本实用新型专利技术公开了一种无极高压脉冲触发低压维持电路,主要解决了现有技术中存在的缺乏一种设计合理、性价比高、可靠性高、实施方便的脉冲触发低压维持电路,不能满足实际需求的问题。该无极高压脉冲触发低压维持电路包括控制处理芯片,分别与控制处理芯片两个PWM脉冲输出端口相连的驱动芯片,一次绕组两端与驱动芯片相连、且设置有两个二次绕组的驱动变压器U,分别与两个二次绕组相连的MOS管Q1和MOS管Q2,连接于MOS管Q1、MOS管Q2和控制处理芯片之间的过压保护电路,所述MOS管Q1的栅极与MOS管Q2的漏极相连。通过上述方案,本实用新型专利技术达到了性价比较高、安全可靠、便于使用,符合实际需求的目的,具有很高的实用价值和推广价值。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种无极高压脉冲触发低压维持电路,主要解决了现有技术中存在的缺乏一种设计合理、性价比高、可靠性高、实施方便的脉冲触发低压维持电路,不能满足实际需求的问题。该无极高压脉冲触发低压维持电路包括控制处理芯片,分别与控制处理芯片两个PWM脉冲输出端口相连的驱动芯片,一次绕组两端与驱动芯片相连、且设置有两个二次绕组的驱动变压器U,分别与两个二次绕组相连的MOS管Q1和MOS管Q2,连接于MOS管Q1、MOS管Q2和控制处理芯片之间的过压保护电路,所述MOS管Q1的栅极与MOS管Q2的漏极相连。通过上述方案,本技术达到了性价比较高、安全可靠、便于使用,符合实际需求的目的,具有很高的实用价值和推广价值。【专利说明】无极高压脉冲触发低压维持电路
本技术涉及一种无极高压脉冲触发低压维持电路。
技术介绍
无极灯作为第四代绿色照明有着广阔的市场应用前景,是未来照明行业发展的主 要趋势,其工作原理是利用镇流器谐振时产生的高频、高压电场,经耦合器产生交变磁场, 磁场穿过玻壳进入灯泡腔内,交变磁场产生交变电场,在高频高压作用下,灯泡内气体雪崩 电离形成等离子体,等离子体中的受激汞原子在返回基态过程中辐射出254nm的紫外线, 灯泡内壁荧光粉受到紫外线照射而转换成可见光。由此可见,无极灯的发光主要由镇流器、 耦合器和泡壳这三大件构成,缺一不可,这三者的最佳匹配才能确保无极灯正常发光,且具 有良好光效。 由于器件生产过程中的因素,部件的一致性难以解决,这给合理匹配带来难以解 决的特性问题。目前,无极灯电子镇流器多沿用以前多家公司专为有电极熒光灯设计的专 用芯片,搭建功率输出电路。采用他激方式从高频开始降频扫描,首先高频预热逐渐降低经 过谐振点产生高压将灯激发点亮,然后再降到工作频率将点亮后的灯低压维持。然而,这些 芯片必然不是为无电极熒光灯设计的专用芯片,在使用过程中的可靠性和稳定性难以滿足 无极灯的长寿命,高可靠的现实要求。 由于不同的气体有着不同的激励能和电离能,电子碰撞原子并使之电离,则其原 子所具有的该原子的气体激励能使电子在有一定电位差的电场中加速,电子可获得最大的 能量,能使气体电离,此时的能量称为电离能。在一定的气体件件下,当放电电场达到临界 值时,气体就将击穿,成导体状态。 所以在特定条件下(电离能为一定量时),激励能起着重要因素。无极灯炮壳的物 理特性在制作过程中总存在着生产过程的偏差,使用环境条件的不同,使得无极灯的电离 点火条件出现不确定因素。但同工艺制造的无极灯(电离发光体-炮壳),均可视为有一最 小击穿条件。为满足无极灯在生产过程中的偏差,并根据气体放电学理论,使用高频高压脉 冲串点火触发技术,使点火触发脉冲能量远大于最小击穿能量条件,使无极灯因匹配性的 问题导致的无极灯偶发性出现不能点亮的现象很难从根本上彻底解决。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种无极高压脉冲触发低压维持电路,主要解决现有 技术中存在的缺乏一种设计合理、性价比高、可靠性高、实施方便的脉冲触发低压维持电 路,不能满足实际需求的问题。 为了实现上述目的,本技术采用的技术方案如下: 无极高压脉冲触发低压维持电路,包括控制处理芯片,分别通过电阻R1和电阻R2 与控制处理芯片两个PWM脉冲输出端口相连的驱动芯片,一次绕组两端分别通过电阻R5和 电容C1与驱动芯片相连、且设置有两个二次绕组的驱动变压器U,分别与两个二次绕组相 连的MOS管Q1和MOS管Q2,连接于MOS管Ql、MOS管Q2和控制处理芯片之间的过压保护 电路,连接于M0S管Q1的源极和其中一二次绕组之间的二极管D1,连接于M0S管Q2的源极 和另一二次绕组之间的二极管D2,所述M0S管Q1的栅极与M0S管Q2的漏极相连,所述M0S 管Q1的栅极与源极之间连接有电阻R6,所述M0S管Q2的栅极与源极之间连接有电阻R7。 具体地说,所述过压保护电路包括同相输入端通过电阻R10连接于M0S管Q2栅极 的运算放大器T2,连接于运算放大器T2的输出端与控制处理芯片之间的电阻R11,输出端 通过电阻R14与控制处理芯片相连的运算放大器T1,连接于运算放大器T1的同相输入端与 地之间的二极管D6, 一端与运算放大器T1的同相输入端相连、另一端通过电容C7接地的电 阻R13, 一端连接于电阻R13和电容C7之间、另一端通过二极管D4接地的二极管D5, 一端 连接于二极管D4和二极管D5之间、另一端接地的电阻R12, 一端连接于二极管D4和二极 管D5之间、另一端分别通过电容C3与M0S管Q2的栅极相连、通过电容C2与M0S管Q1的 栅极相连的电阻R8。 进一步地,所述运算放大器T2的反相输入端与输出端相连;所述运算放大器T1的 反相输入端与输出端相连;所述运算放大器T2的同相输入端与地之间连接有二极管D3。 考虑到实际需求,所述电容C2与M0S管Q1的栅极之间连接有PFC矫正电路。 作为优选,所述控制处理芯片为STC15F408AD ;驱动芯片为IXD602 ;所述运算放大 器T1和运算放大器T2均为MC4558。 本技术中,所述控制处理芯片连接有时钟电路、通讯接口电路和晶振电路。 与现有技术相比,本技术具有以下有益效果: (1)本技术选用特定的芯片,并对电路进行巧妙设计,实现了高效简便启动并 维持无极灯亮度的目的,再实施过程中,只需将产生的PWM脉冲波输出至无极灯耦合器便 可实现脉冲触发和低压维持,设计合理、性价比较高,可靠性较高,符合实际需求,适合大规 模推广应用。 【专利附图】【附图说明】 图1为本技术-实施例的电路原理图。 【具体实施方式】 下面结合附图和实施例对本技术作进一步说明,本技术的实施方式包括 但不限于下列实施例。 实施例 如图1所示,本技术公开了一种无极高压脉冲触发低压维持电路,采用高速、 高可靠、低功耗、超强抗干扰的新一代单片机芯片STC15F408AD作为控制处理芯片,在实施 时,采用该控制处理芯片的PCA高速脉冲输出方式,通过设置寄存器,输出两路占空比50%、 频率240KHz的正负脉冲,经过功率驱动芯片IXD602输出,作为控制信号,其具体应用原理 如下: 控制处理芯片输出两路倒相互补的PWM脉冲为波,方波占空比各为50%、宽度为 2. 08us、死区时间为250ns,在半桥中线形成2. 08us宽度,重复时间间隔等于200ns的高频 脉冲串。此脉冲串同时也作为谐振变换后的正弦功率输出至无极灯耦合器。240KHz的高频 脉冲串与谐振电路的谐振点相同,在无极灯未点燃负载等效阻抗趋于无穷大时,将在耦合 器上产生约5KV的高频电压,在5KV的高频电压下灯壳内的气体将快速电离,完成点火。无 极灯的点火时间正常情况下45us即可完成,然在点火期功率开关器件处于严重过载状态, 因此要求点火能量要强,并且以最大的能量、最快的速度完成,使功率开关器件快速过度到 正常工作。直接高压脉冲点火是最佳的选择,一但点火失败必须快速关闭,并进行再次点火 至到条件性保护。 在实施时,本技术优选通过限制高本文档来自技高网...
【技术保护点】
无极高压脉冲触发低压维持电路,其特征在于,包括控制处理芯片,分别通过电阻R1和电阻R2与控制处理芯片两个PWM脉冲输出端口相连的驱动芯片,一次绕组两端分别通过电阻R5和电容C1与驱动芯片相连、且设置有两个二次绕组的驱动变压器U,分别与两个二次绕组相连的MOS管Q1和MOS管Q2,连接于MOS管Q1、MOS管Q2和控制处理芯片之间的过压保护电路,连接于MOS管Q1的源极和其中一二次绕组之间的二极管D1,连接于MOS管Q2的源极和另一二次绕组之间的二极管D2,所述MOS管Q1的栅极与MOS管Q2的漏极相连,所述MOS管Q1的栅极与源极之间连接有电阻R6,所述MOS管Q2的栅极与源极之间连接有电阻R7。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:陈英,李兆廷,孙秀方,邹帮忠,黎昌波,
申请(专利权)人:成都东旭节能科技有限公司,成都东旭建设工程有限公司,
类型:新型
国别省市:四川;51
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