一种螺硅芴化合物及其制备方法技术

本发明专利技术属于有机物合成领域，特别涉及一种螺硅芴化合物及其制备方法。该螺硅芴型化合物结构式为本发明专利技术提供的螺硅芴化合物的合成路线简单、有效、原料为商业化产品，合成成本低、合成方法具有普适性，可推广到其他各种取代基取代的螺硅芴化合物的合成，同时本发明专利技术合成的螺硅芴化合物在有机发光二级管和场效应晶体管等有机半导体器件中有良好的应用前景，实用性强，具有较强的推广与应用价值。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术属于有机物合成领域，特别涉及。该螺硅芴型化合物结构式为本专利技术提供的螺硅芴化合物的合成路线简单、有效、原料为商业化产品，合成成本低、合成方法具有普适性，可推广到其他各种取代基取代的螺硅芴化合物的合成，同时本专利技术合成的螺硅芴化合物在有机发光二级管和场效应晶体管等有机半导体器件中有良好的应用前景，实用性强，具有较强的推广与应用价值。【专利说明】
本专利技术属于有机物合成领域，特别涉及。
技术介绍
从1986年被报道以来，OFETs取得了很大的进展。0FET已经引起人们广泛的注 意，因为它们提供与普通无机硅型晶体管相比的各种优点：大面积制备，低成本工艺，柔性 显示等。0FET器件未来可应用于智能卡、电子商标、电子纸、存储器等方面，式有机光电子器 件和电路的关键元器件，显示出了极大的发展和应用前景。 在0FET器件中起关键作用的是有机半导体材料。目前有机半导体材料的研究主 要集中于一维线形（以并五苯为代表）材料与少量二位平面材料（以HBC为代表）。三维 立体材料鲜有报道，螺硅芴型化合物的良好的共轭性，以及三维立体构型，所以螺芴型材料 将会成为新的研究热点。
技术实现思路
本专利技术提供一种螺硅芴化合物，该螺硅芴化合物在场效应晶体管等有机半导体器 件中有良好的应用前景。 本专利技术还提供所述螺硅芴化合物的制备方法，该方法合成路线简单、有效、原料为 商业化产品，合成成本低、合成方法具有普适性，可推广到其他各种取代基取代的螺硅芴类 化合物的合成。 本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是： -种螺硅芴化合物，该螺硅芴型化合物结构式为 【权利要求】1. 一种螺硅芴化合物，其特征在于，该螺硅芴型化合物结构式为2. -种权利要求1所述螺硅芴化合物的制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下 步骤： 步骤一，将苯并噻吩与液溴进行溴代反应，得到2, 3-二溴苯并噻吩，其结构式为步骤二，将步骤一所得的2, 3-二溴苯并噻吩在无水无氧条件下与正丁基锂反应，待反 应完全后加入无水氯化铜继续反应，反应完毕得到中间体3, 3' -二溴连二苯并噻吩，该中 间体结构式为步骤三，将步骤二得到的中间体3, 3' -二溴连二苯并噻吩在无水无氧条件下与正丁基 锂反应，反应完全后滴加蒸馏过的四氯化硅，充分反应后得到螺硅芴化合物（式I )。3. 如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤一、步骤二和步骤三所发生的反应 均在溶剂中进行，步骤一中的溶剂为氯仿，步骤二和步骤三中的溶剂均为无水四氢呋喃。4. 如权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，在步骤一中，所述苯并噻吩与液溴 的投料摩尔用量比为1:2,反应温度为0°C,时间为8小时。5. 如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在步骤二中，所述2, 3-二溴苯并噻吩、 正丁基锂与无水氯化铜的投料摩尔用量比为1:1:1. 5,正丁基锂的浓度为1. 6mol/L，反应 温度为-50?-78 °C。6.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在步骤三中，步骤二所得的3, 3' -二 溴连二苯并噻吩、正丁基锂与四氯化硅的投料摩尔用量比为2:4:1，反应温度为-78°C ; 3, 3' -二溴连二苯并噻吩与正丁基锂的反应时间为2小时，正丁基锂的浓度为1. 6mol/L ; 待正丁基锂加入2小时后滴加无水四氯化硅，反应时间为12小时。【文档编号】C07F7/08GK104119368SQ201410204897【公开日】2014年10月29日 申请日期:2014年5月14日 优先权日:2014年5月14日 【专利技术者】高建华, 杨成东, 王英峰, 郝望龙, 邹素芬, 张海霞, 谢辉 申请人:杭州师范大学本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种螺硅芴化合物，其特征在于，该螺硅芴型化合物结构式为

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高建华，杨成东，王英峰，郝望龙，邹素芬，张海霞，谢辉，
申请(专利权)人：杭州师范大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33