用于液晶显示装置的阵列基板制造方法及图纸

一种用于液晶显示装置的阵列基板，该阵列基板包括：基板，其具有显示区域和非显示区域；所述基板上的选通线以及第一数据线和第二数据线；分别位于第一像素区域和第二像素区域中的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管连接至所述选通线和所述第一数据线，该第二薄膜晶体管连接至所述选通线和所述第二数据线；所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管上的平面化层，该平面化层具有用于暴露所述第一薄膜晶体管的漏电极和所述第二薄膜晶体管的漏电极这二者的漏接触孔；以及所述平面化层上方的像素电极和公共电极。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种用于液晶显示装置的阵列基板，该阵列基板包括：基板，其具有显示区域和非显示区域；所述基板上的选通线以及第一数据线和第二数据线；分别位于第一像素区域和第二像素区域中的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管连接至所述选通线和所述第一数据线，该第二薄膜晶体管连接至所述选通线和所述第二数据线；所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管上的平面化层，该平面化层具有用于暴露所述第一薄膜晶体管的漏电极和所述第二薄膜晶体管的漏电极这二者的漏接触孔；以及所述平面化层上方的像素电极和公共电极。【专利说明】用于液晶显示装置的阵列基板
本专利技术涉及液晶显示装置。本专利技术还涉及用于孔径比得到改进的边缘场开关模式液晶显示装置的阵列基板。
技术介绍
有利于显示运动图像并且由于高对比度而广泛用作便携式装置的显示器、计算机的监视器以及电视的液晶显示(LCD)装置可基于光学各向异性和液晶分子的偏振来形成图像。由于液晶分子具有薄和长的外形，所以液晶分子的排列具有一定方向。当液晶分子被设置在电场中时，液晶分子的排列方向根据电场的强度和方向而改变。 IXD装置可包括作为基本组件的液晶面板。LC面板可包括上面具有两个电极的两个基板以及该两个基板之间的液晶层。可通过改变在所述两个电极之间产生的电场来调节液晶层中的液晶分子的排列方向，并且可改变液晶层的透射率以显示各种图像。 通常，LCD装置包括阵列基板、滤色器基板以及该阵列基板与该滤色器基板之间的液晶层。选通线和数据线、开关元件和像素电极形成在阵列基板上，并且滤色器层和公共电极形成在滤色器基板上。液晶层中的液晶分子通过像素电极和公共电极之间产生的竖直电场来驱动。 然而，利用垂直于阵列基板的竖直电场的LCD装置具有相对窄的视角。为了改进视角，提出了面内切换(IPS)模式IXD装置。在IPS模式IXD装置中，像素电极和公共电极交替地形成在阵列基板上，并且在像素电极和公共电极之间产生水平电场。由于液晶分子由水平电场驱动以沿着平行于阵列基板的方向运动，所以IPS模式LCD装置的视角改进。 然而，IPS模式IXD装置具有相对低的孔径比和相对低的透射率。为了改进孔径比和透射率，提出了通过边缘场驱动液晶分子的边缘场开关(FFS)模式LCD装置。 图1是示出用于根据现有技术的边缘场开关模式液晶显示装置的阵列基板的平面图。 在图1中，选通线43和数据线51形成在用于边缘场开关(FFS)模式液晶显示(IXD)装置的阵列基板I上。选通线43与数据线交叉以限定像素区域P。连接至选通线43和数据线51的薄膜晶体管(TFT)Tr形成在像素区域P中。TFT Tr包括多晶硅的半导体层41、半导体层41上的栅绝缘层(未示出)、栅绝缘层上的第一栅电极44a和第二栅电极44b以及接触半导体层41的源电极55和漏电极58。第一栅电极44a和第二栅电极44b彼此间隔开，并且源电极55和漏电极58彼此间隔开。 虽然与包括非晶硅半导体层的TFT相比，包括多晶硅的半导体层的TFT具有较高的迁移率，但是与包括非晶硅半导体层的TFT相比，包括多晶硅的半导体层的TFT由于漏电电流(leakage current)而具有较高的漏电流(off current)。为了减小漏电流,包括多晶硅的半导体层41的TFT Tr形成为具有双栅极(第一栅电极44a和第二栅电极44b)。 光丙烯酸材料(photo acrylic material)的平面化层(未示出)形成在TFT Tr上，并且公共电极60形成在平面化层上。公共电极60具有与像素区域P中的TFT Tr对应的第一开口(未示出)。 钝化层(未示出)形成在公共电极60上，并且连接至TFT Tr的像素电极70形成在像素区域P中的钝化层上。像素电极70通过漏接触孔dch接触TFT Tr的漏电极58，并具有多个第二开口 op2，所述第二开口 op2具有平行于数据线51的条状。 FFS模式IXD装置I可用作诸如电视的大尺寸显示器或用于诸如智能电话和平板个人计算机的个人便携式设备的小尺寸显示器。大尺寸显示器或小尺寸显示器由于高分辨率而需要优良的显示质量。显示装置中的分辨率可定义为单位面积中的像素数(每英寸像素:PPI)，并且高分辨率的装置具有等于或大于大约200PPI的分辨率。 为了获得高分辨率，单位面积中的像素数应该增大并且像素区域的面积应该减小。然而，由于像素区域的面积涉及显示装置的元件、元件的布置和显示装置的孔径比，所以在减小像素区域的面积方面存在限制。具体地说，由于在各种显示装置当中，孔径比是IXD装置的高分辨率的关键因素，所以高分辨率的IXD装置需要高孔径比。 FFS模式LCD装置的阵列基板I包括光丙烯酸材料的平面化层，并且该平面化层具有用于暴露TFT Tr的漏电极58的漏接触孔dch。漏接触孔dch具有用于防止劣化的最小面积并形成在各个像素区域P中。结果，漏接触孔dch是减小孔径比的因素。为了高分辨率，要求用于FFS模式LCD装置的阵列基板I具有高孔径比的结构。
技术实现思路
一种用于液晶显示装置的阵列基板，该阵列基板包括:基板，其具有显示区域和包围该显示区域的非显示区域；位于所述基板上的选通线以及第一数据线和第二数据线，所述选通线平行于水平方向，所述第一数据线和第二数据线彼此间隔开并平行于竖直方向，所述选通线与所述第一数据线和第二数据线交叉，以限定在所述显示区域中沿着竖直方向设置的第一像素区域和第二像素区域；分别位于第一像素区域和第二像素区域中的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管连接至选通线和第一数据线，第二薄膜晶体管连接至选通线和第二数据线；位于第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管上的平面化层，该平面化层具有用于暴露第一薄膜晶体管的漏电极和第二薄膜晶体管的漏电极这二者的漏接触孔；以及平面化层上的像素电极和公共电极，该像素电极和该公共电极在所述第一像素区域和第二像素区域中彼此交叠。 应该理解，以上总体说明和以下详细说明这二者均为示例性和解释性的，并且旨在提供对本专利技术的进一步解释。 【专利附图】【附图说明】 附图被包括以提供对本专利技术的进一步理解，并且被并入本说明书并构成本说明书的一部分，附图示出了本专利技术的实施方式，并且与说明书一起用于解释本专利技术的原理。附图中: 图1是用于根据现有技术的边缘场开关模式液晶显示装置的阵列基板的平面图； 图2是示出用于根据本专利技术的第一实施方式的边缘场开关模式液晶显示装置的阵列基板的平面图； 图3是沿着图2的线II1-1II截取的截面图； 图4是沿着图2的线IV-1V截取的截面图； 图5是沿着图2的线V-V截取的截面图； 图6是与图2的线II1-1II对应的截面图，并示出了用于根据本专利技术的第二实施方式的边缘场开关模式液晶显示装置的阵列基板； 图7是与图2的线IV-1V对应的截面图，并示出了用于根据本专利技术的第二实施方式的边缘场开关模式液晶显示装置的阵列基板；以及 图8是与图2的线V-V对应的截面图，并示出了用于根据本专利技术的第二实施方式的边缘场开关模式液晶显示装置的阵列基板。 【具体实施方式】 现在将详细描述优选实施方式，其示例示出在附图中。 图2是示出用于根据本专利技术的第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于液晶显示装置的阵列基板，该阵列基板包括：基板，具有显示区域和包围该显示区域的非显示区域；所述基板上的选通线以及第一数据线和第二数据线，所述选通线平行于水平方向，所述第一数据线和所述第二数据线彼此间隔开并平行于竖直方向，所述选通线与所述第一数据线和所述第二数据线交叉，以限定在所述显示区域中沿着竖直方向设置的第一像素区域和第二像素区域；分别位于所述第一像素区域和所述第二像素区域中的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管连接至所述选通线和所述第一数据线，所述第二薄膜晶体管连接至所述选通线和所述第二数据线；位于所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管上的平面化层，该平面化层具有用于暴露所述第一薄膜晶体管的漏电极和所述第二薄膜晶体管的漏电极这二者的漏接触孔；以及所述平面化层上的像素电极和公共电极，该像素电极和该公共电极在所述第一像素区域和所述第二像素区域中彼此交叠。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：郑义显，李正一，金可卿，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR