预测常规型致密砂岩气藏有利分布发育范围的方法及装置制造方法及图纸

技术编号:10612284 阅读:148 留言:0更新日期:2014-11-05 20:03
本发明专利技术涉及预测常规型致密砂岩气藏有利分布发育范围的方法及装置,该方法包括:确定研究区常规型致密砂岩气藏的主控因素;其中,所述主控因素包括:烃源灶、古隆起、有利沉积相带和区域盖层,且在成藏层位以烃源灶、古隆起、有利沉积相带和区域盖层的顺序自下而上依次出现;确定主控因素的控藏范围;绘制目的层孔隙度平面图;以孔隙度小于12%的区域为力平衡边界进行约束,将常规型致密砂岩气藏的主控因素的控藏范围在所述目的层孔隙度平面图上进行叠合,重叠的区域为常规型致密砂岩气藏最有利的发育范围。本技术方案更客观、更准确的得到了常规型致密砂岩气藏的有利分布发育范围,对常规型致密砂岩气的勘探具有很大的指导意义。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及预测常规型致密砂岩气藏有利分布发育范围的方法及装置,该方法包括:确定研究区常规型致密砂岩气藏的主控因素;其中,所述主控因素包括:烃源灶、古隆起、有利沉积相带和区域盖层,且在成藏层位以烃源灶、古隆起、有利沉积相带和区域盖层的顺序自下而上依次出现;确定主控因素的控藏范围;绘制目的层孔隙度平面图;以孔隙度小于12%的区域为力平衡边界进行约束,将常规型致密砂岩气藏的主控因素的控藏范围在所述目的层孔隙度平面图上进行叠合,重叠的区域为常规型致密砂岩气藏最有利的发育范围。本技术方案更客观、更准确的得到了常规型致密砂岩气藏的有利分布发育范围,对常规型致密砂岩气的勘探具有很大的指导意义。【专利说明】预测常规型致密砂岩气藏有利分布发育范围的方法及装置
本专利技术涉及油气藏有利分布发育范围预测
,特别涉及一种预测常规型致密砂岩气藏有利分布发育范围的方法及装置。
技术介绍
致密砂岩气藏从发现至今,其形成的动力学机制始终未能被解释清楚,由于气藏的形成动力较多且形成过程复杂,难以用单一的成藏动力过程来解释,难以归纳出气藏形成的主控因素。 参考文献1:姜振学、林世国、庞雄奇等,两种类型致密砂岩气藏对比.石油实验地质,2006,28 (3): 210-219,该文献的技术方案根据成藏期与储层致密先后顺序、圈闭类型,将常规型致密砂岩气藏分为归为“先成藏后致密型”类。并指出常规型致密砂岩气藏由于储层致密化发生在源岩排烃高峰期及天然气大规模充注之后形成的。即常规型致密砂岩气藏早期是常规圈闭气藏,后期储层变得致密。首次提出常规型致密砂岩气藏的概念并阐述了常规型砂岩致密气藏的形成机理,为常规型致密砂岩气藏的预测提供了指导。 参考文献2:庞雄奇、周新源、姜振学等,叠合盆地油气藏形成、演化与预测评价.地质学报,2012,该文献系统地阐述了叠合盆地中控制着油气藏形成和分布的功能要素。通过多元复合、过程叠合来确定常规油气的有利分布范围。由于常规型致密砂岩气藏的形成与常规气藏的形成的充分条件是一致的,只是前者在晚期埋藏过程中发生了致密化。因此,多元复合、过程叠合的思想可以为常规型致密砂岩气藏的预测提供借鉴。 但是,上述两种现有方法仍然不能够准确预测常规型致密砂岩气藏。常规型致密砂岩气藏属于致密砂岩气藏中的一种,不仅具备致密砂岩气藏的某些特征,而且与常规型砂岩气藏又有联系。因此,常规型致密砂岩气藏更加复杂,更加难以预测。
技术实现思路
为了解决现有技术的问题,本专利技术提出一种预测常规型致密砂岩气藏有利分布发育范围的方法及装置,解决了预测致密型砂岩气藏有利分布发育范围难的问题。 为实现上述目的,本专利技术提供了一种预测常规型致密砂岩气藏有利分布发育范围的方法,该方法包括: 确定研究区常规型致密砂岩气藏的主控因素;其中,所述主控因素包括:烃源灶、古隆起、有利沉积相带和区域盖层,且在成藏层位以烃源灶、古隆起、有利沉积相带和区域盖层的顺序自下而上依次出现; 确定主控因素的控藏范围; 绘制目的层孔隙度平面图; 以孔隙度小于12%的区域为力平衡边界进行约束,将常规型致密砂岩气藏的主控因素的控藏范围在所述目的层孔隙度平面图上进行叠合,重叠的区域为常规型致密砂岩气藏最有利的发育范围。 优选地,所述绘制目的层孔隙度平面图的步骤还包括: 排除目的层孔隙度平面图上的致密储层范围内晚期形成的隆起。 优选地,所述确定主控因素的控藏范围的步骤包括: 确定烃源灶的控藏范围; 确定古隆起的控藏范围; 确定有利沉积相带的控藏范围; 确定区域盖层的控藏范围。 优选地,所述确定烃源灶的控藏范围的步骤包括: 利用源控成藏计算公式,结合烃源岩生排烃史,计算烃源灶控制下的气藏有利成藏范围;所述源控成藏计算公式是: /) = 0.046-0.l6.ln(人)+ 0.65士+0.1345 其中,P为烃源灶单因素影响下成藏概率;L为标准化的油气成藏区至排烃中心的距离,km ;1为标准化的油气成藏区至排烃边界的距离,km ;qe为烃源灶最大排烃强度,104t/km2。 优选地,所述确定古隆起的控藏范围的步骤包括: 通过对古隆起进行归一化处理,把O?0.25定为坡顶、0.25?0.50定为坡上、 0.50?0.75定为坡下、以及0.75?1.00定为坡脚,根据统计分析确定古隆起控制下的气藏有利成藏范围。 优选地,所述确定有利沉积相带的控藏范围的步骤包括: 分析储层特征,统计出气藏发育的有利沉积相带,所述有利沉积相带即为气藏的有利成藏范围。 优选地,所述确定区域盖层的控藏范围的步骤包括: 评价研究区盖层的封盖性能,统计盖层与气藏分布的关系,获得封盖性能好的区域盖层,此区域盖层分布的范围即为气藏的有利成藏范围。 优选地,所述绘制目的层孔隙度平面图的步骤包括: 利用公式法计算典型井目的层孔隙度,将各井连线即得目的层孔隙度平面图;所述孔隙度的计算公式是: Φ目的层=Φ加权麵+ Δ Φ纖增孔+ Δ Φ溶蚀增孔+ Δ Φ构造减孔+ Δ Φ胶结减孔 其中,Δ Φ 为待预测点溶蚀增孔量与模型中约束值的差值(% ) ;Δ Φ mmmi为待预测点裂缝孔隙度与模型中约束值的差值(% ) ; △ Φ 为待预测点胶结量与模型中约束值的差值(% ) ; Λ Φ 为待预测点构造减孔量与模型中约束值的差值(% ) ;ΦMWt?采用厚度加权平均的方法,利用不同岩性厚度所占比例,根据Φ岩性模型加权得到沉积相的孔隙度;在根据不同沉积相厚度所占比例,加权得到此层位的孔隙度加权模型Owxts型;Φ岩性模型为不同岩性对应的模型。 为实现上述目的,本专利技术还提供了一种预测常规型致密砂岩气藏有利分布发育范围的装置,该装置包括: 主控因素确定单元,用于确定研究区常规型致密砂岩气藏的主控因素;其中,所述主控因素包括:烃源灶、古隆起、有利沉积相带和区域盖层,且在成藏层位以烃源灶、古隆起、有利沉积相带和区域盖层的顺序自下而上依次出现; 控藏范围确定单元,用于确定主控因素的控藏范围; 孔隙度平面图获取单元,用于绘制目的层孔隙度平面图; 预测单元,用于以孔隙度小于12%的区域为力平衡边界进行约束,将常规型致密砂岩气藏的主控因素的控藏范围在所述目的层孔隙度平面图上进行叠合,重叠的区域为常规型致密砂岩气藏最有利的发育范围。 优选地,所述孔隙度平面图获取单元还用于排除目的层孔隙度平面图上的致密储层范围内晚期形成的隆起。 上述技术方案具有如下有益效果:本技术方案利用统计归纳法,对常规型致密气藏的影响因素进行分析,优选出常规气藏的主控因素。根据公式法、统计归纳法确定各单一主控因素的控藏范围。利用孔隙度12%为力平衡边界对常规气藏和常规型致密气藏进行约束,并排除致密储层范围内晚期形成的隆起。最后,将各单因素的控藏范围在平面上进行叠合,各因素重叠的区域即为常规型致密砂岩气藏的有利分布发育范围。该专利技术以动力学基本原理入手,结合统计规律、公式法,更客观、更准确的得到了常规型致密砂岩气藏的有利分布发育范围,对常规型致密砂岩气的勘探具有很大的指导意义。 【专利附图】【附图说明】 为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种预测常规型致密砂岩气藏有利分布发育范围的方法,其特征在于,该方法包括:确定研究区常规型致密砂岩气藏的主控因素;其中,所述主控因素包括:烃源灶、古隆起、有利沉积相带和区域盖层,且在成藏层位以烃源灶、古隆起、有利沉积相带和区域盖层的顺序自下而上依次出现;确定主控因素的控藏范围;绘制目的层孔隙度平面图;以孔隙度小于12%的区域为力平衡边界进行约束,将常规型致密砂岩气藏的主控因素的控藏范围在所述目的层孔隙度平面图上进行叠合,重叠的区域为常规型致密砂岩气藏最有利的发育范围。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:庞雄奇汪文洋霍志鹏庞宏肖爽
申请(专利权)人:中国石油大学北京
类型:发明
国别省市:北京;11

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