本发明专利技术公开了一种有利于缩短激活时间的GaAs光电阴极激活工艺，包括Cs源激活和O源激活，在激活过程中，所述Cs源激活连续进行，所述O源激活间断进行：在激活过程中，Cs源一直处于开启状态，并在激活过程中连续测量光电流变化，在光电流达到峰值时开启O源激活，待光电流出现新的峰值后，停止O源激活；所述Cs源激活的激活电流在激活过程内突变增加，且在0-5min后保持平稳，平稳后的电流值为1.2至1.8A范围内的任意值；所述O源激活的激活电流不大于1.4A；重复上述过程直至光电流不再上升。本工艺激活所用时间较短，还有利于防止O源过量对阴极造成的损害，便于得到高质量的GaAs光电阴极。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种有利于缩短激活时间的GaAs光电阴极激活工艺，包括Cs源激活和O源激活，在激活过程中，所述Cs源激活连续进行，所述O源激活间断进行：在激活过程中，Cs源一直处于开启状态，并在激活过程中连续测量光电流变化，在光电流达到峰值时开启O源激活，待光电流出现新的峰值后，停止O源激活；所述Cs源激活的激活电流在激活过程内突变增加，且在0-5min后保持平稳，平稳后的电流值为1.2至1.8A范围内的任意值；所述O源激活的激活电流不大于1.4A；重复上述过程直至光电流不再上升。本工艺激活所用时间较短，还有利于防止O源过量对阴极造成的损害，便于得到高质量的GaAs光电阴极。【专利说明】
本专利技术涉及用于照明或指示的微型灯生产工艺，特别是涉及一种有利于缩短激活 时间的GaAs光电阴极激活工艺。 有利于缩短激活时间的GaAs光电阴极激活工艺
技术介绍
负电子亲和势（ΝΕΑ)光电阴极具有光谱响应范围宽、灵敏度高、暗发射小、发射电 子能量分布及角度分布集中、长波响应扩展潜力大等优点，广泛应用于车载、机载和单兵的 夜视装备中，同时，作为一种高性能自旋电子源，ΝΕΑ光电阴极在高能物理、微电子技术、电 子束平面印刷以及电子显微镜等领域也得到了广泛应用。经过十几年的发展，国内在ΝΕΑ 光电阴极的研究方面已取得了巨大进步，但三代微光管在灵敏度、稳定性、噪声、寿命和成 品率等方面与国外相比仍有较大差距。激活工艺是ΝΕΑ光电阴极制备过程中的重要内容， 是决定光电阴极灵敏度和稳定性的主要因素，激活工艺中过程顺序和工艺参数的控制，是 决定光电阴极灵敏度和稳定性的关键所在。
技术实现思路
针对上述激活工艺是ΝΕΑ光电阴极制备过程中的重要内容，是决定光电阴极灵敏 度和稳定性的主要因素，激活工艺中过程顺序和工艺参数的控制，是决定光电阴极灵敏度 和稳定性的关键所在的问题，本专利技术提供了一种有利于缩短激活时间的GaAs光电阴极激 活工艺。 针对上述问题，本专利技术提供的有利于缩短激活时间的GaAs光电阴极激活工艺通 过以下技术要点来达到专利技术目的：有利于缩短激活时间的GaAs光电阴极激活工艺，包括Cs 源激活和〇源激活，在激活过程中，所述Cs源激活连续进行，所述0源激活间断进行：在激 活过程中，Cs源一直处于开启状态，并在激活过程中连续测量光电流变化，在光电流达到峰 值时开启〇源激活，待光电流出现新的峰值后，停止〇源激活； 所述Cs源激活的激活电流在激活过程内突变增加，且在0-5min后保持平稳，平稳后的 电流值为1. 2至1. 8A范围内的任意值；所述0源激活的激活电流不大于1. 4A ; 重复上述过程直至光电流不再上升。 更进一步的技术方案为： 所述激活过程在真空度为l(T7Pa至l(T6Pa的真空环境下进行。 在激活过程之前，还包括光电阴极化学清洗步骤，所述化学清洗步骤包括顺序进 行的超声波清洗和化学刻蚀； 所述超声波清洗包括顺序进行的四氯化碳、丙酮、无水乙醇、去离子水超声波清洗，且 清洗时间均不少于3min ; 所述化学刻蚀为采用浓硫酸、双氧水、去离子水按照2:3:2配比的混合液进行化学刻 蚀。 所述化学刻蚀时间在5min-7min范围内，刻蚀温度在25°C -32°C之间。【权利要求】1. 有利于缩短激活时间的GaAs光电阴极激活工艺，包括Cs源激活和0源激活，其特 征在于，在激活过程中，所述Cs源激活连续进行，所述0源激活间断进行：在激活过程中， Cs源一直处于开启状态，并在激活过程中连续测量光电流变化，在光电流达到峰值时开启 〇源激活，待光电流出现新的峰值后，停止〇源激活； 所述Cs源激活的激活电流在激活过程内突变增加，且在0-5min后保持平稳，平稳后的 电流值为1. 2至1. 8A范围内的任意值；所述0源激活的激活电流不大于1. 4A ; 重复上述过程直至光电流不再上升。2. 根据权利要求1所述的有利于缩短激活时间的GaAs光电阴极激活工艺，其特征在 于，所述激活过程在真空度为l〇_7Pa至l(T 6Pa的真空环境下进行。3. 根据权利要求1所述的有利于缩短激活时间的GaAs光电阴极激活工艺，其特征在 于，在激活过程之前，还包括光电阴极化学清洗步骤，所述化学清洗步骤包括顺序进行的超 声波清洗和化学刻蚀； 所述超声波清洗包括顺序进行的四氯化碳、丙酮、无水乙醇、去离子水超声波清洗，且 清洗时间均不少于3min ; 所述化学刻蚀为采用浓硫酸、双氧水、去离子水按照2:3:2配比的混合液进行化学刻 蚀。4. 根据权利要求3所述的有利于缩短激活时间的GaAs光电阴极激活工艺，其特征在 于，所述化学刻蚀时间在5min-7min范围内，刻蚀温度在25°C -32°C之间。【文档编号】H01J9/02GK104112632SQ201410351892【公开日】2014年10月22日 申请日期:2014年7月23日 优先权日:2014年7月23日 【专利技术者】周代富, 游华亮, 曾卢 申请人:四川天微电子有限责任公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
有利于缩短激活时间的GaAs光电阴极激活工艺，包括Cs源激活和O源激活，其特征在于，在激活过程中，所述Cs源激活连续进行，所述O源激活间断进行：在激活过程中，Cs源一直处于开启状态，并在激活过程中连续测量光电流变化，在光电流达到峰值时开启O源激活，待光电流出现新的峰值后，停止O源激活；所述Cs源激活的激活电流在激活过程内突变增加，且在0‑5min后保持平稳，平稳后的电流值为1.2至1.8A范围内的任意值；所述O源激活的激活电流不大于1.4A；重复上述过程直至光电流不再上升。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周代富，游华亮，曾卢，
申请(专利权)人：四川天微电子有限责任公司，
类型：发明
国别省市：四川;51
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。