封装C0B树脂的制备方法,其包括以下 步骤: 1)水解反应:将六甲基二硅氧烷、乙烯基单封头、苯基封头剂、水和酸性催化剂按 配比投入反应釜中进行搅拌、同时冷凝、升温;往反应釜中加入正硅酸乙酯;再次升温,控 制温度,进行反应;缓慢加入甲苯,继续反应,制得水解产物; 2)缩合反应:将上述水解产物抽至缩合釜中,升温,往反应釜中加入碱性催化剂, 控制温度,进行缩合反应,制得缩合产物; 以及任选的3)水洗及过滤:将缩合产物留在缩合釜中,控制温度,往釜中加入水 进行洗涤、搅拌、净置分层、排水;将水洗产物通过过滤机过滤一次,制得所述的LED封装 C0B树脂。 其中,在步骤1)水解反应中,所述反应釜为装配有调速搅拌、回流冷凝管、加热装 置和分水器的玻璃反应釜;优选地,所述搅拌的转速为200r/min,所述升温设定的温度为 50°C;优选地,当料液温度为40°C时,往反应釜中加入正硅酸乙酯;优选地,所述再次升温设 定的温度为55°C,将温度控制在50±2°C,反应3小时;优选地,继续进行反应2h ;优选地, 反应结束后,停止搅拌,净置分层,排出酸水并关闭底阀。 在步骤2)缩合反应中,所述升温设定的温度为65?70°C ;优选地,将温度控制为 65±2°C ;优选地,所述进行缩合反应的时间为1. 5小时。 在步骤3)水洗及过滤中,所述控制温度为将油浴加热的温度控制为45°C ;优选 地,所述水的温度为30?40°C,加入水的量为3000重量份;优选地,所述搅拌持续8? lOmin ;优选地,所述水洗重复进行4次,且最后一次水洗时排干水分;优选地,水洗结束后 降温至40°C以下。 步骤3)结束后,制得无色透明液体,即所述LED封装C0B树脂,装桶待用,同时取 样测固含量和乙烯基含量,乙烯基M/Q比值为0. 7?0. 85,最优选0. 75。 本专利技术的目的之一还在于提供所述的LED封装C0B树脂在C0B封端中的应用。 本专利技术提供所述LED封装C0B树脂配置的封装胶,所述封装胶通过向所述的LED 封装COB树脂中加入乙烯基硅油合成。所述乙烯基硅油为粘度为45000?55000cps烯基 硅油;优选地,所述的LED封装C0B树脂与乙烯基硅油比例为55 :45。 本专利技术提供的LED封装C0B树脂,克服了传统树脂只能用于50W以下的C0B封装, 封装50W以上的C0B会出现裂胶和容易老化现象的弊端,可用于500W以内的C0B封装,解 决了高功率C0B封装用胶的技术难题,为C0B高功率发展提供了辅助材料的保障。 【具体实施方式】 下面通过【具体实施方式】来进一步说明本专利技术的技术方案。 实施例1 :本专利技术LED封装C0B树脂的制备 按照以下原料配比进行树脂制备: 正硅酸乙酯 6240 六甲基二硅氧烷 1650 乙烯基单封头 500 甲基二苯基乙氧基硅烷 180 水 4500 36% 盐酸 1200 甲苯 3500 氢氧化钾 2.5。 其中所述原料六甲基二硅氧烷、乙烯基单封头、苯基封头剂的浓度大于或等于 99 %,甲苯浓度大于或等于98 %。 制备步骤如下: 1)水解反应:将7K甲基-娃氧烧、乙稀基单封头、甲基-苯基乙氧基娃烧、水和酸 性催化剂按配比投入反应釜中进行搅拌按量投进带调速搅拌、回流冷凝管、加热装置和分 水器的50升玻璃反应釜中,开动搅拌,转速为200r/min,开启冷凝管的冷却水,然后升温, 加热介质温度设置为50°C;当料液温度至40°C时,往反应釜中加入正硅酸乙酯,然后再次升 温,加热介质温度设置55°C。当料液温度升至50°C,开始计时,在50°本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种LED封装COB树脂,其特征在于,按照重量份数主要由以下原料制备:
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:陈正旺,刘金明,黎忠林,
申请(专利权)人:东莞兆舜有机硅新材料科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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