一种具有位移遮断式热脱离结构的浪涌吸收保护器制造技术

本实用新型专利技术提供一种具有位移遮断式热脱离结构的浪涌吸收保护器，有盒体，MOV芯片，陶瓷遮断体，脱扣电极片，脱扣电极片的平面与半导体陶瓷芯片的一面相贴合，半导体陶瓷芯片的另一面与左电极脚相贴合，脱扣电极片的凸突面装入固定在盒体的孔位中；陶瓷遮断体旋转孔位套在盒体设置的转轴上，陶瓷遮断体设置有焊接孔，对准盒体的孔位，与脱扣电极片的凸突面焊接牢固，形成脱扣焊接点；右电极脚插入盒体内设置的插槽中，右电极脚另一端与可焊金属层焊接牢固；弹力装置被设置为能在弹簧的弹力作用下推动或拉动陶瓷遮断体，实现位移与遮断二个要素。本实用新型专利技术提供了耐高温、无惧电弧、高绝缘的具有位移遮断热脱离结构的浪涌保护器。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供一种具有位移遮断式热脱离结构的浪涌吸收保护器，有盒体，MOV芯片，陶瓷遮断体，脱扣电极片，脱扣电极片的平面与半导体陶瓷芯片的一面相贴合，半导体陶瓷芯片的另一面与左电极脚相贴合，脱扣电极片的凸突面装入固定在盒体的孔位中；陶瓷遮断体旋转孔位套在盒体设置的转轴上，陶瓷遮断体设置有焊接孔，对准盒体的孔位，与脱扣电极片的凸突面焊接牢固，形成脱扣焊接点；右电极脚插入盒体内设置的插槽中，右电极脚另一端与可焊金属层焊接牢固；弹力装置被设置为能在弹簧的弹力作用下推动或拉动陶瓷遮断体，实现位移与遮断二个要素。本技术提供了耐高温、无惧电弧、高绝缘的具有位移遮断热脱离结构的浪涌保护器。【专利说明】一种具有位移遮断式热脱离结构的浪涌吸收保护器
本技术涉及一种浪涌吸收保护器，具体涉及一种具有位移遮断式热脱离结构的浪涌吸收保护器，如TPMOV、TMOV、SPD浪涌吸收保护器。
技术介绍
现有限压型浪涌保护器件具有特殊的非线性电压-电流特性，主要是由氧化锌(ZnO)金属氧化物压敏电阻(Metal Oxide Varistors, MOV)构成。一旦发生异常状况时，比如遭遇雷击、电磁场干扰、电源开关频繁动作、电源系统故障，使得线路上电压突增，超过MOV的导通电压，就会进入导通区。此时电流(I)和电压(V)呈非线性关系，一般称之为非线性系数(Nonlinearity Parameter),其值可达数十或上百。MOV阻抗会变低,仅有几个欧姆，让过电压形成突波电流流出，藉以保护所连接的电子产品或昂贵组件。 现有的浪涌吸收保护器件具有三种热脱离结构形式，分别是断开式，是在MOV芯片上串接温度保险，利用过热或过电流来断开保险；位移式，用芯片损坏前的热量熔化低温合金焊接点，借用弹簧力，推开移动其中的一个电极，达到分断目的；遮断式，也是利用芯片过热，低温合金焊接点熔化后，在二焊接点的间隙中插入绝缘片，遮断二电极的连接，如专利号:2934506，2433193所述的脱离装置。以上热脱离结构形式存在着分断或遮断时二电极间的距离过小，安全距离不够的现象。在电源系统内阻较小条件下，MOV芯片一旦损坏击穿，巨大的断路电流在引脚间距过短的二端形成电流飞弧，瞬间产生高温会熔化，碳化塑料零部件，引起火灾，造成事故，存在着安全隐患，无法满足电子产品安全化、小型化、功能化要求。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足而提供一种耐高温，无惧电弧，高绝缘的具有陶瓷体位移遮断热脱离结构的浪涌保护器。 本技术为解决上述问题所采用的技术方案为: 本技术提供一种具有位移遮断式热脱离结构的浪涌吸收保护器，包括盒体，所述盒体内设置有半导体陶瓷芯片、左电极脚、右电极脚，其特征在于:还包括脱扣电极片、陶瓷遮断体；所述脱扣电极片的两面分别为平面和凸突面，所述脱扣电极片的平面与所述半导体陶瓷芯片的一面相贴合，所述半导体陶瓷芯片的另一面与左电极脚相贴合，所述脱扣电极片的凸突面装入并固定在所述盒体的孔位中；所述陶瓷遮断体设置的旋转孔位套在所述盒体设置的转轴上，所述陶瓷遮断体设置有焊接孔，所述焊接孔对准所述盒体的孔位，所述焊接孔边缘及周边覆盖有可焊金属层与脱扣电极片的凸突面焊接牢固，形成脱扣焊接点；所述右电极脚插入所述盒体内设置的插槽中，所述右电极脚通过导线另一端与所述可焊金属层焊接牢固；所述陶瓷遮断体与弹力装置接触或连接，所述弹力装置被设置为能在弹簧的弹力作用下推动或拉动所述陶瓷遮断体。 进一步地,陶瓷遮断体围绕转轴旋转带动焊接孔产生位移,也带动右电极脚连接的导线产生位移，左右电极通过半导体陶瓷芯片的连接被分断，陶瓷遮断体遮断产生的电流弧。 进一步地，所述弹力装置具有三种结构； 第一种结构为: 所述弹力装置设置有推杆、弹簧，所述弹簧被压缩后套在推杆底部的弹簧杆外，弹簧与推杆一并装入盒体设置的滑槽内，所述推杆上还设置有上拨块和下拨块，所述上拨块和下拨块之间设置所述陶瓷遮断体；所述推杆的下拨块下方和上拨块上方各设置有告警开关，所述推杆上端设有的指示杆，用于滑动时伸出至盒盖平面或高出盒盖平面。 第二种结构为: 所述弹力装置设置有弹簧，所述弹簧被拉伸后一端固定在盒体上，另一端连接所述陶瓷遮断体；在所述陶瓷遮断体的下方或上方设置有告警开关。 进一步地，所述陶瓷遮断体上设有用于挂弹簧的挂钩孔。 第三种结构为: 所述弹力装置设置有推杆、弹簧，所述弹簧被压缩后套置在推杆中下部的弹簧杆夕卜，推杆上设置有拨块，所述拨块上设置有所述陶瓷遮断体；在所述盒体的外部底座设置有告警开关，所述推杆底部被设置为压住所述告警开关，推杆上端设有用于滑动时伸出至盒盖平面或高出盒盖平面的指示杆。 更进一步地，所述陶瓷遮断体上设有线槽，用于供连接所述右电极脚的导线嵌入。 进一步地，所述陶瓷遮断体为薄片状，由氧化铝，碳化硅，莫来石，高岭土制成，或用PCB板替代。 进一步地，所述陶瓷遮断体的焊接孔周边，孔内垂直面及部分线槽内均覆盖可焊金属层，供焊接使用。 进一步地，所述陶瓷遮断体的旋转孔，根据需求设置成同心孔或不同心孔。 进一步地，所述陶瓷遮断体的焊接孔，根据需求设置成圆形、椭圆形、矩形、多边形、或不规则形状。 进一步地，所述陶瓷遮断体周边设有凹边，凸边，或不规则形状，表面设有多孔，槽状，以满足空间转动需求和周围部件的安设需求。 本技术的有益效果在于: 1.陶瓷体位移遮断的设置对切断电极脚引线与半导体陶瓷芯片的电气分断瞬间所产生的电弧有着良好的位移遮断作用，避免了现有装置由于拉弧而导致火灾的隐患； 2.釆用耐高温、无惧电弧、高绝缘的陶瓷材料制成脱离装置，克服原塑料件高温变形引发安全事故的缺陷； 3.设置不同的热脱离结构，可应用于各类浪涌保护器。 【专利附图】【附图说明】 图1是本技术TPMOV类型的浪涌吸收保护器的位移遮断式热脱离结构在正常状态下的结构示意图； 图2是本技术TPMOV类型的浪涌吸收保护器的位移遮断式热脱离结构在脱离状态下的结构示意图； 图3是本技术TMOV类型的浪涌吸收保护器的位移遮断式热脱离结构在正常状态下的结构示意图； 图4是本技术TMOV类型的浪涌吸收保护器的位移遮断式热脱离结构在脱离状态下的结构示意图； 图5是本技术sro类型的浪涌吸收保护器的位移遮断式热脱离结构在正常状态下的结构示意图； 图6是本技术sro类型的浪涌吸收保护器的位移遮断式热脱离结构在脱离状态下的结构示意图。 【具体实施方式】 下面结合附图具体阐明本技术的实施方式，附图仅供参考和说明使用，不构成对本技术专利保护范围的限制。 实施例1: 如图1a所示，在本实施例中，本技术提供一种具有位移遮断式热脱离结构的浪涌吸收保护器，包括盒体1，所述盒体I内设置有半导体陶瓷芯片(MOV芯片)、左电极脚 8、右电极脚7，还包括脱扣电极片6、陶瓷遮断体5 ;所述脱扣电极片6的两面分别为平面 6-0和凸突面6-1，所述脱扣电极片的平面6-0与所述半导体陶瓷芯片的一面相贴合，所述半导体陶瓷芯片的另一面与左电极脚8相贴合，所述脱扣电极片6的凸突面6-1装入本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有位移遮断式热脱离结构的浪涌吸收保护器，包括盒体，所述盒体内设置有半导体陶瓷芯片、左电极脚、右电极脚，其特征在于：还包括脱扣电极片、陶瓷遮断体；所述脱扣电极片的两面分别为平面和凸突面，所述脱扣电极片的平面与所述半导体陶瓷芯片的一面相贴合，所述半导体陶瓷芯片的另一面与左电极脚相贴合，所述脱扣电极片的凸突面装入并固定在所述盒体的孔位中；所述陶瓷遮断体设置的旋转孔位套在所述盒体设置的转轴上，所述陶瓷遮断体设置有焊接孔，所述焊接孔对准所述盒体的孔位，所述焊接孔边缘及周边覆盖有可焊金属层与脱扣电极片的凸突面焊接牢固，形成脱扣焊接点；所述右电极脚插入所述盒体内设置的插槽中，所述右电极脚通过导线另一端与所述可焊金属层焊接牢固；所述陶瓷遮断体与弹力装置接触或连接，所述弹力装置被设置为能在弹簧的弹力作用下推动或拉动所述陶瓷遮断体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曾清隆，陈泽同，
申请(专利权)人：隆科电子惠阳有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44