本实用新型专利技术公开了一种电子元件承盘结构改良，承盘本体具有一顶面及相对于顶面的一背面，所述承盘本体在顶面成型有若干容置部，承盘本体在容置部周缘成型有若干挡墙，所述容置部具有一承载面，该承载面上成型有若干结构凸，所述容置部用于容置电子元件，且电子元件与结构凸接触而不与承载面接触。本实用新型专利技术在承盘本体上成型若干结构凸，电子元件容置于容置部内时与结构凸接触而不与承载面接触，使得电子元件与承盘本体间为点接触，借此降低电子元件与承盘本体间的接触面积。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种电子元件承盘结构改良，承盘本体具有一顶面及相对于顶面的一背面，所述承盘本体在顶面成型有若干容置部，承盘本体在容置部周缘成型有若干挡墙，所述容置部具有一承载面，该承载面上成型有若干结构凸，所述容置部用于容置电子元件，且电子元件与结构凸接触而不与承载面接触。本技术在承盘本体上成型若干结构凸，电子元件容置于容置部内时与结构凸接触而不与承载面接触，使得电子元件与承盘本体间为点接触，借此降低电子元件与承盘本体间的接触面积。【专利说明】
本技术有关于一种承盘结构，尤其指一种放置电子元件便于运送的承盘结 构。 电子元件承盘结构改良
技术介绍
随着高科技制造产业的发展，电子元件在制造与运送的过程中大多依赖自动化的 输送系统来运送。而在电子元件的制造流程或搬运过程中，通常使用承盘来防止电子元件 受到外力撞击而受到损伤。 已知的电子元件承盘请参阅图1所示，其主要为一承盘本体10,该承盘本体10具 有多个容置部11，并在容置部11周缘成型有多个限位柱12。 使用时，请参阅图2配合图1所示，电子元件13 (例如芯片）容设于容置部11内， 并受容置部11周缘的多个限位柱12限位于容置部11内。值得注意的是，若电子元件13 与容置部11间的接触面积过大，则电子元件13置放于容置部11内时会与承盘本体10间 产生静电力，因此为了减小电子元件13与承盘本体10间的接触面积，已知有如图所示在容 置部11中央形成一镂空部14,使得电子元件13仅与容置部11的周侧及限位柱12接触。 然而，已知的承盘本体10无论是增加单一个容置部11中的镂空部14的数量，或 是加大镂空部14的范围，电子元件13与承盘本体10间仍保持着面接触，故电子元件13与 承盘本体10间的静电力仍无法大幅降低。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种电子元件承盘结构改良，可以降低电子 元件容置于承盘时与承盘间的接触面积，降低电子元件与承盘间的静电力。 为解决上述技术问题，本技术提供的电子元件承盘结构改良，承盘本体具有 一顶面及相对于顶面的一背面，所述承盘本体在顶面成型有若干容置部，所述承盘本体在 容置部周缘成型有若干挡墙，所述容置部具有一承载面，该承载面上成型有若干结构凸，所 述容置部容置电子元件，且电子元件与结构凸接触而不与承载面接触。 本技术利用所提供的电子元件承盘结构改良，可以获得的功效在于：通过在 承盘本体上成型若干结构凸，当电子元件容置于容置部内时，电子元件与结构凸接触而不 与承载面接触，使得电子元件与承盘本体间为点接触，借此降低电子元件与承盘本体间的 接触面积。 【专利附图】【附图说明】 图1是已知电子元件承盘的立体图； 图2是已知电子元件承盘使用时的剖视图； 图3是本技术实施例的立体图； 图4是本技术实施例使用时的剖视图。 其中附图标记说明如下： 10承盘本体 11容置部 12限位柱 13电子元件 14镂空部 20承盘本体 201顶面 202背面 21容置部 211承载面 212结构凸 22挡墙 23镂空部 70电子元件 【具体实施方式】 下面结合附图与【具体实施方式】对本技术作进一步详细的说明。 在本技术被详细描述之前，要注意的是在以下的说明内容中，类似的元件是 以相同的编号来表不。 本技术电子元件承盘结构改良的较佳实施例如图3及图4所示，主要为： 承盘本体20,具有一顶面201及相对于顶面201的一背面202,承盘本体20在顶 面201成型有若干容置部21，承盘本体20在容置部21周缘成型有若干挡墙22,容置部21 具有一承载面211，并在承载面211上成型有若干结构凸212,容置部21用于容置电子元件 70,且电子元件70与结构凸212接触而不与承载面211接触，在此实施例中，容置部21的 中央设有一镂空部23,挡墙22为成型于承盘本体20上的柱状结构，各结构凸212的数量为 四，且等分地位于容置部的四角端，其表面均为弧面，且各结构凸212等高。 以上所述为本技术实施例主要构件及其组态说明。至于本技术实施例的 使用方式及功效，请参阅图4配合图3所示，使用时，将电子元件70置放于容置部21内，且 电子元件70受容置部21周缘的挡墙22限位容置。其中，电子元件70放置在容置部21内 的结构凸212上，使得电子元件与承盘本体间为点接触，借此减小电子元件70与承盘本体 20间的接触面积，降低电子元件70与承盘本体20间的静电力，以便于后续的作业。 以上通过具体实施例对本技术进行了详细的说明，但这些并非构成对本实用 新型的限制。在不脱离本技术原理的情况下，本领域的技术人员可做出许多变形和等 效置换，这些也应视为本技术的保护范围。【权利要求】1. 一种电子元件承盘结构改良，其特征在于，承盘本体具有一顶面及相对于顶面的一 背面，所述承盘本体在顶面成型有若干容置部，所述承盘本体在容置部周缘成型有若干挡 墙，所述容置部具有一承载面，该承载面上成型有若干结构凸，所述容置部容置电子元件， 且电子元件与结构凸接触而不与承载面接触。2. 如权利要求1所述的电子元件承盘结构改良，其特征在于，所述挡墙为成型在承盘 本体上的柱状结构。3. 如权利要求1所述的电子元件承盘结构改良，其特征在于，所述各结构凸等高。4. 如权利要求1所述的电子元件承盘结构改良，其特征在于，所述各结构凸的数量为 四，且等分地位于容置部的四角端。【文档编号】B65D19/38GK203877108SQ201420233857【公开日】2014年10月15日 申请日期:2014年5月8日 优先权日:2014年5月8日 【专利技术者】罗郁南 申请人:晨州塑胶工业股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种电子元件承盘结构改良，其特征在于，承盘本体具有一顶面及相对于顶面的一背面，所述承盘本体在顶面成型有若干容置部，所述承盘本体在容置部周缘成型有若干挡墙，所述容置部具有一承载面，该承载面上成型有若干结构凸，所述容置部容置电子元件，且电子元件与结构凸接触而不与承载面接触。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：罗郁南，
申请(专利权)人：晨州塑胶工业股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾;71
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