本发明专利技术提供了一种电容器，其含有式I所示化合物晶体，其具有2θ在约5.87、8.10、9.72、10.20、11.35、12.78、14.39、16.84、17.57、18.44、19.22、21.39、22.82、23.73、24.78、25.23、26.65、27.43、28.82、29.12、30.42、31.21、32.95、33.89、36.08、38.72、39.86处的X射线粉末衍射图。I
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了一种电容器，其含有式I所示化合物晶体，其具有2θ在约5.87、8.10、9.72、10.20、11.35、12.78、14.39、16.84、17.57、18.44、19.22、21.39、22.82、23.73、24.78、25.23、26.65、27.43、28.82、29.12、30.42、31.21、32.95、33.89、36.08、38.72、39.86处的X射线粉末衍射图。I【专利说明】一种电容器
本专利技术涉及一种电容器，具有等效串联电阻低和漏电流起始不合格率小的优异特 性。
技术介绍
随着电子设备的高频化，在作为电子部件之一的电容器中，要求在高频区的阻抗 特性优异的大容量电容器。最近，为了降低该高频区的阻抗，开始对使用电导率高的导电性 高分子的电解电容器进行研究并进行制品化。电解电容器具备：阳极箔、在阳极箔的表面形 成的电介体覆膜和在电介体覆膜上形成的导电性高分子层。阳极箔的表面经过粗面化，并 形成有多个孔。作为形成导电性高分子层的方法，除了化学聚合及电解聚合之外，还包括使 预先形成的导电性高分子粒子含浸于电容器元件的分散法。就化学聚合而言，有时会因氧 化剂的存在而损伤电介体覆膜。另外，对于化学聚合及电解聚合而言，难以均匀地形成导电 性高分子层。这样一来，会较厚地形成导电性高分子层，使用大量的导电性高分子。小分子 有机化合物，特别是小分子有机化合物晶体与聚合物相比具有制备简单，涂层均匀，成品率 高，且方便有效的特点，因此仍然需要开发使用有机小分子化合物，特别是有机小分子化 合物晶体电解电容器。 用于电子仪器如便携电话和个人电脑中的电容器要求具有小尺寸和大电容量。在 这些电容器中，钽电容器是优选的，因为相对于其尺寸，电容量大且性能好。此外，近年来， 要求电子器件在低电压和高频率下操作，并具有低噪音，并且对于固体电解质电容器，还要 求较低的等效并联电阻（ESR)。在这种钽电容器中，钽粉末的烧结体一般被用作阳极部分。 将这种粉末成形，然后烧结，从而使所述粉末整体化并制成被称为烧结体的电极。这种烧结 体内部由相互之间电和机械连结的粉末颗粒形成三维复杂的结构，在该烧结体包括内部孔 隙表面的表面，形成介电薄膜层，浸渍作为对电极的材料，从而制备一种电容器。只要介电 薄膜层均匀结合到所述烧结体的内表面或外表面，所制造的电容器的电容量在微观上就主 要取决于对电极材料与介电薄膜层的接触状态。为了提高钽电容器的电容量，必须提高烧 结体的质量或者使用通过破碎钽粉而增大了表面积的烧结体。
技术实现思路
电解电容器的一般制造方法包含如下步骤：准备具有表面的阳极箔、在阳极箔的 表面形成的多个孔以及在阳极箔的表面形成的电介体覆膜的步骤；使阳极箔含浸于含有第 一导电性高分子粒子和第一溶剂的第一分散体溶液，在电介体覆膜的表面形成第一导电性 高分子层的步骤；以及，使阳极箔含浸于含有第二导电性高分子粒子和第二溶剂的第二分 散体溶液，形成覆盖第一导电性高分子层的第二导电性高分子层的步骤，其中，与所述第一 分散体溶液相比，所述第二分散体溶液的pH与7相差更远。 本专利技术的目的是提供一种单位质量电容量大、泄漏电流小且耐湿性高的电容器； 一种可以用作该电容器的电极材料且能够获得高电容量表观比的烧结体；一种作为该烧结 体的材料优选的、在成形操作中表现出良好流动性、促进连续成形且能稳定生产电容器的 铌粉；和所述电容器、所述烧结体和所述铌粉的制造方法。 本专利技术提供了一种电容器，一种电容器，其包括一个电极、一个对电极和介电材 料，所述电极为包括体积为l〇mm 3的铌烧结体，所述介电材料包含氧化铌，所述对电极是有 机半导体，其包括下述结构的有机化合物： 【权利要求】1. 一种电容器，其包括一个电极、一个对电极和介电材料，所述电极为包括体积为 10mm 3的铌烧结体，所述介电材料包含氧化铌，所述对电极是有机半导体，其包括下述结构 的有机化合物：其具有 2 Θ 在约 5· 87、8· 10、9· 72、10· 20、11· 35、12· 78、14· 39、16· 84、17· 57、18· 44、 19. 22、21. 39、22. 82、23. 73、24. 78、25. 23、26. 65、27. 43、28. 82、29. 12、30. 42、31. 21、 32. 95、33. 89、36. 08、38. 72、39. 86 处的 X 射线粉末衍射图。2. 如权利要求1中所述的电容器，其特征在于，所述对电极含有有机磺酸根阴离子作 为掺杂剂。3. -种化合物晶体，其具有如式I所示的结构：且具有 2 Θ 在约 5· 87、8· 10、9· 72、10· 20、11· 35、12· 78、14· 39、16· 84、17· 57、18· 44、 19. 22、21. 39、22. 82、23. 73、24. 78、25. 23、26. 65、27. 43、28. 82、29. 12、30. 42、31. 21、 32. 95、33. 89、36. 08、38. 72、39. 86 处的 X 射线粉末衍射图。【文档编号】H01G9/042GK104143443SQ201310474929【公开日】2014年11月12日 申请日期:2013年10月12日 优先权日:2013年10月12日 【专利技术者】宋刚 申请人:成都精容电子有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电容器，其包括一个电极、一个对电极和介电材料，所述电极为包括体积为10mm3的铌烧结体，所述介电材料包含氧化铌，所述对电极是有机半导体，其包括下述结构的有机化合物：I，其具有2θ在约5.87、8.10、9.72、10.20、11.35、12.78、14.39、16.84、17.57、18.44、19.22、21.39、22.82、23.73、24.78、25.23、26.65、27.43、28.82、29.12、30.42、31.21、32.95、33.89、36.08、38.72、39.86处的X射线粉末衍射图。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：宋刚，
申请(专利权)人：成都精容电子有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51
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