一种集成电路，包括：可编程储存单元，所述可编程储存单元适用于用多个电源来操作、并且响应于启动信号而输出储存在可编程储存单元中的数据；寄存器单元，所述寄存器单元适用于储存从所述可编程储存单元输出的数据；内部电路，所述内部电路适用于通过利用储存在所述寄存器单元中的数据来操作；电压检测单元，所述电压检测单元适用于当多个电源的电平被稳定时将电源稳定信号激活；以及启动控制单元，所述启动控制单元适用于从所述电源稳定信号的激活时刻开始对周期波的激活次数计数、并且当计数次数达到预定数目时将所述启动信号激活。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种集成电路，包括：可编程储存单元，所述可编程储存单元适用于用多个电源来操作、并且响应于启动信号而输出储存在可编程储存单元中的数据；寄存器单元，所述寄存器单元适用于储存从所述可编程储存单元输出的数据；内部电路，所述内部电路适用于通过利用储存在所述寄存器单元中的数据来操作；电压检测单元，所述电压检测单元适用于当多个电源的电平被稳定时将电源稳定信号激活；以及启动控制单元，所述启动控制单元适用于从所述电源稳定信号的激活时刻开始对周期波的激活次数计数、并且当计数次数达到预定数目时将所述启动信号激活。【专利说明】集成电路和存储器件 相关申请的交叉引用 本申请要求2013年4月17日提交的申请号为10-2013-0042205的韩国专利申请 的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术的示例性实施例涉及一种集成电路和存储器件，更具体而言，涉及一种用 于集成电路的启动操作。
技术介绍
图1是说明执行修复操作的传统的存储器件的框图。 参见图1，存储器件包括：单元阵列110,所述单元阵列110包括多个存储器单元； 行电路120,所述行电路120激活通过行地址R_ADD选中的行(或字线);以及列电路130,所 述列电路130存取(例如读取或写入）通过列地址C_ADD选中的列（或位线）的数据。 行熔丝电路140将与单元阵列110中有缺陷的存储器单元相对应的行地址作为修 复行地址REPAIR_R_ADD来储存。行比较单元150将储存在行熔丝电路140中的修复行地址 REPAIR_R_ADD与从存储器件的外部输入的行地址R_ADD进行比较。当修复行地址REPAIR_ R_ADD与行地址R_ADD -致时，行比较单元150控制行电路120来激活冗余行(或冗余字线） 而不是由行地址R_ADD表示的行。 列熔丝电路160将与单元阵列110内有缺陷的存储器单元相对应的列地址作为修 复列地址REPAIR_C_ADD储存。列比较单元170将储存在列熔丝电路160中的修复列地址 REPAIR_C_ADD与从存储器件的外部输入的列地址C_ADD进行比较。当修复列地址REPAIR_ C_ADD与列地址C_ADD -致时，列比较单元170控制列电路130来访问冗余列（或者冗余位 线）而不是由列地aC_ADD表示的列。供作参考，在图1中，"DATA"表示数据或数据焊盘。 通常，激光熔丝主要用于熔丝电路140和160。激光熔丝根据熔丝是否被切断来储 存逻辑高数据或逻辑低数据。激光熔丝的编程可以在晶圆状态下执行，但是熔丝的编程不 可以在晶圆安装在封装体内部之后执行。此外，由于线节距（pitch)的限制，激光熔丝不可 以被设计成小的电路面积。 为了克服这种问题，如在美国专利号为6,904,751、6,777,757、6,667,902、 7, 173, 851以及7, 269, 047中公开的，存储器件包括可编程储存单元，诸如：电熔丝（e-熔 丝）阵列电路、NAND快闪存储器、N0R快闪存储器、可擦除可编程只读存储器（EPROM)、电可 擦除可编程只读存储器（EEPR0M)、铁电RAM (FRAM)、磁阻RAM (MRAM)、自旋转移力矩MRAM (STT-MRAM)、阻变RAM (ReRAM)、或者相变RAM (PCRAM)的。将包括例如故障地址的修复信 息储存在可编程储存单元中。 图2是说明包括用于储存修复信息的可编程储存单元的传统的存储器件的框图。 参见图2,存储器件包括：多个存储体ΒΚ0至BK3、多个寄存器单元210_0至210_3、 以及可编程储存单元201，所述多个寄存器单元210_0至210_3被提供用于各个存储体ΒΚ0 至BK3以储存修复信息。 图1中所示的熔丝电路140和160用可编程储存单元201来替代。这里，将与全 部存储体ΒΚ0至BK3相对应的包括例如故障地址的修复信息储存。可编程储存单元201可 以包括e-熔丝阵列电路、NAND快闪存储器、N0R快闪存储器、EPROM、EEPROM、FRAM、MRAM、 STT-MRAM、ReRAM、以及 PCRAM 中的一种。 提供在存储体ΒΚ0至BK3中的多个寄存器单元210_0至210_3可以分别储存关于 相应存储体的修复信息。即，寄存器单元210_0可以储存关于存储体ΒΚ0的修复信息，而 寄存器单元210_2可以储存关于存储体BK2的修复信息。多个寄存器单元210_0至210_3 中的每个可以包括锁存器电路，并且可以仅当供应电源时储存修复信息。要储存在多个寄 存器单元210_0至210_3中的修复信息可以从可编程储存单元201传送。可编程储存单元 201将从启动使能信号Β00ΤΕΝ的激活时刻起储存的修复信息传送至多个寄存器单元210_0 至 210_3。 由于可编程储存单元201以阵列形式来配置，所以调用内部储存的数据花费很多 时间。由于不可以执行立即调用数据，所以利用储存在可编程储存单元201中的数据来立 即执行修复操作是不可能的。因此，将储存在可编程储存单元201中的修复信息传送并储 存在多个寄存器单元210_0至210_3中。然后，储存在多个寄存器单元210_0至210_3中 的数据用于存储体ΒΚ0至BK3的修复操作。将储存在可编程储存单元201中的修复信息传 送至多个寄存器单元210_0至210_3的过程被称作为启动操作。当完成启动操作时，存储 器件可以修复有缺陷的单元，并且开始执行正常操作。 如上所述，在利用可编程储存单元201储存修复信息的存储器件中，启动操作在 正常操作(例如，存储器件的读取操作和写入操作)之前执行。在相关领域中，已经使用了响 应于施加到存储器件的初始信号(例如，复位信号）的激活而致使启动操作开始的方法。然 而，在某些情况下根据对于存储器件的应用而不可以使用初始信号。另外，即使在初始信号 被激活之前在可以执行启动操作时也存在间隔。因此，需要提供一种控制启动操作使得启 动操作尽可能早地开始的技术。
技术实现思路
各种实施例涉及一种能够在最佳时间执行启动操作的集成电路或者存储器件。 在一个实施例中，一种集成电路可以包括：可编程储存单元，所述可编程储存单元 适用于用多个电源来操作、并且响应于启动信号而输出储存的数据；寄存器单元，所述寄存 器单元适用于储存从可编程储存单元输出的数据；内部电路，所述内部电路适用于通过利 用储存在寄存器单元中的数据来操作；电压检测单元，所述电压检测单元适用于当多个电 源的电平稳定时将电源稳定信号激活；以及启动控制单元，所述启动控制单元适用于从电 源稳定信号的激活的时刻开始对周期波的激活次数计数、并且当计数次数达到预定数目时 将启动信号激活。 在另一个实施例中，一种存储器件可以包括：可编程储存单元，所述可编程储存单 元适用于用多个电源来操作、并且响应于启动信号而输出储存的修复信息；多个寄存器单 元，所述多个寄存器单元适用于储存从可编程储存单元输出的修复信息；多个存储体，所述 多个存储体具有多个正常单元和多个冗余单元，其中，利用储存在相应的寄存器单元中的 修复信息将包括在多个正常单元中的有缺陷的单元用冗余单元中的一个来替换；本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种集成电路，包括：可编程储存单元，所述可编程储存单元适用于用多个电源来操作，并且响应于启动信号而输出储存在所述可编程储存单元中的数据；寄存器单元，所述寄存器单元适用于储存从所述可编程储存单元输出的数据；内部电路，所述内部电路适用于通过利用储存在所述寄存器单元中的数据来操作；电压检测单元，所述电压检测单元适用于当所述多个电源的电平稳定时将电源稳定信号激活；以及启动控制单元，所述启动控制单元适用于：从所述电源稳定信号的激活时刻开始对周期波的激活次数计数，并且当计数次数达到预定数目时将所述启动信号激活。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄正太，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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