发光器件制造技术

公开了一种发光器件，该发光器件包括：衬底；缓冲层，位于衬底上；第一导电层，位于缓冲层上；有源层，位于第一导电层上；以及第三导电半导体层，位于有源层上，其中该第一导电层包括：第一导电半导体层，包括具有拉伸应力的第一掺杂剂；以及第二导电半导体层，设置在第一导电半导体层上并包括具有压缩应力的第二掺杂剂。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】公开了一种发光器件，该发光器件包括：衬底；缓冲层，位于衬底上；第一导电层，位于缓冲层上；有源层，位于第一导电层上；以及第三导电半导体层，位于有源层上，其中该第一导电层包括：第一导电半导体层，包括具有拉伸应力的第一掺杂剂；以及第二导电半导体层，设置在第一导电半导体层上并包括具有压缩应力的第二掺杂剂。【专利说明】发光器件 相关申请的交叉引用 本申请要求保护第10-2013-0050798号韩国专利申请（于2013年5月6日提交）， 其通过引用整体并入此处。
实施例涉及一种发光器件。
技术介绍
使用化合物半导体的各种电子器件或发光器件得到了发展。 电子器件可以包括太阳能电池、光探测器或电力器件。 这种电子器件或发光器件可以基于半导体衬底来制造。半导体衬底包括生长衬底 和自生长衬底生长的化合物半导体层。 在这种半导体衬底中，由于生长衬底与化合物半导体层之间的晶格失配和差异， 因而可能引起各种缺陷。 根据现有技术，由于生长衬底与化合物半导体层之间的晶格常数差异，因而在半 导体衬底中引起错位，使得结晶度恶化。 另外，由于生长衬底与化合物半导体层的热膨胀系数之间的差异，因而会生成应 变，使得因该应变而在化合物半导体层中产生裂痕或使得生长衬底被损坏。 根据现有技术，由于在半导体衬底的化合物半导体层中会产生裂痕，难以厚实地 生长执行品质优良的发光器件或电子器件的实用功能的半导体层。
技术实现思路
实施例提供一种能够通过防止错位而提高结晶度的半导体衬底。 实施例提供一种能够通过控制应变来防止裂痕而提高产量的半导体衬底。 实施例提供一种能够通过掺杂高浓度掺杂剂而提高发光器件或电子器件的电学 性质和光学性质的半导体衬底。 实施例提供一种发光器件。 实施例提供一种使用半导体衬底的电子器件。 根据实施例，提供了一种发光器件，该发光器件包括：衬底；缓冲层，位于该衬底 上；第一导电层，位于该缓冲层上；有源层，位于该第一导电层上；以及第三导电半导体层， 位于该有源层上，其中该第一导电层包括：第一导电半导体层，包括具有拉伸应力的第一掺 杂剂；以及第二导电半导体层，设置在该第一导电半导体层上并包括具有压缩应力的第二 掺杂剂。 【专利附图】【附图说明】 图1为示出根据第一实施例的半导体衬底的剖视图。 图2为示出在图1的半导体衬底中阻挡错位的视图。 图3为示出在图1的半导体衬底中的应变控制的视图。 图4A为示出包括Si的半导体层的视图。 图4B为示出包括Ge的半导体层的表面状态的视图。 图5为示出根据第二实施例的半导体衬底的剖视图。 图6为示出根据第三实施例的半导体衬底的剖视图。 图7为示出根据第四实施例的半导体衬底的剖视图。 图8为示出根据第五实施例的半导体衬底的剖视图。 图9为示出图8的半导体衬底中的Si和Ge的浓度分布的第一示例的视图。 图10为示出图8的半导体衬底中的Si和Ge的浓度分布的第二示例的视图。 图11为示出图8的半导体衬底中的Si和Ge的浓度分布的第三示例的视图。 图12为示出图8的半导体衬底中的Si和Ge的浓度分布的第四示例的视图。 图13为示出根据第一实施例的发光器件的剖视图。 图14为示出根据第二实施例的发光器件的剖视图。 图15为示出根据第三实施例的发光器件的剖视图。 图16为示出根据实施例的M0SFET的剖视图。 【具体实施方式】 在下文中，将参照附图来描述根据实施例的发光器件封装和照明系统。 在对实施例的说明中，将理解的是，当某一层（或膜）被称为位于另一个层或衬底 '上'时，其可直接位于另一个层或衬底上，或者也可以存在多个介于中间的层。进一步，将 理解的是，当某一层被称为位于另一个层'下方'时，其可直接位于另一个层下方，并且也可 以存在一个或多个介于中间的层。另外，还将理解的是，当某一层被称为位于两个层'之间' 时，其可以是仅位于两个层之间的层，或也可以存在一个或多个介于中间的层。 (实施例） 图1为示出根据第一实施例的半导体衬底的剖视图。 参照图1，根据第一实施例的半导体衬底1可以包括生长衬底2、缓冲层4以及导 电层10。 缓冲层4和导电层10可以由第III-V族或第II-VI族化合物半导体形成。例如， 缓冲层4和导电层10可以包括选自InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InN以及AlInN构成 的组的至少之一，但实施例不限于此。 生长衬底2用来在支撑导电层10的同时生长导电层10。生长衬底2可以包括适 于生长半导体材料的材料。生长衬底2可以包括具有热稳定性的材料以及与导电层10的 晶格常数近似的晶格常数。生长衬底1可以是导电衬底、化合物半导体衬底以及绝缘衬底 之一，但实施例不限于此。 生长衬底2可以包括选自蓝宝石（Al203)、SiC、Si、GaAs、GaN、Zn0、GaP、InP以及 Ge构成的组的至少之一。 生长衬底2可以包括掺杂剂，使得生长衬底2具有导电性，但实施例不限于此。包 括掺杂剂的生长衬底2可以用作电极层，但实施例不限于此。 缓冲层4可以被置于生长衬底2与导电层10之间，但实施例不限于此。 缓冲层4可以减小生长衬底2与导电层10的晶格常数之间的差异。另外，缓冲层 4可以防止生长衬底2的材料扩散到导电层10中，防止回熔现象（例如形成在生长衬底2 的顶面的凹槽）或通过控制应变防止生长衬底2被损坏，但实施例不限于此。 缓冲层4可以被形成在生长衬底2上，并且导电层10可以被形成在缓冲层4上。 艮P，缓冲层4可以被形成在生长衬底2与导电层10之间。 为了满足上文描述的缓冲层4的各种功能，缓冲层4可以由包括A1的化合物半导 体形成。例如，缓冲层4可以包括A1N或InAlGaN,但实施例不限于此。 由于A1的缘故，缓冲层4的顶面可以非常粗糙。随着A1的含量增加，表面粗糙度 可以增加。这种情况下，表面粗糙度可以表示缓冲层4的表面中的凹陷的厚度，但实施例不 限于此。 例如，缓冲层4的表面粗糙度可以处于几十nm到几百nm的范围。例如，缓冲层4 的表面粗糙度可以处于50nm到500nm的范围，但实施例不限于此。 导电层10可以形成在缓冲层4上。导电层10可以包括包含掺杂剂的氮化物半导 体层，但实施例不限于此。 导电层10可以包括至少两个层，但实施例不限于此。 导电层10可以包括形成在缓冲层4上的第一导电半导体层6和形成在第一导电 半导体层6上的第二导电半导体层8。 第一导电半导体层6和第二导电半导体层8可以由不同类型或相同类型的化合物 半导体材料形成。 例如，第一导电半导体层6和第二导电半导体层8可以分别包括GaN，但实施例不 限于此。 例如，第一导电半导体层6可以包括AlGaN，第二导电半导体层8可以包括GaN，但 实施例不限于此。与上述不同，第一导电半导体层6可以包括GaN，第二导电半导体层8可 以包括AlGaN，但实施例不限于此。 第一导电半导体层6和第二导电半导体层8可以包括至少一个不同类型的掺杂 齐U，但实施例不限于此。 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：衬底；缓冲层，位于所述衬底上；第一导电层，位于所述缓冲层上；有源层，位于所述第一导电层上；以及第三导电半导体层，位于所述有源层上，其中所述第一导电层包括：第一导电半导体层，包括具有拉伸应力的第一掺杂剂；以及第二导电半导体层，设置在所述第一导电半导体层上，包括第二掺杂剂，并且具有压缩应力。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：崔宰熏，崔荣宰，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR