提供一种能够高分辨率检测从试样(101)释放的荷电粒子(201)，高灵敏度的荷电粒子束装置。在配置为与试样(101)接触，由此由于照射的荷电粒子束(104)在试样(101)产生的吸收电流在自身中流过来进行检测，通过荷电粒子束(104)在试样(101)上扫描取得吸收电流图像的荷电粒子束装置中，在离开试样(101)配置了吸收电流检测器(202)的情况下，吸收电流检测器(202)在通过荷电粒子束(101)的照射从试样(101)出射的荷电粒子束(201)入射时，将入射的荷电粒子束(201)作为信号电流(Ia)检测，该信号电流(Ia)依存于从荷电粒子束(104)在试样(101)上的照射位置向吸收电流检测器(202)的方向相对于试样(101)的表面的法线方向和荷电粒子束(104)的入射方向中的至少一个方向所形成的角度θ。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】提供一种能够高分辨率检测从试样(101)释放的荷电粒子(201)，高灵敏度的荷电粒子束装置。在配置为与试样(101)接触，由此由于照射的荷电粒子束(104)在试样(101)产生的吸收电流在自身中流过来进行检测，通过荷电粒子束(104)在试样(101)上扫描取得吸收电流图像的荷电粒子束装置中，在离开试样(101)配置了吸收电流检测器(202)的情况下，吸收电流检测器(202)在通过荷电粒子束(101)的照射从试样(101)出射的荷电粒子束(201)入射时，将入射的荷电粒子束(201)作为信号电流(Ia)检测，该信号电流(Ia)依存于从荷电粒子束(104)在试样(101)上的照射位置向吸收电流检测器(202)的方向相对于试样(101)的表面的法线方向和荷电粒子束(104)的入射方向中的至少一个方向所形成的角度θ。【专利说明】荷电粒子束装置
本专利技术涉及一种向试样照射荷电粒子束的荷电粒子束装置。
技术介绍
近年来，为了观察微小领域，使用扫描电子显微镜（SEM)、透射电子显微镜（TEM)、 扫描透射电子显微镜（STEM)、聚焦离子束加工观察装置（FIB)等荷电粒子束装置。这些装 置中，对试样照射电子束或离子束等荷电粒子束。例如，当向试样照射电子束时，从试样表 面释放二次电子、反射电子等，从试样里面释放透射电子。这些电子（荷电粒子）具有根据 试样的形状、组成等，释放角度的释放量变化这样的角度依存性。因此，提出了以最适合检 测的角度检测具有角度依存性的电子的装置（参考专利文献1等）。 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :日本特开2010-199002号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题 关于所述角度依存性，例如，反射电子在镜面反射方向上具有大的释放量（强的 信号强度）。而且，虽然在该镜面反射方向的反方向上，释放量小成为弱的信号强度，但是基 于该释放量可以得到凹凸部的轮廓的阴影不同的图像。若将该强的信号强度与弱的信号强 度这2个信号强度相加，则强调试样的组成信息，若相减则强调试样的凹凸信息。如此，即 使是从相同试样得到的反射电子的释放量（信号强度），也会得到基于该反射电子的释放 角度，即检测角度而不同的信息。这并不限于反射电子，二次电子、透射电子也可以说是这 样，而且，并不限于电子，包含离子在内的荷电粒子也可以说是这样。即，反射荷电粒子、二 次荷电粒子和透射荷电粒子等也有角度依存性。如果能够以最适合检测的角度检测具有角 度依存性的荷电粒子，则能够满足大范围的需求。 但是，被荷电粒子束照射的试样，例如，像半导体装置那样，内部的构造细微化，当 仅对构成该细微构造的局部部分照射荷电粒子束，检测从那里释放的荷电粒子时，其检测 量是微少的。为了检测该微少的荷电粒子，并且，为了高灵敏度化，希望将检测器尽量靠近 试样。其原因在于，若荷电粒子的飞行距离长，虽然飞行的空间是真空，但散射的概率变高， 荷电粒子的收集效率降低。但是，若荷电粒子的飞行距离长，则飞行的荷电粒子彼此宽阔， 因此能够提高角度分辨率，能够容易收集希望的角度的荷电粒子。相反，在将检测器靠近试 样时，需要提高检测器的角度的分辨率。 在专利文献1中记载有为了以最适合的角度检测具有角度依存性的电子，将检测 器靠近或远离试样，但没有记载即使检测器靠近试样，也能提高检测器的角度分辨率的装 置。 因此，本专利技术要解决的课题在于，提供一种能够高分辨率地检测以特定的释放角 度从试样释放的带点粒子，并且高灵敏度的荷电粒子束装置。 解决课题的手段 解决课题的手段 本专利技术提供一种荷电粒子束装置，其具有：荷电粒子束照射装置，其向试样照射荷 电粒子束；吸收电流检测器，配置为与所述试样接触，由此使通过照射的所述荷电粒子束在 所述试样产生的吸收电流在自身中流过来进行检测，通过所述荷电粒子束在所述试样上扫 描，取得吸收电流图像，在离开所述试样配置所述吸收电流检测器时，所述吸收电流检测器 在通过所述荷电粒子束的照射从所述试样出射的荷电粒子束入射时，将入射的荷电粒子束 作为信号电流进行检测，所述信号电流依存于从所述荷电粒子束在所述试样上的照射位置 向所述吸收电流检测器的方向相对于所述试样的表面的法线方向和所述荷电粒子束的入 射方向中的至少一个方向所形成的角度。 专利技术效果 根据本专利技术，能够提供一种能够高分辨率地检测以特定的释放角度从试样释放的 带点粒子，并且高灵敏度的荷电粒子束装置。 【专利附图】【附图说明】 图1是本专利技术的第1实施方式的荷电粒子束装置的构成图。 图2A是表示在本专利技术的第1实施方式的荷电粒子束装置中，使用吸收电流检测器 的前端部，检测具有角度依存性的荷电粒子的方法（其1)的模式图。 图2B是表示在本专利技术的第1实施方式的荷电粒子束装置中，使用吸收电流检测器 的前端部，从试样检测吸收电流的方法的模式图。 图2C是表示在本专利技术的第1实施方式的荷电粒子束装置中，使用吸收电流检测器 的前端部，检测具有角度依存性的荷电粒子的方法（其2)的模式图。 图2D是表示在本专利技术的第1实施方式的荷电粒子束装置中，使用吸收电流检测器 的前端部，检测具有角度依存性的荷电粒子的方法（其3)的模式图。 图2E是表示在本专利技术的第1实施方式的荷电粒子束装置中，使用吸收电流检测器 的前端部，检测具有角度依存性的荷电粒子的方法（其4)的模式图。 图3是使用本专利技术的第1实施方式的荷电粒子束装置，基于具有角度依存性的荷 电粒子生成图像的方法的流程图。 图4是在本专利技术的第1实施方式的荷电粒子束装置具有的显示装置中显示的GUI 画面（第1窗口，主页）。 图5A是⑶I画面内的检测器状态显示（其1)。 图5B是⑶I画面内的检测器状态显示（其2)。 图5C是⑶I画面内的检测器状态显示（其3)。 图6A是在本专利技术的第1实施方式的荷电粒子束装置具有的显示装置中显示的GUI 画面（连续取得设定画面（其1))。 图6B是在本专利技术的第1实施方式的荷电粒子束装置具有的显示装置中显示的GUI 画面（连续取得设定画面（其2))。 图7是本专利技术的第2实施方式的荷电粒子束装置的构成图。 图8是表示使用本专利技术的第2实施方式的荷电粒子束装置，在基材上形成非接触 探头的方法的模式图。 图9是形成了多个非接触探头的基材的平面图。 【具体实施方式】 下面，参照适当附图详细说明本专利技术的实施方式。在各图中，对共通的部分赋予相 同的符号，并省略重复的说明。 (第1实施方式） 图1中表示本专利技术第1实施方式的荷电粒子束装置1的构成图。在第1实施方 式中，作为荷电粒子束装置1，以电子束装置即SEM为例来进行说明，但本专利技术也适用于其 他荷电粒子束装置（荷电粒子束显微镜）1。荷电粒子束装置1具有：承载并移动试样101 的试样台102 ;进行使试样台102移动等的控制的试样位置控制装置103 ;对试样101照射 并扫描电子束（荷电粒子束）104的电子束光学系统装置105 ;控制电子束光学系统装置 105的电子束光学系统控制装置106 ;检测在试样101发生的二次电子等的二次电子检测器 107 ;控制二本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种荷电粒子束装置，其具有：荷电粒子束照射装置，其向试样照射荷电粒子束；吸收电流检测器，配置为与所述试样接触，由此使通过照射的所述荷电粒子束在所述试样产生的吸收电流在自身中流过来进行检测，通过所述荷电粒子束在所述试样上扫描，取得吸收电流图像，所述荷电粒子束装置的特征在于，在离开所述试样配置所述吸收电流检测器时，所述吸收电流检测器在通过所述荷电粒子束的照射从所述试样出射的荷电粒子束入射时，将入射的荷电粒子束作为信号电流进行检测，所述信号电流依存于从所述荷电粒子束在所述试样上的照射位置向所述吸收电流检测器的方向相对于所述试样的表面的法线方向和所述荷电粒子束的入射方向中的至少一个方向所形成的角度。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：南里光荣，富松聪，关原雄，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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