电源主电路制造技术

本发明专利技术给出了一种电源主电路，包括第一二极管D1～第八二极管D8、第一电容C1～第六电容C2、第一电阻R1～第三电阻R3、第一MOS管S1和第二MOS管S2。本发明专利技术提出的主电源电路，能够适用较大的功率范围的要求且电路结构较为简单，功率开关组件较少，成本较低。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术给出了一种电源主电路，包括第一二极管D1～第八二极管D8、第一电容C1～第六电容C2、第一电阻R1～第三电阻R3、第一MOS管S1和第二MOS管S2。本专利技术提出的主电源电路，能够适用较大的功率范围的要求且电路结构较为简单，功率开关组件较少，成本较低。【专利说明】 电源主电路
本专利技术涉及电源领域，尤其涉及一种电源主电路。
技术介绍
目前，开关电源以轻量、小型以及高效率的特点被广泛应用于以计算机为主导的终端设备、通信设备等几乎所有的电子设备，是当今电子信息产业飞速发展不可缺少的一种电源方式。目前市场上开关电源中应用双极性晶体管制成的100kHz、用MOS-FET制成的500kHz电源，虽已实用化，但其开关频率有待进一步提高。本专利技术提出一种主电源电路，能够适用较大的功率范围的要求且电路结构较为简单，功率开关组件较少，成本较低。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种电源主电路，包括第一二极管Dl?第八二极管D8、第一电容Cl?第六电容C2、第一电阻Rl?第三电阻R3、第一 MOS管SI和第二 MOS管S2，其中，第一电容Cl、第二电容C2以及电阻Rl并联，第一电容Cl的一端接第六二极管D6的输出端以及第七二极管D7的输出端，并连接第三电容C3、第五电容C5以及第一 MOS管SI的漏极，第一电容Cl的另一端接第五二极管D5的输入端以及第八二极管D8的输入端，并连接第四电容C4以及第四二极管D4的输出端，第四电容C4的另一端接第三电容C3的另一端；第五二极管D5的输出端及第八二极管D8的输出端接电源两极；第四二极管D4的输出端还连接第三电阻R3，第三电阻R3的另一端连接第四二极管D4的输入端和第六电容C6，第六电容C6的另一端连接第二 MOS管S2的漏极，第二 MOS管S2的漏极还连接第一 MOS管SI的源极以及第二二极管D2的输出端，第二二极管D2的输入端连接第二 MOS管S2的源极以及第四二极管D4的输出端，第五电容C5的另一端接第二电阻R2和第三二极管D3的输入端，第三二极管D3的输出端连接第二电阻R2的另一端以及第一 MOS管SI的源极，第一MOS管SI的源极还连接第一二极管Dl的输入端，第一二极管Dl的输出端连接第一 MOS管 SI的漏极。 【专利附图】【附图说明】 为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 图1为本专利技术一实施例提供的电源主电路的结构示意图。 【具体实施方式】 为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。 图1为本专利技术一实施例提供的的电源主电路的结构示意图，如图1所示，本实施例的电源主电路，包括第一二极管Dl?第八二极管D8、第一电容Cl?第六电容C2、第一电阻Rl?第三电阻R3、第一 MOS管SI和第二 MOS管S2，其中，第一电容Cl、第二电容C2以及电阻Rl并联，第一电容Cl的一端接第六二极管D6的输出端以及第七二极管D7的输出端，并连接第三电容C3、第五电容C5以及第一 MOS管SI的漏极,第一电容Cl的另一端接第五二极管D5的输入端以及第八二极管D8的输入端，并连接第四电容C4以及第四二极管D4的输出端，第四电容C4的另一端接第三电容C3的另一端；第五二极管D5的输出端及第八二极管D8的输出端接电源两极；第四二极管D4的输出端还连接第三电阻R3，第三电阻R3的另一端连接第四二极管D4的输入端和第六电容C6,第六电容C6的另一端连接第二 MOS管 S2的漏极，第二 MOS管S2的漏极还连接第一 MOS管SI的源极以及第二二极管D2的输出端，第二二极管D2的输入端连接第二 MOS管S2的源极以及第四二极管D4的输出端，第五电容C5的另一端接第二电阻R2和第三二极管D3的输入端，第三二极管D3的输出端连接第二电阻R2的另一端以及第一 MOS管SI的源极，第一 MOS管SI的源极还连接第一二极管Dl的输入端，第一二极管Dl的输出端连接第一 MOS管SI的漏极。 本实施例的电源主电路的工作过程为: 可变交流电压(0-220V)输入，经第五二极管D5?第八二极管D8进行整流，再经Cl、C2滤波，通过C3、C4后，经变压器升压及再次整流滤波得到可调直流电压。本实施例的电源主电路适用的功率范围满足设计要求，电路结构较为简单，功率开关组件较少。 最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本专利技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本专利技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本专利技术各实施例技术方案的精神和范围。【权利要求】1.一种电源主电路,其特征在于,所述电路包括第一二极管Dl?第八二极管D8、第一电容Cl?第六电容C2、第一电阻Rl?第三电阻R3、第一 MOS管SI和第二 MOS管S2，其中，第一电容Cl、第二电容C2以及电阻Rl并联，第一电容Cl的一端接第六二极管D6的输出端以及第七二极管D7的输出端，并连接第三电容C3、第五电容C5以及第一 MOS管SI的漏极，第一电容Cl的另一端接第五二极管D5的输入端以及第八二极管D8的输入端，并连接第四电容C4以及第四二极管D4的输出端，第四电容C4的另一端接第三电容C3的另一端；第五二极管D5的输出端及第八二极管D8的输出端接电源两极；第四二极管D4的输出端还连接第三电阻R3，第三电阻R3的另一端连接第四二极管D4的输入端和第六电容C6，第六电容C6的另一端连接第二 MOS管S2的漏极，第二 MOS管S2的漏极还连接第一 MOS管SI的源极以及第二二极管D2的输出端，第二二极管D2的输入端连接第二 MOS管S2的源极以及第四二极管D4的输出端，第五电容C5的另一端接第二电阻R2和第三二极管D3的输入端，第三二极管D3的输出端连接第二电阻R2的另一端以及第一 MOS管SI的源极，第一 MOS管SI的源极还连接第一二极管Dl的输入端，第一二极管Dl的输出端连接第一 MOS管SI的漏极。【文档编号】H02M7/217GK104135173SQ201410348437【公开日】2014年11月5日 申请日期:2014年7月16日 优先权日:2014年7月16日 【专利技术者】卓朝旦 申请人:奉化市宇创产品设计有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电源主电路，其特征在于，所述电路包括第一二极管D1～第八二极管D8、第一电容C1～第六电容C2、第一电阻R1～第三电阻R3、第一MOS管S1和第二MOS管S2，其中，第一电容C1、第二电容C2以及电阻R1并联，第一电容C1的一端接第六二极管D6的输出端以及第七二极管D7的输出端，并连接第三电容C3、第五电容C5以及第一MOS管S1的漏极，第一电容C1的另一端接第五二极管D5的输入端以及第八二极管D8的输入端，并连接第四电容C4以及第四二极管D4的输出端，第四电容C4的另一端接第三电容C3的另一端；第五二极管D5的输出端及第八二极管D8的输出端接电源两极；第四二极管D4的输出端还连接第三电阻R3，第三电阻R3的另一端连接第四二极管D4的输入端和第六电容C6，第六电容C6的另一端连接第二MOS管S2的漏极，第二MOS管S2的漏极还连接第一MOS管S1的源极以及第二二极管D2的输出端，第二二极管D2的输入端连接第二MOS管S2的源极以及第四二极管D4的输出端，第五电容C5的另一端接第二电阻R2和第三二极管D3的输入端，第三二极管D3的输出端连接第二电阻R2的另一端以及第一MOS管S1的源极，第一MOS管S1的源极还连接第一二极管D1的输入端，第一二极管D1的输出端连接第一MOS管S1的漏极。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：卓朝旦，
申请(专利权)人：奉化市宇创产品设计有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33