智能功率模块制造技术

本实用新型专利技术公开了一种智能功率模块，包括工作电压输入端、最高电压端、U相高压区供电电源负端、V相高压区供电电源负端、W相高压区供电电源负端、U相上桥臂IGBT管、V相上桥臂IGBT管、W相上桥臂IGBT管、U相下桥臂IGBT管、V相下桥臂IGBT管、W相下桥臂IGBT管、U相上桥臂MOS管、V相上桥臂MOS管、W相上桥臂MOS管、U相下桥臂MOS管、V相下桥臂MOS管、W相下桥臂MOS管、以及对应各上桥臂IGBT管设置的上桥臂驱动电路和对应各下桥臂IGBT管设置的下桥臂驱动电路。本实用新型专利技术智能功率模块能够降低对电网的干扰，并且，本实用新型专利技术智能功率模块的稳定性较好。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种智能功率模块，包括工作电压输入端、最高电压端、U相高压区供电电源负端、V相高压区供电电源负端、W相高压区供电电源负端、U相上桥臂IGBT管、V相上桥臂IGBT管、W相上桥臂IGBT管、U相下桥臂IGBT管、V相下桥臂IGBT管、W相下桥臂IGBT管、U相上桥臂MOS管、V相上桥臂MOS管、W相上桥臂MOS管、U相下桥臂MOS管、V相下桥臂MOS管、W相下桥臂MOS管、以及对应各上桥臂IGBT管设置的上桥臂驱动电路和对应各下桥臂IGBT管设置的下桥臂驱动电路。本技术智能功率模块能够降低对电网的干扰，并且，本技术智能功率模块的稳定性较好。【专利说明】智能功率模块
本技术涉及电子
，特别涉及一种智能功率模块。
技术介绍
智能功率模块，即IPM(Intelligent Power Module)是一种将电力电子和集成电路 技术结合的功率驱动类产品。智能功率模块把功率开关器件和高压驱动电路集成在一起， 与传统分立方案相比，智能功率模块以其高集成度、高可靠性等优势赢得越来越大的市场， 尤其适合于驱动电机的变频器及各种逆变电源，是变频调速，冶金机械，电力牵引，伺服驱 动，变频家电的一种理想电力电子器件。 然而，智能功率模块在实际应用中，特别是应用于变频空调器时，由于智能功率模 块中的IGBT管的开关速度过快而引起的对电网的干扰非常严重。现有技术中，为了减弱 智能功率模块对电网的干扰，通常是在智能功率模块的各IGBT管的集电极和射极之间均 并联一电容器，以减慢IGBT管的开关速度，从而减小其对电网的干扰，但是该方案需要在 智能功率模块的外围额外配置六个电容器，从而增加了成本，增大了智能功率模块的外围 电控版的面积，同时，从智能功率模块到外部电容器之间的走线也一定程度上影响了电容 器的效果。并且，变频空调器行业中，在匹配智能功率模块的电控板的开发时，为了屏蔽智 能功率模块对电网的干扰，在电路设计上需要花费大量的时间和人力，智能功率模块的外 围所额外配置的六个电容器的选取及其电路布线通常需要通过反复试错的方式得以完成 其整改工作，该开发具有不确定性，并且会因为电控板的加工等原因，使得相同的干扰屏蔽 方案也会造成不同的干扰屏蔽效果，并且，智能功率模块对电网的干扰的检测，无法进行全 检，所以对电网干扰大的智能功率模块也会被投放到市场，使得消费者的投诉时有发生，而 企业对投诉产品往往只能进行报废处理，无疑对企业造成了严重的损失，同时，也会影响到 产品的口碑，从而使得智能功率模块的应用部门对现行智能功率模块的使用产生了抗拒 感，阻碍了智能功率模块在变频领域的大面积推广。
技术实现思路
本技术的主要目的是提供一种智能功率模块，旨在降低智能功率模块对电网 的干扰。 本技术提出一种智能功率模块，包括工作电压输入端、最高电压端、U相高压 区供电电源负端、V相高压区供电电源负端、W相高压区供电电源负端、U相上桥臂IGBT管、 V相上桥臂IGBT管、W相上桥臂IGBT管、U相下桥臂IGBT管、V相下桥臂IGBT管、W相下桥 臂IGBT管、U相上桥臂M0S管、V相上桥臂M0S管、W相上桥臂M0S管、U相下桥臂M0S管、 V相下桥臂M0S管、W相下桥臂M0S管、以及对应各所述上桥臂IGBT管设置的上桥臂驱动电 路和对应各所述下桥臂IGBT管设置的下桥臂驱动电路，其中， U相上桥臂IGBT管、V相上桥臂IGBT管及W相上桥臂IGBT管的门极均与上桥臂 驱动电路连接；U相下桥臂IGBT管、V相下桥臂IGBT管及W相下桥臂IGBT管的门极均与 下桥臂驱动电路连接；U相上桥臂IGBT管的发射极与U相下桥臂IGBT管的集电极连接，且 与U相高压区供电电源负端连接；V相上桥臂IGBT管的发射极与V相下桥臂IGBT管的集 电极连接，且与V相高压区供电电源负端连接；W相上桥臂IGBT管的发射极与W相下桥臂 IGBT管的集电极连接，且与W相高压区供电电源负端连接；U相上桥臂IGBT管、V相上桥臂 IGBT管及W相上桥臂IGBT管的集电极均与最高电压端连接；U相下桥臂IGBT管、V相下桥 臂IGBT管及W相下桥臂IGBT管的发射极均接地；U相上桥臂MOS管的源极与U相上桥臂 IGBT管的发射极连接，V相上桥臂MOS管的源极与V相上桥臂IGBT管的发射极连接，W相 上桥臂MOS管的源极与W相上桥臂IGBT管的发射极连接；U相下桥臂MOS管的源极与U相 下桥臂IGBT管的发射极连接，V相下桥臂MOS管的源极与V相下桥臂IGBT管的发射极连 接，W相下桥臂MOS管的源极与W相下桥臂IGBT管的发射极连接；U相上桥臂MOS管、V相 上桥臂MOS管及W相上桥臂MOS管的栅极和漏极均与上桥臂驱动电路连接，U相下桥臂MOS 管、V相下桥臂MOS管、W相下桥臂MOS管的栅极和漏极均与下桥臂驱动电路连接。 优选地，所述上桥臂驱动电路包括U相上桥臂驱动电路、V相上桥臂驱动电路及W 相上桥臂驱动电路；所述U相上桥臂驱动电路、V相上桥臂驱动电路及W相上桥臂驱动电路 均包括门极信号输出端、漏极信号输出端及栅极信号输出端，其中， 所述U相上桥臂IGBT管的门极与所述U相上桥臂驱动电路的门极信号输出端连 接，所述V相上桥臂IGBT管的门极与所述V相上桥臂驱动电路的门极信号输出端连接，所 述W相上桥臂IGBT管的门极与所述W相上桥臂驱动电路的门极信号输出端连接；所述U相 上桥臂M0S管的漏极与所述U相上桥臂驱动电路的漏极信号输出端连接，所述V相上桥臂 M0S管的漏极与所述V相上桥臂驱动电路的漏极信号输出端连接，所述W相上桥臂M0S管的 漏极与所述W相上桥臂驱动电路的漏极信号输出端连接；所述U相上桥臂M0S管的栅极与 所述U相上桥臂驱动电路的栅极信号输出端连接，所述V相上桥臂M0S管的栅极与所述V 相上桥臂驱动电路的栅极信号输出端连接，所述W相上桥臂M0S管的栅极与所述W相上桥 臂驱动电路的栅极信号输出端连接。 优选地，所述下桥臂驱动电路包括U相下桥臂驱动电路、V相下桥臂驱动电路及W 相下桥臂驱动电路；所述U相下桥臂驱动电路、V相下桥臂驱动电路及W相下桥臂驱动电路 均包括门极信号输出端、漏极信号输出端及栅极信号输出端，其中， 所述U相下桥臂IGBT管的门极与所述U相下桥臂驱动电路的门极信号输出端连 接，所述V相下桥臂IGBT管的门极与所述V相下桥臂驱动电路的门极信号输出端连接，所 述W相下桥臂IGBT管的门极与所述W相下桥臂驱动电路的门极信号输出端连接；所述U相 下桥臂M0S管的漏极与所述U相下桥臂驱动电路的漏极信号输出端连接，所述V相下桥臂 M0S管的漏极与所述V相下桥臂驱动电路的漏极信号输出端连接，所述W相下桥臂M0S管的 漏极与所述W相下桥臂驱动电路的漏极信号输出端连接；所述U相下桥臂M0S管的栅极与 所述U相下桥臂驱动电路的栅极信号输出端连接，所述V相下桥臂M0S管的栅极与所述V 相下桥臂驱动电路的栅极信号输出端连接，所述W相下桥臂M0S管的栅极与所述W相下桥 臂驱动电路的栅极信号输出端连接。 优选地，所述U相上桥臂驱动电路还包括上桥臂控制信号输入本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种智能功率模块，其特征在于，包括工作电压输入端、最高电压端、U相高压区供电电源负端、V相高压区供电电源负端、W相高压区供电电源负端、U相上桥臂IGBT管、V相上桥臂IGBT管、W相上桥臂IGBT管、U相下桥臂IGBT管、V相下桥臂IGBT管、W相下桥臂IGBT管、U相上桥臂MOS管、V相上桥臂MOS管、W相上桥臂MOS管、U相下桥臂MOS管、V相下桥臂MOS管、W相下桥臂MOS管、以及对应各所述上桥臂IGBT管设置的上桥臂驱动电路和对应各所述下桥臂IGBT管设置的下桥臂驱动电路，其中，U相上桥臂IGBT管、V相上桥臂IGBT管及W相上桥臂IGBT管的门极均与上桥臂驱动电路连接；U相下桥臂IGBT管、V相下桥臂IGBT管及W相下桥臂IGBT管的门极均与下桥臂驱动电路连接；U相上桥臂IGBT管的发射极与U相下桥臂IGBT管的集电极连接，且与U相高压区供电电源负端连接；V相上桥臂IGBT管的发射极与V相下桥臂IGBT管的集电极连接，且与V相高压区供电电源负端连接；W相上桥臂IGBT管的发射极与W相下桥臂IGBT管的集电极连接，且与W相高压区供电电源负端连接；U相上桥臂IGBT管、V相上桥臂IGBT管及W相上桥臂IGBT管的集电极均与最高电压端连接；U相下桥臂IGBT管、V相下桥臂IGBT管及W相下桥臂IGBT管的发射极均接地；U相上桥臂MOS管的源极与U相上桥臂IGBT管的发射极连接，V相上桥臂MOS管的源极与V相上桥臂IGBT管的发射极连接，W相上桥臂MOS管的源极与W相上桥臂IGBT管的发射极连接；U相下桥臂MOS管的源极与U相下桥臂IGBT管的发射极连接，V相下桥臂MOS管的源极与V相下桥臂IGBT管的发射极连接，W相下桥臂MOS管的源极与W相下桥臂IGBT管的发射极连接；U相上桥臂MOS管、V相上桥臂MOS管及W相上桥臂MOS管的栅极和漏极均与上桥臂驱动电路连接，U相下桥臂MOS管、V相下桥臂MOS管、W相下桥臂MOS管的栅极和漏极均与下桥臂驱动电路连接。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：冯宇翔，
申请(专利权)人：美的集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44