一种由衬底控制的D触发器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种由衬底控制的D触发器，包括CLK端、D端、端、Q端、端、VDD端、GND端、用于利用衬底控制方式，提高D触发器的反应灵敏度的灵敏度放大模块、用于提高工作速度的RS反相模块和用于输出结果的交叉耦合反相器、所述灵敏度放大模块、RS反相模块和交叉耦合反相器依次连接。本实用新型专利技术提供的由衬底控制的D触发器，利用衬底控制方式，提高了D触发器的反应灵敏度，从而降低了D触发器的功耗。而且本实用新型专利技术还利用了RS反相模块可提高D触发器的工作速度。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种由衬底控制的D触发器，包括CLK端、D端、端、Q端、端、VDD端和GND端，其特征在于，还包括：用于利用衬底控制方式，提高D触发器的反应灵敏度的灵敏度放大模块；用于提高工作速度的RS反相模块；用于输出结果的交叉耦合反相器；所述灵敏度放大模块、RS反相模块和交叉耦合反相器依次连接；其中，所述灵敏度放大模块包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第一输出节点、第二输出节点和第一网络节点；所述第一MOS管的栅极连接D触发器的CLK端，第一MOS管的漏极连接所述第一输出节点，第一MOS管的源极和第一MOS管的衬底连接D触发器的VDD端；所述第二MOS管的栅极连接所述第二输出节点，第二MOS管的漏极连接所述第一输出节点，第二MOS管的源极和第二MOS管的衬底连接D触发器的VDD端；所述第三MOS管的栅极连接所述第一输出节点，第三MOS管的漏极连接所述第二输出节点，第三MOS管的源极和第三MOS管的衬底连接D触发器的VDD端；所述第四MOS管的栅极连接D触发器的CLK端，第四MOS管的漏极连接所述第二输出节点，第四MOS管的源极和第四MOS管的衬底连接D触发器的VDD端；所述第五MOS管的栅极连接所述第二输出节点，所述第五MOS管的漏极连接所述第一输出节点，第五MOS管的源极连接第一网络节点，第五MOS管的衬底连接D触发器的D端；所述第六MOS管的栅极连接所述第一输出节点，第六MOS管的漏极连接所述第二输出节点，第六MOS管的源极连接所述第一网络节点，第六MOS管的衬底连接D触发器的端；所述第七MOS管的栅极连接D触发器的CLK端，第七MOS管的漏极连接所述第一网络节点，所述第七MOS管的源极和第七MOS管的衬底接地；其中，所述RS反相模块包括：第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管、第三输出节点、第四输出节点和第二网络节点；所述第八MOS管的栅极连接所述第二输出节点，第八MOS管的漏极连接所述第四输出节点，第八MOS管的源极和第八MOS管的衬底连接D触发器的VDD端；所述第九MOS管的栅极连接所述第一输出节点，第九MOS管的漏极连接所述第三输出节点，第九MOS管的源极和第九MOS管的衬底连接D触发器的VDD端；所述第十MOS管的栅极连接D触发器的D端，第十MOS管的漏极连接所述第四输出节点，第十MOS管的源极连接所述第二网络节点，所述第十MOS管的衬底接地；所述第十一MOS管的栅极连接D触发器的端，第十一MOS管的漏极连接所述第三输出节点，第十一MOS管的源极连接所述第二网络节点，所述第十一MOS管的衬底接地；所述第十二MOS管的栅极连接D触发器的CLK端，第十二MOS管的漏极连接所述第二网络节点，第十二MOS管的源极和第十二MOS管的衬底接地；其中，所述交叉耦合反相器包括第一反相器和第二反相器，所述第一反相器的输入端连接所述第四输出节点和D触发器的端，第一反相器的输出端连接D触发器的Q端；所述第二反相器的输入端连接所述第三输出节点和D触发器的Q端，第二反相器的输出端连接D触发器的端。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邓小莺，莫妍妍，宁建辉，刘柳，
申请(专利权)人：深圳大学，
类型：新型
国别省市：广东;44