本发明专利技术涉及离心充磁法，成型烧结的充磁物体烧结降温前，按充磁方向固定摆放到离心充磁盘上，或烧结成型的充磁物体按充磁方向固定摆放在离心充磁盘上加温止居里温度之上非熔解温度之下，充磁物体固定摆放的离心方向为磁N极，使充磁物体所有原子核在离心充磁盘高速旋转带动下向离心方向一侧偏移形成磁N极，或使充磁物体内的原子核旋转极轴顺离心方向排列形成磁N极，离心充磁盘高速旋转至止充磁物体降温到正常温度，用非磁场离心环境达到磁化不同大小永磁目的。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及，成型烧结的充磁物体烧结降温前，按充磁方向固定摆放到离心充磁盘上，或烧结成型的充磁物体按充磁方向固定摆放在离心充磁盘上加温止居里温度之上非熔解温度之下，充磁物体固定摆放的离心方向为磁N极，使充磁物体所有原子核在离心充磁盘高速旋转带动下向离心方向一侧偏移形成磁N极，或使充磁物体内的原子核旋转极轴顺离心方向排列形成磁N极，离心充磁盘高速旋转至止充磁物体降温到正常温度，用非磁场离心环境达到磁化不同大小永磁目的。【专利说明】
本专利技术涉及，适用制造不同大小永磁，充磁均匀，工作时安全无污染节 约能源，是加工大型永磁不可缺少的必须方法。
技术介绍
我们知道：a、任何一种可充磁固体在磁场中都可以被磁化；b、具有可充磁固体在 高温磁场环境下冷却后都会得到较高水平磁性，而且充磁有一个居里温度，当充磁固体加 温止居里温度之上在磁场环境下降温就会得到较高磁性；c、任何物体在旋转时都可以产生 磁性； 上面现象称磁化，那么磁化的本质是什么，磁化终止的实质又是什么？实际道理 非常简单，充磁就是被磁化固体在磁场中原子核向原子的一侧偏移，或原子核旋转极轴顺 磁场方向排列，当外磁场消除后被磁化固体的原子核偏移位置或原子核旋转极轴排列方向 被保留下来。 我们常用的制造永磁充磁方法都是采用电能产生的磁场，但这种方法产生的磁场 需要很大的电能，而且产生的磁场范围受限还不均匀，无法实现大型永磁的制造，这样对一 些需要大型永磁体的工程就受到了约束。 为了达到制造大型永磁目的，本人专利技术了，它是利用旋转离心力来实 现被磁化固体在离心作用下原子核向原子一侧偏移，或原子核旋转极轴顺离心方向排列， 离心方向为磁N极。
技术实现思路
本专利技术所述的其特征在于： 离心充磁盘，成型烧结的充磁物体烧结降温前，按充磁方向固定摆放到离心充磁 盘上，或烧结成型的充磁物体按充磁方向固定摆放在离心充磁盘上加温止居里温度之上非 熔解温度之下，充磁物体固定摆放的离心方向为磁N极，使充磁物体所有原子核在离心充 磁盘高速旋转带动下向离心方向一侧偏移形成磁N极，或使充磁物体内的原子核旋转极轴 顺离心方向排列形成磁N极，离心充磁盘高速旋转至止充磁物体降温到正常温度，用非磁 场离心环境达到磁化不同大小永磁目的。 【专利附图】【附图说明】 图1 :实施正视示意图； 图2 :实施侧剖视示意图。 实施方案 如图1、2所示，固定安装在旋转驱动轴（2)上的离心充磁盘（1)，成型烧结的充磁 物体（3)烧结降温前，按充磁方向固定摆放到离心充磁盘（1)上，或烧结成型的充磁物体 (3)按充磁方向固定摆放在离心充磁盘（1)上加温止居里温度之上非熔解温度之下，充磁 物体（3)固定摆放的离心方向为磁N极（4)，使充磁物体（3)所有原子核在离心充磁盘（1) 高速旋转带动下向离心方向一侧偏移形成磁N极（4)，或使充磁物体（3)内的原子核旋转极 轴顺离心方向排列形成磁N极，离心充磁盘⑴高速旋转至止充磁物体（3)降温到正常温 度，用非磁场离心环境达到磁化不同大小永磁目的，图中（5)代表离心充磁盘（1)在高速旋 转，它的旋速越高，产生的离心力越大充磁能力越强。【权利要求】1.本专利技术涉及，其特征在于：离心充磁盘，成型烧结的充磁物体烧结降温 前，按充磁方向固定摆放到离心充磁盘上，或烧结成型的充磁物体按充磁方向固定摆放在 离心充磁盘上加温止居里温度之上非熔解温度之下，充磁物体固定摆放的离心方向为磁 N极，使充磁物体所有原子核在离心充磁盘高速旋转带动下向离心方向一侧偏移形成磁N 极，或使充磁物体内的原子核旋转极轴顺离心方向排列形成磁N极，离心充磁盘高速旋转 至止充磁物体降温到正常温度，用非磁场离心环境达到磁化不同大小永磁目的。【文档编号】H01F13/00GK104103396SQ201310121383【公开日】2014年10月15日 申请日期:2013年4月10日 优先权日:2013年4月10日 【专利技术者】陈广民 申请人:陈广民本文档来自技高网...
【技术保护点】
本专利技术涉及离心充磁法，其特征在于：离心充磁盘，成型烧结的充磁物体烧结降温前，按充磁方向固定摆放到离心充磁盘上，或烧结成型的充磁物体按充磁方向固定摆放在离心充磁盘上加温止居里温度之上非熔解温度之下，充磁物体固定摆放的离心方向为磁N极，使充磁物体所有原子核在离心充磁盘高速旋转带动下向离心方向一侧偏移形成磁N极，或使充磁物体内的原子核旋转极轴顺离心方向排列形成磁N极，离心充磁盘高速旋转至止充磁物体降温到正常温度，用非磁场离心环境达到磁化不同大小永磁目的。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈广民，
申请(专利权)人：陈广民，
类型：发明
国别省市：河南;41
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