本实用新型专利技术公开了一种新型LED结构,包括氧化锌衬底及设在氧化锌衬底上的GaN蓝光芯片;在氧化锌衬底的底部设有金属镜面反射层;在GaN蓝光芯片上设有荧光微晶玻璃;氧化锌衬底的厚度为1-100μm。该结构能有效缩减工艺步骤、降低热阻、提高出光效率和器件的热稳定性,减小LED的厚度。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种新型LED结构,包括氧化锌衬底及设在氧化锌衬底上的GaN蓝光芯片;在氧化锌衬底的底部设有金属镜面反射层;在GaN蓝光芯片上设有荧光微晶玻璃;氧化锌衬底的厚度为1-100μm。该结构能有效缩减工艺步骤、降低热阻、提高出光效率和器件的热稳定性,减小LED的厚度。【专利说明】一种新型LED结构
本技术涉及LED。
技术介绍
大功率的蓝光LED因其出色的绿色节能效果已被广泛的使用,其正在从原来的公 共照明领域迈向家居照明。由于现有商业化的蓝光芯片,通常采用蓝宝石、硅或碳化硅做衬 底,GaN基外延层生长在这些衬底上。蓝宝石的导热性能不是很好,散热性差,在使用LED芯 片做成的器件时会积压大量的热,使器件的光输出率低。面对面积较大的大功率器件时,衬 底的导热性能是一个非常重要的参数。尽管硅的导热能力已经比蓝宝石提高了不少,但是 它的光效还没有蓝宝石的高;使用碳化硅作衬底的话价格异常昂贵,只有科锐等大公司在 用。而且,硅和碳化硅衬底不能好好利用芯片射向下表面的光,这也是一个浪费。 为此,在申请号为200710014444. 0的专利文献中公开了一种在SiC衬底上制备的 发光二极管,其结构自上而下依次包括P型AlInGaN层、发光层、N型AlInGaN层和衬底, 在P型AlInGaN层设有正极,在N型AlInGaN层设有负极,衬底为透明的SiC单晶晶片,该 衬底在可见光范围内是无色透明的。本专利技术利用透明ZnO单晶晶片作为衬底,避免了利用 N型SiC做衬底时的光吸收和利用A1203做衬底时导热性差的弊端,能够制作大功率LED器 件。同时直接在衬底底面制作对光反射能力强的金属反射层,将向下传输的光反射回来, 提高了 LED管芯的发光效率,另外透明衬底还增加了光从衬底侧面输出,进一步提高了发 光效率。 虽然上述二极管的一些性能得到了改善,但还有待于进一步完善。
技术实现思路
为了有效缩减工艺步骤、降低热阻、提高出光效率和器件的热稳定性,减小LED的 厚度。本技术提供了一种新型LED结构。 为达到上述目的,一种新型LED结构,包括氧化锌衬底及设在氧化锌衬底上的GaN 蓝光芯片;在氧化锌衬底的底部设有金属镜面反射层;在GaN蓝光芯片上设有荧光微晶玻 璃;氧化锌衬底的厚度为1-100 μ m。 进一步的,金属镜面反射层的厚度为1-500 μ m。 进一步的,GaN蓝光芯片的厚度为100-10000nm。 进一步的,GaN蓝光芯片自下至上依次包括P-GaN层、多量子阱InGaN/GaN发光层 和N-GaN层。 进一步的,荧光微晶玻璃包括微晶玻璃,微晶玻璃具有腔体,腔体内填充有荧光 粉。 本技术的有益效果是:由于设置的荧光微晶玻璃,且荧光粉是填充在腔体内, 因此,能有效缩减工艺步骤、降低热阻、提高出光效率和器件的热稳定性。由于氧化锌衬底 的厚度设置在1-100 μ m之间,且为透明的,该范围内的透光性能最好,而且其厚度又小,这 样,GaN蓝光芯片背面的光在氧化锌衬底中的透光效率好,而且反射的效率也高,从而提高 了出光效率。 【专利附图】【附图说明】 图1为本技术的结构示意图。 【具体实施方式】 下面结合附图和【具体实施方式】对本技术进行进一步详细说明。 如图1所示,新型LED结构包括从下自上的金属镜面反射层1、氧化锌衬底层2、 GaN蓝光芯片3及荧光微晶玻璃4。 所述金属镜面反射层1为银镜,厚度为1?500 Mm,优先100 Mm。所述的氧化锌 衬底2的厚度为1-100 μ m,优选50 μ m,且为透明的,该范围内的透光性能最好,而且其厚 度又小,这样,GaN蓝光芯片背面的光在氧化锌衬底中的透光效率好,而且反射的效率也高, 从而提高了出光效率。由于氧化锌的导热性能好,因此,可以明显提高LED的散热能力,在 保证亮度的同时能够具有良好的稳定性,改善了外延生长条件及导热导电性能,提高了 LED 的光输出效率,使用寿命也有了很大的提高。氧化锌衬底解决了现有的大功率蓝光LED的 外延结构、散热材料、荧光粉发热效率下降等方面所存在的问题,能够较大程度地提高蓝光 LED的内外量子效率。 所述GaN蓝光芯片的厚度为100-10000nm,优选3000 nm。其中包括从下自上依次 层叠的P-GaN层,厚度为250 nm ;多量子阱InGaN/GaN发光层,厚度为2000 nm和N-GaN层, 厚度为750 nm。 所述荧光微晶玻璃4包括微晶玻璃41,微晶玻璃41具有腔体,腔体内填充有荧光 粉42,这样,荧光微晶玻璃4的制造方便、快捷,能有效缩减工艺步骤、降低热阻、提高出光 效率和器件的热稳定性。【权利要求】1. 一种新型LED结构,包括氧化锌衬底及设在氧化锌衬底上的GaN蓝光芯片;在氧化 锌衬底的底部设有金属镜面反射层;其特征在于:在GaN蓝光芯片上设有荧光微晶玻璃;氧 化锌衬底的厚度为1-100 μ m。2. 根据权利要求1所述的新型LED结构,其特征在于:金属镜面反射层的厚度为 1-500 μ m〇3. 根据权利要求1所述的新型LED结构,其特征在于:GaN蓝光芯片的厚度为 100-10000nm〇4. 根据权利要求1所述的新型LED结构,其特征在于:GaN蓝光芯片自下至上依次包 括P-GaN层、多量子阱InGaN/GaN发光层和N-GaN层。5. 根据权利要求1所述的新型LED结构,其特征在于:荧光微晶玻璃包括微晶玻璃,微 晶玻璃具有腔体,腔体内填充有荧光粉。【文档编号】H01L33/50GK203895499SQ201320846815【公开日】2014年10月22日 申请日期:2013年12月20日 优先权日:2013年12月20日 【专利技术者】何天贤, 涂滔 申请人:广州闻达电子有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种新型LED结构,包括氧化锌衬底及设在氧化锌衬底上的GaN蓝光芯片;在氧化锌衬底的底部设有金属镜面反射层;其特征在于:在GaN蓝光芯片上设有荧光微晶玻璃;氧化锌衬底的厚度为1‑100μm。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:何天贤,涂滔,
申请(专利权)人:广州闻达电子有限公司,
类型:新型
国别省市:广东;44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。