一种新型上电复位电路制造技术

本发明专利技术提供了一种新型上电复位电路，包括基准电流源单元、电流镜单元、延时单元、掉电检测单元和触发器单元；所述基准电流源单元、电流镜单元、延时单元、掉电检测单元和触发器单元依次导线顺序连接，所述基准电流源单元的输入端与电源连接，所述触发器单元的输出端与复位控制输入端连接，所述电流镜单元的输出端还与掉电检测单元的输入端连接，所述延时单元的输出端还与触发器单元的输入端连接。本发明专利技术上电复位电路采用pF级的电容就能实现100ms以上的复位时间，适用于需要较长复位时间的大规模SoC系统；此外，上电复位信号的复位时间受温度影响较小，改善了改POR电路的温度特性，该电路使用的电阻和电容比较小，有利于片上集成。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种新型上电复位电路，包括基准电流源单元(101)、电流镜单元(102)、延时单元(103)、掉电检测单元(104)和触发器单元(105)，其特征在于：所述基准电流源单元(101)、电流镜单元(102)、延时单元(103)、掉电检测单元(104)和触发器单元(105)依次导线顺序连接，所述基准电流源单元(101)的输入端与电源连接，所述触发器单元(105)的输出端与复位控制输入端连接，所述电流镜单元(102)的输出端还与掉电检测单元(104)的输入端连接，所述延时单元(103)的输出端还与触发器单元(105)的输入端连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨洁，邹江，彭侨，
申请(专利权)人：遵义师范学院，
类型：发明
国别省市：贵州;52