液晶显示面板制造技术

技术编号:10574246 阅读:133 留言:0更新日期:2014-10-29 09:29
本发明专利技术公开一种液晶显示面板。该液晶显示面板包括第一基板、与该第一基板相对设置的第二基板、夹于该第一基板与该第二基板之间的液晶层及间隔物,该第二基板包括薄膜晶体管、像素电极和公共电极,该像素电极和公共电极配合产生水平电场,该像素电极与该薄膜晶体管的漏极电连接,该间隔物位于该薄膜晶体管上方并向该第一基板方向延伸,并与该第一基板抵接。位于该间隔物与薄膜晶体管之间的公共电极具有开口,该开口用以使得部分薄膜晶体管未被公共电极覆盖,并且薄膜晶体管的源极上方覆盖有公共电极,且该源极与其上方的该间隔物至少部分层叠设置。

【技术实现步骤摘要】
液晶显示面板
本专利技术涉及一种液晶显示面板。
技术介绍
液晶显示面板为液晶显示装置之主要部件,其通常包括上下二相对之薄膜晶体管基板及彩色滤光片基板,其间用间隔物(Spacer)隔开,形成一空间(CellGap)用以收容液晶,使用间隔物的目的系保持上下基板间隙之距离恒定,从而使液晶显示面板之厚度均匀,即使液晶层均匀,以实现高的响应速度、高对比度、广视角等显示特性。现有技术的一种液晶显示面板,其在薄膜晶体管基板上形成柱状间隔物,优选的,柱状间隔物与薄膜晶体管重叠,从而可使得像素电极具有足够的面积的同时实现高孔径比。然而,在贴合薄膜晶体管基板及彩色滤光片基板时将施加压力,则与薄膜晶体管重叠的柱状间隔物会施力给薄膜晶体管;或者,液晶显示面板受到按压时,与薄膜晶体管重叠的柱状间隔物也会施力给薄膜晶体管,如此,薄膜晶体管受力可能导致薄膜晶体管受到不利影响并且形成裂纹,受损的薄膜晶体管会导致液晶显示面板产生暗点。
技术实现思路
为解决现有技术中的液晶显示面板易产生暗点的问题,有必要提供一种能有效降低暗点产生的液晶显示面板。一种液晶显示面板,其包括第一基板、与该第一基板相对设置的第二基板、夹于该第一基板与该第二基板之间的液晶层及间隔物,该第二基板包括薄膜晶体管、像素电极和公共电极,该像素电极和公共电极配合产生水平电场,该像素电极与该薄膜晶体管的漏极电连接,该间隔物位于该薄膜晶体管上方并向该第一基板方向延伸,并与该第一基板抵接。位于该间隔物与薄膜晶体管之间的公共电极具有开口,该开口用以使得部分薄膜晶体管未被公共电极覆盖,并且薄膜晶体管的源极上方覆盖有公共电极,且该源极与其上方的该间隔物至少部分层叠设置。由于开口用以使得部分薄膜晶体管未被公共电极覆盖,并且薄膜晶体管的源极上方覆盖有公共电极,因此,当液晶显示面板受到按压,间隔物受力时,覆盖在源极上方的公共电极会分散并减轻间隔物施加至薄膜晶体管的力量,最大程度减低薄膜晶体管受到的压力,防止液晶显示面板受到破坏。附图说明图1是本专利技术液晶显示面板的第一实施方式的平面示意图。图2是图1沿线II-II的剖面示意图。图3是图1所示的液晶显示面板的第二基板的平面示意图。图4是图3中的IV部分的放大示意图。主要元件符号说明液晶显示面板10第一基板11第二基板12透明基底120第一线路层121第二线路层122绝缘层123半导体层124钝化层125像素电极126公共电极127薄膜晶体管128狭缝129a开口129b栅极线160栅极162源极线170源极172漏极174间隔物14液晶层13如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式请参阅图1、图2及图3,图1是本专利技术液晶显示面板10的一较佳实施方式的平面示意图,图2是图1沿II-II的剖面示意图。可以理解,图1所示的平面图仅示出了液晶显示面板10的部分,但这并不影响所属领域的一般技术人员理解本案。该液晶显示面板10包括第一基板11、与该第一基板11相对设置的第二基板12、以及夹在所述两基板之间的液晶层13及间隔物14。在本实施方式中,所述第一基板11是彩色滤光片基板,第二基板12是薄膜晶体管基板。该第二基板12包括透明基底120、第一线路层121、第二线路层122、绝缘层123、半导体层124、钝化层125、像素电极126及公共电极127。该第一线路层121设置于该第二基底120邻近该液晶层13一侧,其包括沿第一方向延伸的栅极线160及与该栅极线160相连的栅极162。该栅极162凸出于栅极线160之外,但并不限于此,可变更的,该栅极162也可包括在该栅极线160中。该绝缘层123为栅极绝缘层,其位于该栅极线160邻近该液晶层13一侧,且覆盖于该栅极线160及该第二基底120邻近该液晶层13一侧的表面上。该半导体层124设置于该绝缘层123邻近该液晶层13一侧的表面上,该半导体层124设置在该栅极162上方。该第二线路层122设置于该半导体层124及该绝缘层123邻近该液晶层13一侧的表面上,该第二线路层122与该第一线路层121绝缘。该第二线路层122包括源极线170、源极172及漏极174。该源极线170沿第二方向延伸并与该栅极线160交叉排列。任意两条相邻的栅极线160与任意两条相邻的源极线170界定出一像素区域140。本实施方式中,每一像素区域140两侧的源极线170均朝向同一方向弯曲。该漏极174与该源极172分别位于该半导体层124的两侧并彼此分离,且部分漏极174和部分源极172分别与该半导体层124重叠。该栅极162、该源极172、该漏极174及该半导体层124定义为薄膜晶体管128(TFT),该源极172与该源极线170相连,该漏极174与该像素电极126电连接。本实施方式中的每一薄膜晶体管128都位于该栅极线160与该源极线170相交的角落处。该像素电极126设置于该绝缘层123邻近该液晶层13的一侧的表面上,其作为下电极,位于该像素区域140内并与该漏极174相连。本实施方式中该像素电极126为平板状电极,但不限于此。该钝化层125均匀覆盖于该绝缘层123、该半导体层124、该第二线路层122及该像素电极126邻近该液晶层13一侧的表面上。该公共电极127设置在该钝化层125邻近该液晶层13一侧的表面上,该公共电极127上设置有狭缝129a和开口129b,其作为上电极,覆盖该第二基板12上除狭缝129a和开口129b所对应的区域以外的区域。对应该像素电极126的位置上该公共电极127设置有多个间隔设置的狭缝129a。该狭缝129a大致为“<”字型,但不限于此,可变更的,该狭缝129a还可以是条形或其它形状。可变更的,本专利技术也可设计该像素电极126具有多个狭缝,而该公共电极127不具有狭缝;或者设计该像素电极126和该公共电极127均具有多个狭缝。换句话说,至少像素电极126和公共电极127中的一种具有多个狭缝,使两者之间能够产生水平电场,以驱动液晶旋转。请一并参阅图3及图4,该开口129b用以使得至少薄膜晶体管128的半导体层124部分未被公共电极127覆盖,从而可避免公共电极127对半导体层124的干扰。并且薄膜晶体管127的源极172上方覆盖有公共电极127,且该源极172与其上方的该间隔物14至少部分层叠设置。本实施例中,对应薄膜晶体管128的除源极172以外的位置上,该公共电极127设置有开口129b,该开口129b用以使得薄膜晶体管128的除源极172以外的部分未被公共电极127覆盖。即薄膜晶体管128的半导体层124未被公共电极127覆盖,且该源极172与其上方的该间隔物14层叠设置。该间隔物14向垂直该第一基板11方向延伸,并与该第一基板11抵接。覆盖在源极172上方的公共电极127承载该间隔物14。该公共电极127与该像素电极126是透明电极,其材质一般为氧化铟锡(ITO)或者氧化铟锌(IZO)。在该实施例中,该公共电极127的材质为ITO。由于开口129b用以使得部分薄膜晶体管128未被公共电极127覆盖,并且薄膜晶体管128的源极172上方覆盖有公共电极127,因此,覆盖在源极172上方的公共电极127能够支撑间隔物14。当液晶显示面板10受到按压,间隔物14受力时,覆盖本文档来自技高网...
液晶显示面板

【技术保护点】
一种液晶显示面板,其包括第一基板、与该第一基板相对设置的第二基板、夹于该第一基板与该第二基板之间的液晶层及间隔物,该第二基板包括薄膜晶体管、像素电极和公共电极,该像素电极和公共电极配合产生水平电场,该像素电极与该薄膜晶体管的漏极电连接,该间隔物位于该薄膜晶体管上方并向垂直该第一基板的方向延伸,并与该第一基板抵接,其特征在于:位于该间隔物与薄膜晶体管之间的公共电极具有开口,该开口用以使得部分薄膜晶体管未被公共电极覆盖,并且薄膜晶体管的源极上方覆盖有公共电极,且该源极与其上方的该间隔物至少部分层叠设置。

【技术特征摘要】
1.一种液晶显示面板,其包括第一基板、与该第一基板相对设置的第二基板、夹于该第一基板与该第二基板之间的液晶层及间隔物,该第二基板包括薄膜晶体管、像素电极和公共电极,该像素电极和公共电极配合产生水平电场,该像素电极与该薄膜晶体管的漏极电连接,该间隔物位于该薄膜晶体管上方并向垂直该第一基板的方向延伸,并与该第一基板抵接,其特征在于:位于该间隔物与薄膜晶体管之间的公共电极具有开口,该开口用以使得部分薄膜晶体管未被公共电极覆盖,并且薄膜晶体管的源极上方覆盖有公共电极,且该源极与其上方的该间隔物至少部分层叠设置。2.如权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于:该第二基板包括第二基底、第一线路层、半导体层及第二线路层,该第一线路层包括栅极线及与该栅极线相连的栅极,该第二线路层包括源极线、源极及漏极,该漏极与该源极分别位于该半导体层的两侧并彼此分离,且部分漏极和部分源极分别与该半导体层重叠,该栅极、该源极、该漏极及该半导体层定义为薄膜晶体管。3.如权利要求2所述的液晶显示面板,其特征在于:该源极线与该栅极线交叉排列,任意两...

【专利技术属性】
技术研发人员:王明宗柳智忠郑亦秀长志宏
申请(专利权)人:深超光电深圳有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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