引线框架结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种对现有引线框架结构的改进，属于半导体集成电路封装技术领域。现有技术中存在芯片散热效果不好；高、低压引脚间安全间距过小，从而可能引起高压引脚向低压引脚放电的问题。为了解决上述问题，通过高压引脚对称式设计增大了散热片面积，提高散热能力；增大了高、低压引脚间安全间距，减小高压引脚向低压引脚放电的机率。引线框架结构，包括连为一体的大基岛、小基岛和引脚，其特征在于，所述引脚中与大基岛直接相连接的引脚为高压引脚，所述高压引脚分两侧平行对称设置，所述高压引脚宽度为0.3mm至4mm，所述高压引脚与其最接近的引脚的间距为1.27mm至3.81mm。所述与高压引脚相连接以外的引脚为低压引脚。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及一种对现有引线框架结构的改进，属于半导体集成电路封装
。现有技术中存在芯片散热效果不好；高、低压引脚间安全间距过小，从而可能引起高压引脚向低压引脚放电的问题。为了解决上述问题，通过高压引脚对称式设计增大了散热片面积，提高散热能力；增大了高、低压引脚间安全间距，减小高压引脚向低压引脚放电的机率。引线框架结构，包括连为一体的大基岛、小基岛和引脚，其特征在于，所述引脚中与大基岛直接相连接的引脚为高压引脚，所述高压引脚分两侧平行对称设置，所述高压引脚宽度为0.3mm至4mm，所述高压引脚与其最接近的引脚的间距为1.27mm至3.81mm。所述与高压引脚相连接以外的引脚为低压引脚。【专利说明】
本专利技术涉及一种对现有引线框架结构的改进，属于半导体集成电路封装技术领 域。 引线框架结构
技术介绍
半导体分立元器件封装的目的是为了使半导体芯片的功能以方便的形式提供给 用户，目前塑料树脂封装形式是大规模批量生产最通用的方式。其中，引线框架是半导体器 件塑料树脂封装所需的支撑元件，其作用一是固定芯片，二是将芯片的功能通过外引线传 递出去。 随着半导体行业的迅速发展，封装的高度集成化，客户对分立元器件的要求越来 越高，体积要求小且散热性好，电性能稳定。
技术实现思路
专利技术目的 现有技术中存在芯片散热效果不好；高、低压引脚间安全间距过小，从而可能引起 高压引脚向低压引脚放电的问题。为了解决上述问题，通过高压引脚对称式设计增大了散 热片面积，提高散热能力；增大了高、低压引脚间安全间距，减小高压引脚向低压引脚放电 的机率。 技术方案 为了实现上述专利技术目的，本专利技术采用如下技术方案： 引线框架结构，包括连为一体的大基岛、小基岛和引脚，其特征在于，所述引脚中 与大基岛直接相连接的引脚为高压引脚，所述高压引脚分两侧平行对称设置，所述高压引 脚宽度为〇· 3mm至4mm，所述高压引脚与其最接近的引脚的间距为1. 27mm至3. 81mm。所述 与高压引脚相连接以外的引脚为低压引脚。 本专利技术的有益效果在于 1.采用高压引脚对称式设计，很好的解决了封装切筋工序过程中因受力不均匀而 导致的封装体破损、引脚松动等现象。 2、采用高压引脚对称式设计，很好了解决了双基岛在有限的空间内利用率最大 化。在满足小基岛面积及高、低压引脚间的安全间距的情况下，适当的增大大基岛的面积可 提升广品的散热能力，提商广品的输出功率。 3、适当的减小外部低压引脚间的间距，增大外部高、低压管脚间的间距，有利于减 小在潮湿的环境工作中，高压引脚向低压引脚放电的机率。 【专利附图】【附图说明】 图1是
技术介绍
中双芯片引线框架的分解结构主视示意图； 图2是
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中双芯片引线框架的组装结构主视示意图； 图3图1的左视图； 图4图2的左视图； 图5是本专利技术中双芯片引线框架的分解结构主视示意图； 图6是本专利技术中双芯片引线框架的组装结构封装主视示意图； 图7是图5的左视图； 图8是图6的左视图。 图中各个附图标记的含义见下表： ||附图标记 ^||含义 Π ~ 丨卜大基Si II 2 丨I小基岛 耐?压（晶体二极 3 引脚 4 管、IGBT管或 _ _ MOS 管） 5 电源、片 6 金丝、铜丝 【具体实施方式】 以下结合附图对本专利技术做进一步的说明。 在现有普通DIP8外观尺寸大小不变的情况下，修改了引脚与引脚之间的间距及 引脚自身的宽度。引脚与引脚间的间距为1.27mm至3. 81mm。引脚自身的宽度为0.3mm至 4mm 〇 通过对比图1和图5,其中图1是现有技术中引线框架的分解结构示意图，图5是 本专利技术的引线框架的分解结构示意图。可以明显的发现，相对于现有技术，本专利技术增加了引 脚3的宽度，同时引脚3与同侧其他引脚的间距变大。如此设计的优点包括增加了大基岛 的面积，从而增加了散热面积。更加有利于芯片的散热效果。 引线框架结构内部有双基岛，即大基岛和小基岛，是放置芯片的载片；各引脚及其 焊线区域组成。双基岛中的大基岛与高压引脚相连接，小基岛与非连接在大基岛上的任何 一个外部引脚相连接；大基岛中放置耐高压（晶体三极管、IGBT管或M0S管)，小基岛中放置 电源驱动芯片；大基岛与耐高压（晶体三极管、IGBT管或M0S管)的最高电位相连接，大基岛 与其相连接的引脚组成散热片，本专利技术定义与最高电位相连接的引脚为高压引脚；小基岛 与电源驱动芯片的最低电位相连接，本专利技术定义除与最高电位相连接以外的引脚为低压引 脚。高压引脚与低压引脚同在一个框架中就会产生高压向低压放电的现象，通过长期的封 装实验得出封装体内部的高压引脚与低压引脚的安全间距应保持在0. 3mm以上。 本专利技术的另一个创造点在于，减小外部低压引脚间的间距，增大外部高、低压管脚 间的间距，有利于减小在潮湿的环境中，高压引脚向低压引脚放电的机率，减少飞弧现象的 发生。 实施例一、所述高压引脚宽度为0· 3mm，低压引脚宽度为0· 3mm，高压引脚与低压 引脚间距为3. 81mm，低压引脚与低压引脚间距为1. 27mm。 实施例二、所述高压引脚宽度为4_，低压引脚宽度为0. 3_，高压引脚与低压引 脚间距为1. 27mm，低压引脚与低压引脚间距为1. 27mm。 需要理解到的是：以上所述仅仅是本专利技术的优选实施方式，对于本
的技 术人员来说，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰 也应视为本专利技术保护范围。【权利要求】1.引线框架结构，包括连为一体的大基岛、小基岛和引脚，其特征在于，所述引脚中与 大基岛直接相连接的引脚为高压引脚，所述高压引脚分两侧平行对称设置，所述高压引脚 宽度为〇· 3mm至4mm，所述高压引脚与其最接近的引脚的间距为1. 27mm至3. 81mm。【文档编号】H01L23/495GK203910783SQ201420161896【公开日】2014年10月29日 申请日期:2014年4月4日 优先权日:2014年4月4日 【专利技术者】谭天文, 姜涛 申请人:南京通华芯微电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
引线框架结构，包括连为一体的大基岛、小基岛和引脚，其特征在于，所述引脚中与大基岛直接相连接的引脚为高压引脚，所述高压引脚分两侧平行对称设置，所述高压引脚宽度为0.3mm至4mm，所述高压引脚与其最接近的引脚的间距为1.27mm至3.81mm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谭天文，姜涛，
申请(专利权)人：南京通华芯微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32