本发明专利技术公开了一种生长大尺寸的蓝宝石单晶生长炉调节温场装置及调节方法，本发明专利技术通过升降装置来控制坩埚托移动，从而改变坩埚、保温材料和加热器之间的相对位置，来提高蓝宝石单晶生长炉内的温度梯度，使生长炉内的温度梯度更适合生长大尺寸的蓝宝石晶体。解决了大尺寸蓝宝石单晶生长温度梯度不够，甚至温度梯度倒置的问题。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种，本专利技术通过升降装置来控制坩埚托移动，从而改变坩埚、保温材料和加热器之间的相对位置，来提高蓝宝石单晶生长炉内的温度梯度，使生长炉内的温度梯度更适合生长大尺寸的蓝宝石晶体。解决了大尺寸蓝宝石单晶生长温度梯度不够，甚至温度梯度倒置的问题。【专利说明】
本专利技术涉及蓝宝石晶体生长
，具体来说涉及一种。
技术介绍
蓝宝石单晶具有独特而优良的物理化学性质，特别是在0.2~5.0 μ m波段有良好的透光性，可广泛用于红外军事装备、卫星和空间技术等领域。由于蓝宝石晶体的电介质绝缘、有恒定的介电常数等特性，使其成为应用最广泛的衬底材料之一。不仅可以用于军事工业的窗口材料，也可以用于衬底材料和发光二极管(LED)节能环保行业上，具有较好的发展前景。 由于生长大尺寸的蓝宝石单晶需要合适的的温度梯度，但在生长的过程中，温度梯度是随着功率的下降而不断减小的，甚至会出现温度梯度倒置的情况。这导致了无法生长出大尺寸蓝宝石单晶。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术提供一种，以解决现有技术中温度梯度是随着功率的下降而不断减小的问题。 为了实现上述目的，本专利技术的技术方案如下: 一种生长大尺寸的蓝宝石单晶生长炉调节温场装置，其特征在于，包括设置在炉体内的侧保温屏、设置在炉体底部的下保温屏，所述炉体底部还设置有可以上下升降的坩埚托，所述坩埚托的下端连接有一升降装置。 本专利技术中，所述升降装置包括一段气密波纹管、设置在气密波纹管内的且与坩埚托下端连接的连接块、以及与所述连接块连接的精确定位传动系统，通过精确定位传动系统来控制连接块、坩埚托移动。 一种生长大尺寸的蓝宝石单晶生长炉调节温场方法，其特征在于，采用如上述蓝宝石单晶生长炉调节温场装置，通过升降装置使坩埚托向上移动3_时，坩埚内的原料能够完全生长出高质量大尺寸的蓝宝石晶体。 本专利技术通过升降装置来控制坩埚托移动，从而改变坩埚、保温材料和加热器之间的相对位置，来提高蓝宝石单晶生长炉内的温度梯度，使生长炉内的温度梯度更适合生长大尺寸的蓝宝石晶体。解决了大尺寸蓝宝石单晶生长温度梯度不够，甚至温度梯度倒置的问题。 本专利技术的特点可参阅本案图式及以下较好实施方式的详细说明而获得清楚地了解。 【专利附图】【附图说明】 图1为本专利技术的结构示意图。 【具体实施方式】 为了使本专利技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施例进一步阐述本专利技术。 参见图1，一种生长大尺寸的蓝宝石单晶生长炉调节温场装置，包括设置在炉体内的侧保温屏1、设置在炉体底部的下保温屏2，炉体底部还设置有可以上下升降的坩埚托，坩埚托的下端连接有一升降装置。 本实施例中，升降装置包括一段气密波纹管3、设置在气密波纹管内的且与坩埚托下端连接的连接块4、以及与所述连接块连接的精确定位传动系统5，通过精确定位传动系统来控制连接块、坩埚托6移动。(请补充精确定位传动系统驱动连接块的具体过程) 经验证，在一定距离内，当坩埚托向上移动时温度梯度会相对降低，坩埚托向下移动时温度梯度会相应增大；当坩埚托没有移动时，由于生长炉内晶体生长前沿的温度梯度不够，坩埚内的原料不能完全生长成蓝宝石晶体；当通过精确定位传动系统使坩埚托向上移动3-10_时，增加了晶体生长前沿的温度梯度，使坩埚内的原料能够完全生长出大尺寸的监宝石晶体。 在本实施例中，单晶生长炉炉膛内径为750mm，高度IlOOmm ;侧保温屏外径550mm，内径480mm，高度300mm ；加热器直径400mm，坩埚托高360mm，坩埚托顶端距炉体底部为330mmo 以上显示和描述了本专利技术的基本原理、主要特征和本专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是本专利技术的原理，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术的范围内。本专利技术要求的保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。【权利要求】1.一种生长大尺寸的蓝宝石单晶生长炉调节温场装置，其特征在于，包括设置在炉体内的侧保温屏、设置在炉体底部的下保温屏，所述炉体底部还设置有可以上下升降的坩埚托，所述坩埚托的下端连接有一升降装置。2.根据权利要求1所述的生长大尺寸的蓝宝石单晶生长炉调节温场的装置，其特征在于，所述升降装置包括一段气密波纹管、设置在气密波纹管内的且与坩埚托下端连接的连接块、以及与所述连接块连接的精确定位传动系统，通过精确定位传动系统来控制连接块、坩埚托移动。3.—种生长 大尺寸的蓝宝石单晶生长炉调节温场方法，其特征在于，采用如权利要求1所述的生长大尺寸的蓝宝石单晶生长炉调节温场装置，通过升降装置使坩埚托向上移动3mm时，坩埚内的原料能够完全生长出高质量大尺寸的蓝宝石晶体。【文档编号】C30B11/00GK104131350SQ201310159444【公开日】2014年11月5日 申请日期:2013年5月3日 优先权日:2013年5月3日 【专利技术者】周黎 申请人:周黎本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种生长大尺寸的蓝宝石单晶生长炉调节温场装置，其特征在于，包括设置在炉体内的侧保温屏、设置在炉体底部的下保温屏，所述炉体底部还设置有可以上下升降的坩埚托，所述坩埚托的下端连接有一升降装置。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周黎，
申请(专利权)人：周黎，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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