一种白光LED芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种白光LED芯片，该白光LED芯片包括一贴装式LED芯片，在所述贴装式LED芯片的外延衬底层上贴装有预制成型的用于光色转换的光转换层薄片，在所述贴装式LED芯片四周紧挨围闭设置有用于防止LED芯片侧面漏光的反光墙，所述反光墙连接在所述光转换层薄片上。本实用新型专利技术不仅能够提升白光LED芯片的发光效率，而且能够避免现有做法让LED芯片底部电极受到污染和生产加工容易、产品良率高的优点。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种白光LED芯片，该白光LED芯片包括一贴装式LED芯片，在所述贴装式LED芯片的外延衬底层上贴装有预制成型的用于光色转换的光转换层薄片，在所述贴装式LED芯片四周紧挨围闭设置有用于防止LED芯片侧面漏光的反光墙，所述反光墙连接在所述光转换层薄片上。本技术不仅能够提升白光LED芯片的发光效率，而且能够避免现有做法让LED芯片底部电极受到污染和生产加工容易、产品良率高的优点。【专利说明】-种白光LED芯片
本技术属于LED
，具体涉及一种白光LED芯片。
技术介绍
白光LED芯片是采用Chip Scale Package (以下简称为"CSP"）技术实现的可以 直接发白光的LED芯片，该类芯片具有体积小、发光角度大、可耐大电流驱动、制造成本低、 方便下游客户灯具设计。 当前LED白光芯片的普遍结构特征：倒装芯片结构，电极在底部，正上面和4个侧 面均包覆荧光粉。正上方和四个侧面的荧光粉层普遍采用Molding和压合半固化的荧光片 工艺来实现的，正上方和四个侧面的荧光粉层是相同材料一体成型的结构。又如中国专利 申请号201310039776. X公开了一种具有波长转换层的发光二极管元件的结构，在倒装LED 芯片上制作荧光层，让四个侧面荧光粉距离底部电极保持一定高度，但是该结构会引起四 个侧面有蓝光漏出，出现蓝圈的问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种白光LED芯片，以解决现有制作工艺过程中容易 污染LED芯片电极而影响白光LED芯片后工序的焊接不良和LED芯片侧面漏光的问题。 为了实现上述技术目的，本技术所采用的技术方案如下： 一种白光LED芯片，包括一贴装式LED芯片，在所述贴装式LED芯片的外延衬底层 上贴装有预制成型的用于光色转换的光转换层薄片，在所述贴装式LED芯片四周紧挨围闭 设置有用于防止LED芯片侧面漏光的反光墙，所述反光墙连接在所述光转换层薄片上。 进一步的，所述贴装式LED芯片为倒装LED芯片，其包括外延衬底层、生长在所述 外延衬底层上表面的N型氮化镓层、生长在所述N型氮化镓层部分上表面的发光层、生长在 所述N型氮化镓层部分上表面的N型欧姆接触层、生长在所述发光层上表面的P型氮化镓 层和生长在所述P型氮化镓层部分上表面的P型欧姆接触层，在所述P型氮化镓层、P型欧 姆接触层、N型氮化镓层和N型欧姆接触层上表面还设置有绝缘层，在所述P型欧姆接触层 上表面的绝缘层上开设有第一通孔，在所述N型欧姆接触层上表面的绝缘层上开设有第二 通孔，在所述绝缘层上表面分别独立设置有P电极键合层和N电极键合层，所述P电极键合 层贯穿第一通孔与P型欧姆接触层电连接，所述N电极键合层贯穿第二通孔与N型欧姆接 触层电连接。 进一步的，所述反光墙厚度在10-1000um之间。 进一步的，所述反光墙材料为在可见光区光反射率在95%以上的金属材料。 进一步的，所述反光墙材料为金、银、铜、镍、钨与钛中的一种或多种的组合。 本技术在同一构思下，将贴装式LED芯片直接贴装在一预制成型的光转换层 薄片上，将反光墙直接做在预制成型的光转换层薄片上。本技术在直接贴装式LED芯 片四个侧面设置反光墙，使得本技术白光LED芯片四个侧面不会出现漏蓝光，同时能 够将光集中于正面发出提升白光LED芯片的发光效率。同时，本技术的这种结构有利 于选择倒贴LED芯片于预制成型的光转换薄膜上，避免现有做法让LED芯片底部电极受到 污染，提1?白光LED芯片后工序应用的焊接良率。 因此，本技术不仅能够提升白光LED芯片的发光效率，而且能够避免现有做 法让LED芯片底部电极受到污染和生产加工容易、产品良率高的优点。 【专利附图】【附图说明】 图1是本技术贴装式LED芯片的结构示意图； 图2是本技术白光LED芯片的结构不意图； 图3a-图3f是本技术实施例1制作方法过程示意图； 图4a-图4c是本技术实施例2制作方法过程示意图； 图5a-图5d是本技术实施例3制作方法过程示意图。 图中： 100、贴装式LED芯片 101、外延衬底层 102、N型氮化镓层 103、发光层 104、N型欧姆接触层 105、P型氮化镓层 106、P型欧姆接触层 107、绝缘层 1〇8、Ρ电极键合层 109、N电极键合层 200、光转换层薄片 300、反光墙 400、感光性材料层 【具体实施方式】 为了充分地了解本技术的目的、特征和效果，以下将结合附图对本技术 的构思、具体结构及产生的技术效果作进一步说明。 实施例1 如图2所示，本实施例公开了一种白光LED芯片，包括一贴装式LED芯片100,在 所述贴装式LED芯片100的外延衬底层上贴装有预制成型的用于光色转换的光转换层薄片 200,在所述贴装式LED芯片100四周紧挨围闭设置有用于防止LED芯片侧面漏光的反光墙 300,所述反光墙300连接在所述光转换层薄片100上。 其中，光转换层薄片200是一种预制成型的薄片状材料，该光转换层薄片200是 用于转换光色，比如贴装式LED芯片100为蓝光LED芯片时，光转换层薄片200就选用黄 色光转换材料，从而将蓝光转换成白光，需要说明的是本专利并不局限于蓝光LED芯片和 黄色光转换材料这种，其他将LED芯片发出的光转换成白光的情况也是本技术的保护 范围。光转换层薄片200由一种载体材料和分散于所述载体材料中的光转换材料制成，所 述光转换材料包括基质材料和发光材料，所述基质材料由钇铝石榴石、镥铝石榴石、硅酸 盐、氮化物、氟化物、磷酸盐中的一种或多种组成，所述发光材料为掺杂的稀土离子为Eu2+、 Pr3+、Ce3+、Eu3+、Tb3+、Yb2+、Dy3+中的一种或多种组合材料。所述载体材料为透明的无 机陶瓷基材料，所述无机陶瓷基材料为氧化铝、二氧化硅。该预制成型带有光转换层薄片 200,具体制作方式可以是把无机陶瓷基氧化铝粉末、荧光粉材料经过混合、压锭、高温下烧 结、还原烧结、研磨、切割等工序加工成薄片状的光转换层薄片，其制备方式都是常规技术， 其材料和物质也与现有荧光粉层或荧光片一致，只是本技术是将预制成型的光转换层 薄片与LED粘接在一起，而不是通过点胶的方式在LED芯片上形成光转换物质材料层。 其中，反光墙300可以使得本技术白光LED芯片四个侧面不会出现漏光，同时 能够将光集中于正面光转换层薄片100发出提升白光LED芯片的发光效率。反光墙300也 是同样的道理，并不是直接通过点胶方式将反光材料粘接在LED芯片四周形成，而是将反 光墙300做在光转换层薄片100上，反光墙300虽然是在贴装式LED芯片100四周紧挨围闭 设置，但是其是直接连接在反光墙300上，从而使得反光墙300的制作过程可以不污染LED 心/T 〇 如图1所示，本实施例选用的贴装式LED芯片100为倒装LED芯片，其包括外延衬 底层101、生长在所述外延衬底层101上表面的N型氮化镓层102、生长在所述N型氮化镓 层10本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种白光LED芯片，其特征在于：包括一贴装式LED芯片，在所述贴装式LED芯片的外延衬底层上贴装有预制成型的用于光色转换的光转换层薄片，在所述贴装式LED芯片四周紧挨围闭设置有用于防止LED芯片侧面漏光的反光墙，所述反光墙连接在所述光转换层薄片上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：万垂铭，许朝军，姜志荣，姚述光，曾照明，肖国伟，
申请(专利权)人：晶科电子广州有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44