位移控制单元制造技术

本发明专利技术公开了一种在显示系统中的移位控制单元。该移位控制单元包含第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第一电容及第二电容。每一晶体管包含第一端、第二端及控制端。每一电容包含第一端及第二端。该第一晶体管的第一端用于接收可调整宽度的输入脉冲信号且该第一晶体管的控制端用于接收第一时钟脉冲信号；该第二晶体管的第一端用于接收第二时钟脉冲信号；该第二电容的第一端用于接收该第一时钟脉冲信号，该第四晶体管的第二端用于输出发光脉冲信号。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种在显示系统中的移位控制单元。该移位控制单元包含第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第一电容及第二电容。每一晶体管包含第一端、第二端及控制端。每一电容包含第一端及第二端。该第一晶体管的第一端用于接收可调整宽度的输入脉冲信号且该第一晶体管的控制端用于接收第一时钟脉冲信号；该第二晶体管的第一端用于接收第二时钟脉冲信号；该第二电容的第一端用于接收该第一时钟脉冲信号，该第四晶体管的第二端用于输出发光脉冲信号。【专利说明】位移控制单元
本专利技术提供一种位移控制单元,尤指一种用于有机发光二极管(Organic LightEmitting D1de, OLED)显示装置中的可调整发光脉冲宽度的位移控制单元。
技术介绍
有机发光二极管显示装置(Organic Light Emitting D1de, OLED)拥有高亮度、反应速度快、轻薄短小、广色域、高对比、视野范围广、不需要液晶显示装置的背光源以及低耗电量等优点，逐渐成为新一代可携式资讯产品及笔记型电脑普遍使用的显示装置，然而，其需要设计适当的栅极驱动电路以保证其稳定工作与显示品质。 一般来说，有机发光二极管显示装置中的栅极驱动电路会产生多个发光脉冲信号及多个扫描信号来控制多个OLED像素的灰阶表现及发光时间，而栅极驱动电路以多级的移位寄存器做为重要的核心电路，每一级的移位寄存器包含位移控制单元，位移控制单元包含多个薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)开关以及多个电容。而移位寄存器也是除了画面像素电路之外，在面板内部最重要且最多的数字电路。因此，移位寄存器在电路架构设计上，除了基本功能要能够正常工作外，其内部的位移控制单元也必需考量功率消耗，制成容忍度及布局面积等相关问题。 然而，现有的位移控制单元由于晶体管特性，常常在高低电位之间存在漏电路径而导致栅极驱动电路输出的发光脉冲信号及扫描信号失真而影响显示器影像品质。另外，由于位移控制单元电路所需的TFT开关甚多，当移位寄存器的级数很大时会花费大量的布局面积及功率消耗，此外，利用位移控制单元实现的栅极驱动电路只能接受最多两个系统时钟脉冲宽度的脉冲信号的输出及输入，如此将造成每一个OLED像素发光时间被限制为最多两个时钟脉冲，因此当OLED显示装置在特殊应用上欲延长其发光时间时，位移控制单元电路将无法有弹性的被应用在栅极驱动电路中。
技术实现思路
本专利技术提供一种位移控制单元，包含第一晶体管，包含第一端用以接收输入脉冲信号，控制端用以接收第一时钟脉冲信号，及第二端；第二晶体管，包含第一端用以接收第二时钟脉冲信号，控制端，及第二端；第一电容，包含第一端耦接于该第二晶体管的第二端，及第二端耦接于该第一晶体管的第二端；第三晶体管，包含第一端用以接收第一直流偏压，控制端耦接于该第一晶体管的第二端，及第二端；第二电容，包含第一端用以接收该第一时钟脉冲信号，及第二端耦接于该第三晶体管的第二端；第四晶体管，包含第一端用以接收第二直流偏压，控制端耦接于该第一晶体管的第二端，及第二端耦接于该第二晶体管的控制端，用以输出一发光脉冲信号；及第五晶体管，包含第一端耦接于该第四晶体管的第二端；一控制端耦接于该第三晶体管的第二端，及一第二端用以接收该第一直流偏压。 本专利技术另提供一种位移控制单元，包含第一晶体管，包含第一端用以接收输入脉冲信号，控制端用以接收第一时钟脉冲信号，及第二端；第二晶体管，包含第一端用以接收第二时钟脉冲信号，控制端，及第二端；第一电容，包含第一端耦接于该第二晶体管的第二端，及第二端耦接于该第一晶体管的第二端；第二电容，包含第一端用以接收该第一时钟脉冲信号，及第二端；第三晶体管，包含第一端耦接于该第二电容的第二端，控制端耦接于该第一晶体管的第二端，及第二端用以接收第二直流偏压；第四晶体管，包含第一端用以接收第一直流偏压，控制端耦接于该第一晶体管的第二端，及第二端耦接于该第二晶体管的控制端，用以输出发光脉冲信号；及第五晶体管，包含第一端耦接于该第四晶体管的第二端，控制端耦接于该第三晶体管的第一端，及第二端用以接收该第二直流偏压。 【专利附图】【附图说明】 图1为本专利技术第一实施例的位移控制单元的电路示意图。 图2为图1位移控制单元的输入脉冲信号、第一时钟脉冲信号、第二时钟脉冲信号及发光脉冲信号在十个时钟脉冲区间内的波形图。 图3为本专利技术第二实施例的位移控制单元的电路示意图。 其中，附图标记: NI第一 N型金氧半导体场效晶体管 N2第二 N型金氧半导体场效晶体管 N3第三N型金氧半导体场效晶体管 N4第四N型金氧半导体场效晶体管 N5第五N型金氧半导体场效晶体管 Pl第一 P型金氧半导体场效晶体管 P2第二 P型金氧半导体场效晶体管 P3第三P型金氧半导体场效晶体管 P4第四P型金氧半导体场效晶体管 P5第五P型金氧半导体场效晶体管 Cl第一电容 C2第二电容 IN输入脉冲信号 EM发光脉冲信号 CK第一时钟脉冲信号 XCK第二时钟脉冲信号 VGH第一直流偏压 VGL第二直流偏压 t0 至 110时间 【具体实施方式】 为让本专利技术更显而易懂，下文依本专利技术的位移控制单元电路，特举实施例配合附图作详细说明，但所提供的实施例并非用以限制本专利技术所涵盖的范围。 请参考图1，图1为本专利技术第一实施例的位移控制单元100的电路示意图。如图1所示，位移控制单元100包含第一 P型金氧半导体场效晶体管P1、第二 P型金氧半导体场效晶体管P2、第三P型金氧半导体场效晶体管P3、第四P型金氧半导体场效晶体管P4及第五P型金氧半导体场效晶体管P5、第一电容Cl及第二电容C2。每一 P型金氧半导体场效晶体管PU P2、P3、P4、P5包含第一端、控制端以及第二端。每一电容Cl、C2包含第一端以及第二端。位移控制单元100的第一 P型金氧半导体场效晶体管Pl的第一端用来接收输入脉冲信号IN，第一 P型金氧半导体场效晶体管Pl的控制端和第二电容C2的第一端用来接收第一时钟脉冲信号CK，第二 P型金氧半导体场效晶体管P2的第一端用来接收第二时钟脉冲信号XCK，第三P型金氧半导体场效晶体管P3的第二端和第五P型金氧半导体场效晶体管P5的第二端耦接于第一直流偏压Vra，第四P型金氧半导体场效晶体管P4的第一端耦接于第二直流偏压Va，而第四P型金氧半导体场效晶体管P4的第二端会传送发光脉冲信号EM至第二 P型金氧半导体场效晶体管P2的控制端以控制第二 P型金氧半导体场效晶体管P2的开关，且第四P型金氧半导体场效晶体管P4的第二端另耦接于发光二极管。在位移控制单兀100中，第一直流偏压Vra相对于第二直流偏压Va为高电位且第一时钟脉冲信号CK和第二时钟脉冲信号XCK可为反向，当第一时钟脉冲信号CK为高电位时，由于第一直流偏压Vra亦为高电位，无论第三P型金氧半导体场效晶体管P3是否开启，第五P型金氧半导体场效晶体管P5的控制端电位必为高电位而将第五P型金氧半导体场效晶体管P5关闭；当第一时钟脉冲信号CK为低电位且输入脉冲信号IN为高电位时，第一 P型金氧半导体场效晶体管Pl为开启，故高电位的输入本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种移位控制单元，其特征在于，包含：一第一晶体管，包含：一第一端，用以接收一输入脉冲信号；一控制端，用以接收一第一时钟脉冲信号；及一第二端；一第二晶体管，包含：一第一端，用以接收一第二时钟脉冲信号；一控制端；及一第二端；一第一电容，包含：一第一端，耦接于该第二晶体管的第二端；及一第二端，耦接于该第一晶体管的第二端；一第三晶体管，包含：一第一端，用以接收一第一直流偏压；一控制端，耦接于该第一晶体管的第二端；及一第二端；一第二电容，包含：一第一端，用以接收该第一时钟脉冲信号；及一第二端，耦接于该第三晶体管的第二端；一第四晶体管，包含：一第一端，用以接收一第二直流偏压；一控制端，耦接于该第一晶体管的第二端；及一第二端，耦接于该第二晶体管的控制端，用以输出一发光脉冲信号；及一第五晶体管，包含：一第一端，耦接于该第四晶体管的第二端；一控制端，耦接于该第三晶体管的第二端；及一第二端，用以接收该第一直流偏压。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡永胜，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71