低电压达林顿放大器制造技术

本发明专利技术公开了一种低电压达林顿放大器。它包括一个基本达林顿放大单元、一个交直流分离单元和一个电源电压极性转换单元。本发明专利技术电路将达林顿放大单元的交流与直流地分离，并将交流地钳位到地；本发明专利技术电路将达林顿放大器的直流参考地钳位到负的参考电平上，提高了电源电压到直流参考地之间的电势差。传统达林顿放大器电源电压一般大于5～7V，本发明专利技术的低电压达林顿放大器电源电压可低至3～4V。本发明专利技术广泛应用于微波单片IC中的各类达林顿结构电路中。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种低电压达林顿放大器，其特征在于，它含有：一个基本达林顿放大单元，包括三极管Q1b、三极管Q2b，电阻R1b、电阻R2b、电阻R3b，其中，Q1b的发射极与Q2b的基极相连，Q1b的集电极与Q2b的集电极相连，并与输出端Vout连接，Q1b的基极与输入端Vin连接，R1b的一端接Q1b的基极，R1b的另一端接输出端Vout，R2b的一端接Q1b的基极，R3b的一端与Q1b的发射极相连，R4b的一端与Q2b的发射极相连，R2b的另一端与R3b的另一端、电阻R4b的另一端连接在一起，连接点为A；和一个交直流分离单元，包括电容C1b，其中，C1b的一端与连接点A相连，C1b的另一端接地；和一个电源电压极性转换单元，包括MOS管M1b、MOS管M2b、MOS管M3b、MOS管M4b，反相器INV、振荡器OSC、电容C2b、电容C3b，其中，OSC的输出端VOSCout与M1的栅极、M3b的栅极、M4b的栅极、INV的输入端VINVin连接在一起，INV的输出端VINVout与M2b的栅极连接在一起，M4b的漏极接电源VCC，M4b的源极与M3的漏极、C3b的一端连接在一起，连接点为B，M2b的源极与M1b的漏极、C3b的另一端连接在一起，连接点为C，M1b的源极与C2b的一端相连，连接点为A，M2b的漏极接地，M3b的源极和电容C2b的另一端连接在一起，并接地。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘成鹏，王国强，何峥嵘，邹伟，蒲颜，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十四研究所，
类型：发明
国别省市：重庆;85