本实用新型专利技术公开了一种EI型三相电抗器,包括EI型磁芯和三个绕组,所述EI型磁芯包括均为磁体的磁芯上轭、左心柱磁芯、中心柱磁芯、右心柱磁芯和磁芯下轭,所述磁芯上轭和磁芯下轭均为多片硅钢片组成,所述左心柱磁芯、中心柱磁芯、右心柱磁芯平行设置于所述磁芯上轭、磁芯下轭之间,所述中心柱磁芯为长方体,三个所述绕组方向一致的缠绕在所述中心柱磁芯上。本实用新型专利技术采用硅钢片与金属粉芯结合的双磁路回路磁芯,在中心柱磁芯上缠绕三个方向一致的绕组,解决了磁路长度不相等的问题,保证了三相的平衡,该结构结合了金属粉芯均匀内部气隙和硅钢片的高磁导率优势,相互之间弥补缺陷,感量高,体积小,噪音小,更好的满足性能需求。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种EI型三相电抗器,包括EI型磁芯和三个绕组,所述EI型磁芯包括均为磁体的磁芯上轭、左心柱磁芯、中心柱磁芯、右心柱磁芯和磁芯下轭,所述磁芯上轭和磁芯下轭均为多片硅钢片组成,所述左心柱磁芯、中心柱磁芯、右心柱磁芯平行设置于所述磁芯上轭、磁芯下轭之间,所述中心柱磁芯为长方体,三个所述绕组方向一致的缠绕在所述中心柱磁芯上。本技术采用硅钢片与金属粉芯结合的双磁路回路磁芯,在中心柱磁芯上缠绕三个方向一致的绕组,解决了磁路长度不相等的问题,保证了三相的平衡,该结构结合了金属粉芯均匀内部气隙和硅钢片的高磁导率优势,相互之间弥补缺陷,感量高,体积小,噪音小,更好的满足性能需求。【专利说明】—种El型三相电抗器
本技术涉及一种电抗器,尤其涉及一种EI型三相电抗器。
技术介绍
传统的三相电抗器存在磁路长度不相等,容易三相不平衡,感量较低,体积较大,噪音较大等缺陷,性能单一有较大的局限性。
技术实现思路
为解决上述现有技术中所存在的问题,本技术提供一种EI型三相电抗器。 本技术采用如下技术方案实现:一种EI型三相电抗器,包括EI型磁芯和三个绕组,所述EI型磁芯包括均为磁体的磁芯上轭、左心柱磁芯、中心柱磁芯、右心柱磁芯和磁芯下轭,所述磁芯上轭和磁芯下轭均为多片硅钢片组成,所述左心柱磁芯、中心柱磁芯和右心柱磁芯均为金属粉芯制成,所述左心柱磁芯、中心柱磁芯、右心柱磁芯平行设置于所述磁芯上轭、磁芯下轭之间,所述左心柱磁芯、中心柱磁芯、右心柱磁芯的顶端与所述磁芯上轭相接触,所述左心柱磁芯、中心柱磁芯、右心柱磁芯的底端与所述磁芯下轭相接触,所述中心柱磁芯为长方体,所述磁芯上轭、左心柱磁芯、中心柱磁芯、右心柱磁芯和磁芯下轭形成闭合磁路,三个所述绕组方向一致的缠绕在所述中心柱磁芯上。 作为本技术的进一步改进,所述磁芯上轭、磁芯下轭相平行,所述左心柱磁芯、中心柱磁芯、右心柱磁芯垂直于所述磁芯上轭、磁芯下轭。 作为本技术的进一步改进,所述磁芯上轭、磁芯下轭为等大的长方体。 作为本技术的进一步改进,所述左心柱磁芯、右心柱磁芯为等大的长方体。 作为本技术的进一步改进,所述中心柱磁芯与所述左心柱磁芯、右心柱磁芯的长和宽均相等,所述中心柱磁芯的厚度为所述左心柱磁芯、右心柱磁芯的厚度的两倍。 与现有技术相比,本技术具有如下有益效果:本技术采用硅钢片与金属粉芯结合的双磁路回路磁芯,在中心柱磁芯上缠绕三个方向一致的绕组,解决了磁路长度不相等的问题,保证了三相的平衡,该结构结合了金属粉芯均匀内部气隙和硅钢片的高磁导率优势,相互之间弥补缺陷,感量高,体积小,噪音小,更好的满足性能需求。 【专利附图】【附图说明】 图1是本技术一种EI型三相电抗器的立体结构图; 其中:1、EI型磁芯,2、绕组,11、磁芯上轭,12、左心柱磁芯,13、中心柱磁芯,14、右心柱磁芯,15、磁芯下轭。 【具体实施方式】 下面结合具体实施例对本技术一种EI型三相电抗器作进一步的详细说明。 如图1所示,本技术提出一种EI型三相电抗器,包括EI型磁芯I和三个绕组2,所述EI型磁芯I包括均为磁体的磁芯上轭11、左心柱磁芯12、中心柱磁芯13、右心柱磁芯14和磁芯下轭15,所述磁芯上轭11和磁芯下轭15均为多片硅钢片组成,所述左心柱磁芯12、中心柱磁芯13和右心柱磁芯14均为金属粉芯制成,所述左心柱磁芯12、中心柱磁芯13、右心柱磁芯14平行设置于所述磁芯上轭11、磁芯下轭15之间,所述左心柱磁芯12、中心柱磁芯13、右心柱磁芯14的顶端与所述磁芯上轭11相接触,所述左心柱磁芯12、中心柱磁芯13、右心柱磁芯14的底端与所述磁芯下轭15相接触;所述磁芯上轭11、磁芯下轭15相平行,所述左心柱磁芯12、中心柱磁芯13、右心柱磁芯14垂直于所述磁芯上轭11、磁芯下轭15 ;所述磁芯上轭11、左心柱磁芯12、中心柱磁芯13、右心柱磁芯14和磁芯下轭15形成闭合磁路;所述磁芯上轭11、磁芯下轭15为等大的长方体,所述左心柱磁芯12、中心柱磁芯13、右心柱磁芯14均为长方体,且所述左心柱磁芯12与右心柱磁芯14等大,所述中心柱磁芯13与所述左心柱磁芯12、右心柱磁芯14的长和宽均相等,所述中心柱磁芯13的厚度为所述左心柱磁芯12、右心柱磁芯14的厚度的两倍,三个所述绕组2方向一致的缠绕在所述中心柱磁芯13上。 以上所述仅为本技术的较佳实施例而已,并不用以限制本技术,任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本技术的保护范围的内。因此,本技术的保护范围应该以权利要求所界定的保护范围为准。【权利要求】1.一种EI型三相电抗器,其特征在于:包括EI型磁芯和三个绕组,所述EI型磁芯包括均为磁体的磁芯上轭、左心柱磁芯、中心柱磁芯、右心柱磁芯和磁芯下轭,所述磁芯上轭和磁芯下轭均为多片娃钢片组成,所述左心柱磁芯、中心柱磁芯和右心柱磁芯均为金属粉芯制成,所述左心柱磁芯、中心柱磁芯、右心柱磁芯平行设置于所述磁芯上轭、磁芯下轭之间,所述左心柱磁芯、中心柱磁芯、右心柱磁芯的顶端与所述磁芯上轭相接触,所述左心柱磁芯、中心柱磁芯、右心柱磁芯的底端与所述磁芯下轭相接触,所述中心柱磁芯为长方体,所述磁芯上轭、左心柱磁芯、中心柱磁芯、右心柱磁芯和磁芯下轭形成闭合磁路,三个所述绕组方向一致的缠绕在所述中心柱磁芯上。2.根据权利要求1所述的EI型三相电抗器,其特征在于:所述磁芯上轭、磁芯下轭相平行,所述左心柱磁芯、中心柱磁芯、右心柱磁芯垂直于所述磁芯上轭、磁芯下轭。3.根据权利要求1所述的EI型三相电抗器,其特征在于:所述磁芯上轭、磁芯下轭为等大的长方体。4.根据权利要求1所述的EI型三相电抗器,其特征在于:所述左心柱磁芯、右心柱磁芯为等大的长方体。5.根据权利要求1所述的EI型三相电抗器,其特征在于:所述中心柱磁芯与所述左心柱磁芯、右心柱磁芯的长和宽均相等,所述中心柱磁芯的厚度为所述左心柱磁芯、右心柱磁芯的厚度的两倍。【文档编号】H01F27/24GK203931738SQ201420229909【公开日】2014年11月5日 申请日期:2014年5月6日 优先权日:2014年5月6日 【专利技术者】罗涛 申请人:深圳市铂科磁材有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种EI型三相电抗器,其特征在于:包括EI型磁芯和三个绕组,所述EI型磁芯包括均为磁体的磁芯上轭、左心柱磁芯、中心柱磁芯、右心柱磁芯和磁芯下轭,所述磁芯上轭和磁芯下轭均为多片硅钢片组成,所述左心柱磁芯、中心柱磁芯和右心柱磁芯均为金属粉芯制成,所述左心柱磁芯、中心柱磁芯、右心柱磁芯平行设置于所述磁芯上轭、磁芯下轭之间,所述左心柱磁芯、中心柱磁芯、右心柱磁芯的顶端与所述磁芯上轭相接触,所述左心柱磁芯、中心柱磁芯、右心柱磁芯的底端与所述磁芯下轭相接触,所述中心柱磁芯为长方体,所述磁芯上轭、左心柱磁芯、中心柱磁芯、右心柱磁芯和磁芯下轭形成闭合磁路,三个所述绕组方向一致的缠绕在所述中心柱磁芯上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:罗涛,
申请(专利权)人:深圳市铂科磁材有限公司,
类型:新型
国别省市:广东;44
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