本发明专利技术涉及能够正确且迅速地将一定电力传输至多个等离子体腔室的电力供给装置和方法及利用该装置和方法的基板处理装置。根据本发明专利技术的一个实施例的电力供给装置包含:RF电源部,其提供RF信号;阻抗匹配部,其使被供给上述RF信号的多个负载的阻抗匹配;电力调节部,其包含连接于上述多个负载中的一部分的可变阻抗元件及连接于上述多个负载中的剩余部分的固定阻抗元件,并且调节向各个负载供给的电量;传感器部,其感知对各个负载施加的RF信号;以及控制部,其基于上述传感器部的感知数据而控制上述可变阻抗元件的阻抗。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及能够正确且迅速地将一定电力传输至多个等离子体腔室的电力供给装置和方法及利用该装置和方法的基板处理装置。根据本专利技术的一个实施例的电力供给装置包含:RF电源部,其提供RF信号;阻抗匹配部,其使被供给上述RF信号的多个负载的阻抗匹配;电力调节部,其包含连接于上述多个负载中的一部分的可变阻抗元件及连接于上述多个负载中的剩余部分的固定阻抗元件,并且调节向各个负载供给的电量;传感器部,其感知对各个负载施加的RF信号;以及控制部,其基于上述传感器部的感知数据而控制上述可变阻抗元件的阻抗。【专利说明】电力供给装置和方法及利用该装置和方法的基板处理装置
本专利技术涉及电力供给装置、电力供给方法及利用该电力供给装置和电力供给方法 的基板处理装置。
技术介绍
在制造半导体、显示器、太阳电池等工序中,包含利用等离子体对基板进行处理的 工序。例如,半导体制造工序中用于干式蚀刻的蚀刻装置或用于灰化(ashing)的灰化装置 包含用于生成等离子体的腔室,可利用上述等离子体对基板进行蚀刻或灰化处理。 为了生成等离子体,这种基板处理装置使时变电流流入至设置于腔室的线圈而在 腔室内产生电磁场,利用所产生的电磁场,由供给至腔室的气体产生等离子体。另外,当基 板处理装置包含多个等离子体腔室来在各种工作站(Station)中对基板进行处理的情况 下,将同一电力传输至各个等离子体腔室显得尤为重要。 进而,等离子体腔室的阻抗随着工序的进行而变更的情况下,各腔室中的电量会 发生变动,这种电量的变动能够诱发等离子体腔室内的等离子体闪烁(flicker)现象以及 阻抗匹配时间增加等能够对工序产生影响。
技术实现思路
本专利技术的一个实施例的目的在于提供能够正确且迅速地将一定电力传输至多个 等离子体腔室的电力供给装置、电力供给方法及基板处理装置。 本专利技术的一个实施例的目的在于提供能够高效地将电力传输至多个等离子体腔 室的电力供给装置、电力供给方法及基板处理装置。 根据本专利技术的一个实施例的电力供给装置能够包含:RF电源部,其提供RF信号; 阻抗匹配部,其使被供给上述RF信号的多个负载的阻抗匹配;电力调节部,其包含连接于 上述多个负载中的一部分的可变阻抗组件及连接于上述多个负载中的剩余部分的固定阻 抗组件,且调节向各个负载供给的电量;传感器部,其感知对各个负载施加的RF信号;以及 控制部,其基于上述传感器部的感知数据而控制上述可变阻抗组件的阻抗。 上述负载能够包含利用上述RF信号而生成等离子体的等离子体装置。 上述多个负载可互相并联连接。 上述可变阻抗组件能够包含电容可变更的可变电容器,上述固定阻抗组件包含电 容固定的固定电容器。 上述传感器部能够感知上述RF信号的电压、电流及相位中的至少一个。 上述阻抗匹配部可调节阻抗,以使上述RF信号中自上述负载反射而来的反射波 减少至已设定的允许范围内。 上述控制部能够在上述阻抗匹配部使上述多个负载的阻抗匹配之后,基于上述感 知数据而测定向各个负载供给的电量,且控制上述可变阻抗组件的阻抗,以将上述测定出 的电量调节至已设定的目标电力范围内。 上述阻抗匹配部能够在上述控制部控制上述可变阻抗元件的阻抗之后,使上述多 个负载的阻抗匹配。 根据本专利技术的一个实施例的电力供给方法能够包含:生成RF信号;匹配被施加上 述RF信号的多个负载的阻抗;测定向各个负载供给的电量;以及在上述电量超出已设定的 目标电力范围的情况下,调节连接于上述多个负载中的一部分的可变阻抗元件的阻抗。 上述匹配阻抗的步骤能够包含:测定上述RF信号中自上述负载反射而来的反射 波;以及在上述反射波超出已设定的允许范围的情况下,调节阻抗匹配部的阻抗,以使上述 反射波减少至上述允许范围内。 上述电力供给方法能够在上述调节可变阻抗元件的阻抗的步骤之后,反复地进行 如下步骤:使上述多个负载的阻抗匹配;测定向各个负载供给的电量;以及在上述电量超 出上述目标电力范围的情况下,调节上述可变阻抗元件的阻抗。 根据本专利技术的一个实施例的基板处理装置能够包含:电力供给装置,其供给RF电 力;以及多个等离子体装置,其利用上述RF电力生成等离子体,从而对基板进行处理,上述 电力供给装置包含:RF电源部,其提供RF信号;阻抗匹配部,其使上述多个等离子体装置的 阻抗匹配;电力调节部,其包含连接于上述多个等离子体装置中的一部分的可变阻抗元件 及连接于上述多个等离子体装置中的剩余部分的固定阻抗元件,且调节向各个等离子体装 置供给的电量;传感器部,其感知对各个等离子体装置施加的RF信号;以及控制部,其基于 上述传感器部的感知数据而控制上述可变阻抗元件的阻抗,上述等离子体装置包含:工序 处理部,其提供在内部配置基板而执行处理工序的空间;等离子体生成部,其生成等离子体 且向上述工序处理部供给该等离子体;以及排气部,其排出上述工序处理部内部的气体及 反应副产物。 上述多个等离子体装置可并联连接于上述电力供给装置。 上述可变阻抗元件能够包含电容可变更的可变电容器,上述固定阻抗元件包含电 容固定的固定电容器。 上述传感器部能够感知上述RF信号的电压、电流及相位中的至少一个。 上述阻抗匹配部可调节阻抗,以使上述RF信号中自上述等离子体装置反射而来 的反射波减少至已设定的允许范围内。 上述控制部能够在上述阻抗匹配部使上述多个等离子体装置的阻抗匹配之后,基 于上述感知数据而测定供给至各个等离子体装置的电量,且控制上述可变阻抗元件的阻 抗,以将上述测定出的电量调节至已设定的目标电力范围内。 上述阻抗匹配部可在上述控制部控制上述可变阻抗元件的阻抗之后,使上述多个 等离子体装置的阻抗匹配。 根据本专利技术的一个实施例的电力供给方法体现为可由计算机执行的程序,且可记 录于可由计算机读取的记录介质。 根据本专利技术的一个实施例,能够正确且迅速地将一定电力传输至多个等离子体腔 室。 根据本专利技术的一个实施例,能够高效地将电力传输至多个等离子体腔室。 【专利附图】【附图说明】 图1是概略地表示本专利技术的一个实施例的基板处理装置的框图。 图2是概略地表示本专利技术的一个实施例的等离子体装置的图。 图3是示例性地表示本专利技术的一个实施例的电力供给装置的框图。 图4是表示本专利技术的一个实施例的电力调节部的示例性构成的电路图。 图5是表示本专利技术的一个实施例的电力调节部的其他示例性构成的电路图。 图6是示例性地说明本专利技术的一个实施例的电力供给方法的图。 图7是示例性地说明本专利技术的一个实施例的阻抗匹配过程的图。 【具体实施方式】 参照与随附图一并详细后述的实施例,本专利技术的其他优点及特征以及实现该等优 点及特征的方法变得明确。然而,本专利技术并不限定于以下所公开的实施例,其可表现为互不 相同的各种方式,提供本实施例的目的仅在于使本专利技术的公开内容变得完整,且为了使具 有本专利技术所属
中的技术人员完全了解专利技术的范畴,本专利技术仅由权利要求书的范畴 所定义。 即使未进行定义,但是在此使用的全部用语(包含技术用语或科学用语)具有该发 明所属的现有技术中的普遍技术中所表示的本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电力供给装置,包含:RF电源部,其提供RF信号;阻抗匹配部,其使被供给上述RF信号的多个负载的阻抗匹配;电力调节部,其包含连接于上述多个负载中的一部分的可变阻抗元件及连接于上述多个负载中的剩余部分的固定阻抗元件,且调节向各个负载供给的电量;传感器部,其感知对各个负载施加的RF信号;以及控制部,其基于上述传感器部的感知数据而控制上述可变阻抗元件的阻抗。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:金龙植,徐元范,朴知训,南承庆,
申请(专利权)人:PSK有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。