本实用新型专利技术涉及半导体芯片测试领域，具体的说是涉及一种半导体芯片测试装置，主要由测试探针、引线和台座组成，用于完成片电极与测量电路的电气连接的装置，它包括一基底，在所述基底上、电极在双侧的芯片，粘贴有银浆层。本实用新型专利技术在所述基底上、电极在双侧的芯片，粘贴有银浆层，银浆层具有吸附芯片作用，可以将芯片很稳定的固定在基板上，不会使其乱动，在测试过程中，可以达到百分之百的准确测量，不再会将合格品当作不良品被报废掉。另外在芯片右上方设置有光阑，可以有效的消除杂散光，提高芯片的测量准确率。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及半导体芯片测试领域，具体的说是涉及一种半导体芯片测试装置，主要由测试探针、引线和台座组成，用于完成片电极与测量电路的电气连接的装置，它包括一基底，在所述基底上、电极在双侧的芯片，粘贴有银浆层。本技术在所述基底上、电极在双侧的芯片，粘贴有银浆层，银浆层具有吸附芯片作用，可以将芯片很稳定的固定在基板上，不会使其乱动，在测试过程中，可以达到百分之百的准确测量，不再会将合格品当作不良品被报废掉。另外在芯片右上方设置有光阑，可以有效的消除杂散光，提高芯片的测量准确率。【专利说明】一种半导体芯片测试装置
本技术涉及半导体芯片测试领域，具体的说是涉及一种半导体芯片测试装 置。
技术介绍
半导体芯片测试装置主要应用于半导体行业、光电行业、集成电路以及封装的测 试。广泛应用于复杂、高速器件的精密电气测量的研发，旨在确保质量及可靠性，并缩减研 发时间和器件制造工艺的成本。 从功能上来区分有：温控型，真空型(超低温探针台），RF型，IXD平板型，霍尔效应 型，表面电阻率型。 随着现今电子设备的高端化，小型化，对半导体芯片的封装与测试流程的性能提 出了更高的要求，特别是到移动电话、个人电脑到电子消费品的制造更是如此。而在产品组 装过程中，最不可或缺的关键就是快速精确稳定。客户在检测微小的芯片的裸晶的筛选，抓 取，移动，插件等与后续制程上遇到了诸多品质障碍。在此过程中，必须采用高端运动控制 结合配合机器视觉系统一起相辅相成达成芯片光学质量检测与封装工艺，藉以提高生产效 率。 现有技术中，由于芯片测试过程中，芯片都是单片的被放置在托盘中，每测试一片 都需重复对芯片进行拾放动作，容易损伤芯片，导致良率下降的可能，并且定位精度不好， 使测试装置常出现异常处理，拾放动作需要较长的辅助时间，测试装置的测试效率也很低。 由于芯片放置在芯片放置在基板上，虽然在基板上设置有芯片放置区域标识，但芯片由于 人工操作，容易偏既定区域，导致芯片测试不合格，即相当于本身是好的芯片，被测成不良 品，这样就导致资源的浪费。 因此，半导体芯片测试装置需要改进。
技术实现思路
针对上述技术中的不足，本技术提供了一种芯片测试稳定、测试探针接触良 好的半导体芯片测试装置。 为解决上述技术问题，本技术通过以下方案来实现： -种半导体芯片测试装置，主要由测试探针、引线和台座组成，用于完成片电极与 测量电路的电气连接的装置，它包括一基底，在所述基底上、电极在双侧的芯片，粘贴有银 浆层，所述芯片右上方设有消除杂散光的光阑。 进一步的，在芯片左右两侧的银浆层被芯片压住部分区域。 进一步的，所述银楽层厚度在0· 1-lmm之间。 进一步的，所述光阑置于芯片右上方80°?85°之间。 本技术的有益效果是：在所述基底上、电极在双侧的芯片，粘贴有银浆层，银 浆层具有吸附芯片作用，可以将芯片很稳定的固定在基板上，不会使其乱动，在测试过程 中，可以达到百分之百的准确测量，不再会将合格品当作不良品被报废掉。另外在芯片右上 方设置有光阑，可以有效的消除杂散光，提高芯片的测量准确率。 【专利附图】【附图说明】 图1为本技术测量芯片原理图。 图2为本技术基底上的芯片及银浆层结构示意图。 附图中标记：基底10 ;芯片20 ;银浆层30 ;光度探测器1 ;光阑3。 【具体实施方式】 以下结合附图对本技术作详细说明。 本技术主要由测试探针、引线和台座组成，用于完成片电极与测量电路的电 气连接的装置。 请参照附图1、2,本技术的一种半导体芯片测试装置，包括一基底10,在所述 基底10上、电极在双侧的芯片20,粘贴有银浆层30。在芯片20左右两侧的银浆层30被芯 片20压住部分区域。所述银浆层30厚度在0.1-lmm之间。所述芯片20右上方设有消除 杂散光的光阑3。 如图1所示，光度探测器1的相对光谱响应度应该校准到和CIE国际照明委员会） 标准光度观测者光谱光视效率函数V( λ) -致；测试辐射参数时应采用无光谱选择性的 光探测器。测试系统应该按距离d和光阑D1用标准器校正。测量距离d必须大于光度 探测器直径5倍?10倍。要求被测器件的机械轴通过探测器孔径的中心。 将测试探针压在芯片的电极上或引出端上，完成与芯片的电气连接。光度探测器 的相对光谱响应度应该校准到和CIE国际照明委员会)标准光度观测者光谱光视效率函数 V( λ) -致；测试辐射参数时应采用无光谱选择性的光探测器。测试系统应该按距离d 和光阑D1用标准器校正。测量距离d必须大于光度探测器直径5倍?10倍。要求被 测器件的机械轴通过探测器孔径的中心。对于脉冲测量，电流源应该提供所要求的幅度、宽 度和重复率的电流脉冲。探测器上升时间相对于脉冲宽度应该足够小，系统应该是一个峰 值测量仪器。 所述光阑置于芯片右上方80°?85°之间，这个角度对芯片的测量数据具 有很大的贡献，芯片测试时，测试探针会档光，以及通常发光强度测量因方法不同引 进的误差都会影响芯片最后测试的结果。规定统一的校准方法是测试结果一致性的 保证。按本标准方法使用测试探针点亮芯片，用芯片测量系统测得芯片20发光强 度读数值为I V1。假定影响测试探针点亮芯片的发光强度主要因数是测试探针，则 ;这里灸#是测试探针影响系数，心·是芯片虚拟发光强度.它表示没有 探针和引线影响的理想片的发光强度。将此已检测芯片封装在Τ05标准管壳中，无任何光 学系统。用标准发光强度测试系统测量发光强度读数得/?$，假定影响片亮的主要因数是 ^ / 引线，/η = .，该公式可用于校准芯片测试系统。 以上所述仅为本技术的优选实施方式，并非因此限制本技术的专利范 围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间 接运用在其它相关的
，均同理包括在本技术的专利保护范围内。【权利要求】1. 一种半导体芯片测试装置，主要由测试探针、引线和台座组成，用于完成片电极与测 量电路的电气连接的装置，它包括一基底（10)，其特征在于：在所述基底（10)上、电极在双 侧的芯片（20)，粘贴有银浆层（30)，所述芯片（20)右上方设有消除杂散光的光阑（3)。2. 根据权利要求1所述的一种半导体芯片测试装置，其特征在于：在芯片（20)左右两 侧的银浆层（30)被芯片（20)压住部分区域。3. 根据权利要求1所述的一种半导体芯片测试装置，其特征在于：所述银浆层（30)厚 度在0· 1-lmm之间。4. 根据权利要求1所述的一种半导体芯片测试装置，其特征在于：所述光阑（3)置于芯 片（20)右上方80°?85°之间。【文档编号】G01R31/26GK203909230SQ201420328888【公开日】2014年10月29日 申请日期:2014年6月19日 优先权日:2014年6月19日 【专利技术者】高新华 申请人:高新华本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体芯片测试装置，主要由测试探针、引线和台座组成，用于完成片电极与测量电路的电气连接的装置，它包括一基底（10），其特征在于：在所述基底（10）上、电极在双侧的芯片（20），粘贴有银浆层（30），所述芯片（20）右上方设有消除杂散光的光阑（3）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：高新华，
申请(专利权)人：高新华，
类型：新型
国别省市：江西;36
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