一种电路开关及用电电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种电路开关及用电电路，属于开关领域。所述电路开关包括：压电陶瓷、滤波电路、共射放大电路、稳压电路、共集放大电路和可控硅管，压电陶瓷与滤波电路电连接，共射放大电路分别与滤波电路和稳压电路电连接，共集放大电路分别与稳压电路和可控硅管的控制极电连接，所述可控硅管的正极与所述发光二极管负极电连接。本实用新型专利技术通过采用压电陶瓷将压力信号转化为电信号，然后对电信号进行滤波、一级放大、稳压和二级放大，最后采用经过处理的电信号驱动可控硅管，当电量足够大时，确定可控硅管导通，过段时间关闭，从而实现电路开关的功能，且这种开关不容易误开，精度高。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种电路开关，其特征在于，所述电路开关包括： 将压力信号转换为电信号的压电陶瓷、对所述压电陶瓷产生的所述电信号进行滤波的滤波电路、对滤波后的所述电信号进行一级放大的共射放大电路、对一级放大后的所述电信号进行稳压的稳压电路、对稳压后的所述电信号进行二级放大的共集放大电路、接收所述共集放大电路输出的经过二级放大后的所述电信号的可控硅管Q3； 所述滤波电路包括电容C1和电阻R1，所述共射放大电路包括NPN型半导体三极管Q2、电阻R2和电阻R4，所述稳压电路包括电容C4和稳压二极管D3，所述共集放大电路包括NPN型半导体三极管Q1、电阻R5、电阻R6和二极管D1； 所述电容C1串联在所述NPN型半导体三极管Q2的基极和所述压电陶瓷的一端之间，所述压电陶瓷的另一端与所述NPN型半导体三极管Q2的发射极相连；所述电阻R1和所述电阻R2串联后连接在所述电容C1两端，所述电阻R4的一端连接在所述电阻R1和所述电阻R2之间，所述电阻R4的另一端与所述NPN型半导体三极管Q2的集电极相连，且所述NPN型半导体三极管Q2的发射极接地；所述电容C4和所述稳压二极管D3串联在所述NPN型半导体三极管Q2的集电极和发射极之间，且所述稳压二极管D3的正极与所述NPN型半导体三极管Q2的发射极相连；所述稳压二极管D3的负极与所述NPN型半导体三极管Q1的基极连接，所述电阻R6两端分别连接所述NPN型半导体三极管Q1的发射极和所述稳压二极管D3的正极，所述NPN型半导体三极管Q1的集电极连接在所述电阻R2和所述电阻R4之间；所述电阻R5两端分别连接所述NPN型半导体三极管Q1的发射极和所述可控硅管Q3的控制极，所述可控硅管Q3的阴极与所述电阻R6连接，所述二极管D1的负极和正极分别连接所述NPN型半导体三极管Q1的集电极和所述可控硅管Q3的阳极。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵培宇，
申请(专利权)人：江汉大学，
类型：新型
国别省市：湖北;42