本实用新型专利技术涉及一种瞬态电压抑制器，包括上下两层放电极片和设置在所述两层放电极片之间的多个单晶硅层，所述放电极片包括本体、第一凸起部和第二凸起部，所述第一凸起部设置在所述本体的下端，所述第二凸起部设置在所述第一凸起部的下端，所述单晶硅层与所述本体相匹配，所述放电极片的长度为15.2～15.8mm，所述放电极片的宽度为9.2～9.8mm，所述放电极片的厚度为0.3～0.5mm，所述上下两层放电极片外表面之间的距离为2.2～2.8mm。本实用新型专利技术的有益效果在于，提供一种可承受大电流冲击、响应时间快、电压箝位低以及保护效果好的瞬态电压抑制器。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及一种瞬态电压抑制器，包括上下两层放电极片和设置在所述两层放电极片之间的多个单晶硅层，所述放电极片包括本体、第一凸起部和第二凸起部，所述第一凸起部设置在所述本体的下端，所述第二凸起部设置在所述第一凸起部的下端，所述单晶硅层与所述本体相匹配，所述放电极片的长度为15.2～15.8mm，所述放电极片的宽度为9.2～9.8mm，所述放电极片的厚度为0.3～0.5mm，所述上下两层放电极片外表面之间的距离为2.2～2.8mm。本技术的有益效果在于，提供一种可承受大电流冲击、响应时间快、电压箝位低以及保护效果好的瞬态电压抑制器。【专利说明】一种瞬态电压抑制器
本技术涉及一种瞬态电压抑制器。
技术介绍
瞬态二极管（Transient Voltage Suppressor)也称瞬态抑制保护器，简称TVS,是 一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它 能以10的负12次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪 涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各 种浪涌脉冲的损坏。由于它具有响应时间快、瞬态功率较大、漏电流低、击穿电压偏差、箝位 电压较易控制、体积小等优点，广泛应用于计算机系统、通讯设备、交/直流电源、汽车、电 子镇流器、家用电器、仪器仪表、各类型接口协议的通讯线路、共模/差模保护、电机电磁波 干扰抑制、传感器/变速器、工控回路、继电器、接触器噪音的抑制等各个领域。 目前常规应用实例均是使用在抑制和释放各类型的干扰和谐波，过电压和静电干 扰等能量，是电磁兼容和浪涌保护领域不可缺少的重要元器件。瞬态抑制二极管是基于稳 压管和二极管的特性制造而生。配合多个碟式氧化锌压敏电阻（简称MOV)，作为各类型过 电压、过电流（也称浪涌电压和浪涌电流，亦称浪涌能量）和突波吸收主要手段。一般由 MOV作为第一级和首次吸收释放浪涌能量的主要元件，在对地释放浪涌能量同时，会有一部 分浪涌能量传导至后以及电路，以及首次释放浪涌能量后，会产生对地残余电压，这就需要 TVS作为第二级和再一次吸收和释放浪涌能量，直到将传入被保护设备及线路上的浪涌能 量，不致损坏设备及线路。在上述保护动作过程中，TVS起到至关重要的作用，不仅释放残余 能量，同时，具有电压箝位的功能，可以很好的起到保护设备的目的。但是由于其二极管特 性、结构和制造工艺的影响，TVS本身的可承受浪涌电流和电压水平远远很小于压敏电阻， 而且，箝位效果优良所以作为第二级保护器件使用。这样带来一个很棘手的问题，就是在较 大的浪涌能量传到至保护电流时，由于第一级的压敏电阻性能差异和动作时间差压，对后 面第二级的TVS有较大动作压力，很可能会击穿或超过TVS极限导通电流而损坏产品。同 比各类型，各电压级别的TVS对短时（10ms)耐受电流冲击仅为〈100A，而一般20kA雷电浪 涌冲击压敏电阻产生的残压大约为4kV-2kV，其支路浪涌残余电流也约为其放电电流峰值 的10-15%，即为2-3kA。所以，一般TVS在这一浪涌电流下是无法承受的。这也是目前众 多的浪涌保护产品和电磁兼容设计中面临的瓶颈：保护电流大，电压箝位区间大和电流抑 制作用小；电压箝位精准和电流抑制作用大，而保护电流能力则变小，仅为10kA以下。所 以，设计开发一种新型的，具有大通流能力的TVS，在发挥原有电压箝位的同时，可以大幅提 高其电流释放能力，对于整体提高保护电路的浪涌能量承受能力，具有重要意义。
技术实现思路
鉴于现有技术中存在的上述问题，本技术的主要目的在于解决现有技术的缺 陷，本技术提供一种可承受大电流冲击、响应时间快、电压箝位低以及保护效果好的瞬 态电压抑制器。 本技术提供了一种瞬态电压抑制器，包括上下两层放电极片和设置在所述两 层放电极片之间的多个单晶硅层，所述放电极片包括本体、第一凸起部和第二凸起部，所述 第一凸起部设置在所述本体的下端，所述第二凸起部设置在所述第一凸起部的下端，所述 单晶硅层与所述本体相匹配，所述放电极片的长度为15. 2?15. 8_，所述放电极片的宽度 为9. 2?9. 8_，所述放电极片的厚度为0. 3?0. 5_，所述上下两层放电极片外表面之间 的距离为2. 2?2. 8mm。 可选的，所述本体的长度为9. 4?9. 6mm，宽度为9. 2?9. 8mm。 可选的，所述第一凸起部的下边缘距离所述本体的上端边缘的距离为11. 7? 12. 1mm，所述第一凸起部的宽度为4. 4?5. 4mm。 可选的，所述第二凸起部的下边缘距离所述本体的上端边缘的距离为15. 2? 15. 8mm，所述第二凸起部的宽度为1. 55?1. 65mm。 可选的，所述多个单晶硅层为6个单晶硅层。 本技术具有以下优点和有益效果： 【专利附图】【附图说明】 图1为本技术实施例瞬态电压抑制器的主视结构示意图； 图2为本技术实施例瞬态电压抑制器的左视结构示意图。 【具体实施方式】 下面将参照附图和具体实施例对本技术作进一步的说明。 如图1和图2所示：本技术实施例的一种瞬态电压抑制器，包括上下两层放电 极片1和设置在所述两层放电极片1之间的多个单晶硅层2,所述放电极片1包括本体11、 第一凸起部12和第二凸起部13,所述第一凸起部12设置在所述本体11的下端，所述第二 凸起部13设置在所述第一凸起部12的下端，所述单晶硅层2与所述本体1相匹配，所述放 电极片1的长度为15. 2?15. 8mm，所述放电极片1的宽度为9. 2?9. 8mm，所述放电极片1 的厚度为〇. 3?0. 5mm，所述上下两层放电极片1外表面之间的距离为2. 2?2. 8mm，所述 两层放电极片1与多个单晶硅层2进行封装，提高了该瞬态电压抑制器的电压隔离效果，并 且在通过大电流时电压箝位区间大。 作为上述实施例的优选实施方式，所述本体的长度为9. 4?9. 6mm，宽度为9. 2? 9. 8mm〇 作为上述实施例的优选实施方式，所述第一凸起部的下边缘距离所述本体的上端 边缘的距离为11. 7?12. 1mm,所述第一凸起部的宽度为4. 4?5. 4mm。 作为上述实施例的优选实施方式，所述第二凸起部的下边缘距离所述本体的上端 边缘的距离为15. 2?15. 8mm，所述第二凸起部的宽度为1. 55?1. 65mm。 作为上述实施例的优选实施方式，所述多个单晶硅层为6个单晶硅层。 最后应说明的是：以上所述的各实施例仅用于说明本技术的技术方案，而非 对其限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员 应当理解：其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或全部 技术特征进行等同替换；而这些修改或替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术 各实施例技术方案的范围。【权利要求】1. 一种瞬态电压抑制器，其特征在于：包括上下两层放电极片和设置在所述两层放电 极片之间的多个单晶硅层，所述放电极片包括本体、第一凸起部和第二本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种瞬态电压抑制器，其特征在于：包括上下两层放电极片和设置在所述两层放电极片之间的多个单晶硅层，所述放电极片包括本体、第一凸起部和第二凸起部，所述第一凸起部设置在所述本体的下端，所述第二凸起部设置在所述第一凸起部的下端，所述单晶硅层与所述本体相匹配，所述放电极片的长度为15.2～15.8mm，所述放电极片的宽度为9.2～9.8mm，所述放电极片的厚度为0.3～0.5mm，所述上下两层放电极片外表面之间的距离为2.2～2.8mm。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘腾业，杨杰，
申请(专利权)人：深圳市深波电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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