【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种，包括如下步骤：对等离子反应器抽真空；向所述等离子反应器中通入含碳气体、含硅气体和工作气体；开启所述等离子反应器使所述工作气体形成等离子以撞击所述含碳气体和含硅气体，所述含碳气体和含硅气体在所述等离子的撞击下裂解产生的碳和硅反应生成碳化硅沉积形成类金刚石-碳化硅复合薄膜。【专利说明】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
光学耦合连接器的材料一般为PEI树脂，并且采用射出成型方式制造，即使射出成型机的螺杆温度已达到合适的温度，PEI树脂仍具有相当的粘滞力，容易在模具上衍生残料问题。 另外，由于光学耦合连接器的体积较小，也使得模具的模穴体积较小，从而使树脂在丰旲穴中的流动不易，使得广品上容易留有流纹现象。 在模具上镀上类金刚石(DLC, Diamond-like Carbon)薄膜可以提高模具的抗粘性，但是，类金刚石薄膜很难在金属模具上沉积，需要设置中间层以提高类金刚石薄膜与模具的结合强度，然而，薄膜的生长工艺复杂，通常需要多个过程。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种，复合薄膜可以有效解决类金刚石薄膜与金属模具之间结合问题。 一种，包括如下步骤:对等离子反应器抽真空；向所述等离子反应器中通入含碳气体、含硅气体和工作气体；开启所述等离子反应器使所述工作气体形成等离子以撞击所述含碳气体和含娃气体，所述含碳气体和含娃气体在所述等离子的撞击下裂解产生的碳和硅反应生成碳化硅沉积形成类金刚石-碳化硅复合薄膜。 相较于现有技术，本实施例的制备方法制备的类金刚石-碳化硅的复合薄膜，由于类金刚石-碳化硅的内部镶嵌作用，同...
【技术保护点】
一种类金刚石‑碳化硅复合薄膜的制备方法，包括如下步骤：对等离子反应器抽真空；向所述等离子反应器中通入含碳气体、含硅气体和工作气体；开启所述等离子反应器使所述工作气体形成等离子以撞击所述含碳气体和含硅气体，所述含碳气体和含硅气体在所述等离子的撞击下裂解产生的碳和硅反应生成碳化硅沉积形成类金刚石‑碳化硅复合薄膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：许嘉麟，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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