本发明专利技术涉及一种处理模块，该处理模块具有至少一个位于该处理模块内的可抽真空的处理室，以及至少一个水平穿过该处理模块、能够沿至少一个基片运输方向移动的承载装置，该承载装置用于分别容纳至少一个需要在该处理室内进行加工的面状基片。本发明专利技术的目的在于，提出上述类型的处理模块，该处理模块使得能够在大的生产速度下，以尽可能低的设备成本实现所有基片的均匀且高质量的加工。该目的通过上述类型的处理模块得以实现，其中该至少一个处理室能够被承载装置相对于该处理模块以物理方式封闭，所述承载装置的位置能够在至少一个横向于基片运输方向的关闭方向上进行改变，其中该至少一个承载装置构成该至少一个处理室的底部。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术涉及一种处理模块，该处理模块具有至少一个位于该处理模块内的可抽真空的处理室，以及至少一个水平穿过该处理模块、能够沿至少一个基片运输方向移动的承载装置，该承载装置用于分别容纳至少一个需要在该处理室内进行加工的面状基片。本专利技术的目的在于，提出上述类型的处理模块，该处理模块使得能够在大的生产速度下，以尽可能低的设备成本实现所有基片的均匀且高质量的加工。该目的通过上述类型的处理模块得以实现，其中该至少一个处理室能够被承载装置相对于该处理模块以物理方式封闭，所述承载装置的位置能够在至少一个横向于基片运输方向的关闭方向上进行改变，其中该至少一个承载装置构成该至少一个处理室的底部。【专利说明】处理模块 本专利技术涉及一种处理模块，该处理模块具有至少一个位于该处理模块内的、能够 被抽真空的处理室、以及至少一个水平穿过该处理模块、能够在至少一个基片运输方向上 移动的承载装置，该承载装置用于分别容纳至少一个需要在该处理室内进行加工的面状基 片。 在大规模生产平面型产品（例如太阳能电池）时，大型的连续式设备被证明是有 效的。这种连续式设备例如有用于基片热处理的连续式滚式炉、以及连续式涂覆设备，例如 在档W0 2011/080659 A1中所公知的。在一这类设备中，多个基片（例如方形的太阳能电 池晶片）被置于承载装置上，并随后经过具有多个处理模块的模块化结构的设备，在这些 处理模块中分别完成相应的基片处理。构造成本低廉的连续式设备的问题在于，满足所生 产产品频繁变化的要求。例如在基片的电浆处理过程中对气体纯度的更高要求就属于这类 问题。 电浆处理设备的高纯度能够在例如超高真空设备和高真空设备中实现。然而 在低廉产品的生产中由于成本原因而排除了这种昂贵的设备。平行板反应器在文献 W02011/095846 A1中也是公知的，该平行板反应器满足了电浆辅助CVD沉积的高要求，而 电浆辅助CVD沉积的设备成本却相对低廉。即便如此，仍然希望提高产品的质量并降低生 产成本。 因此本专利技术的目的在于，提出一种上述类型的处理模块，该处理模块使得在大的 生产速度下，能够以尽可能低的设备成本均匀且高质量地加工所有的基片。 这个目的通过上述类型的处理模块得以实现，其中该至少一个处理室能够利用该 承载装置相对该处理模块以物理方式闭合，所述承载装置的位置能够在至少一个横向于基 片运输方向的关闭方向上进行改变，其中该至少一个承载装置形成该至少一个处理室的底 部。 该处理模块是根据腔室嵌套腔室的原理（Kammer-in-Kammer-Prinzip)构建的。 其中，该处理模块设有外腔室，在该外腔室内，该处理室被构建为内腔室。该处理室在此能 够固定在该处理模块的腔室盖上和/或借助特殊的承载元件从底部承载。在一些情况下， 该处理室也能够固定在该处理模块的中间盖板或隔板和/或侧壁上。固定变型的方式方法 主要受该处理室和/或该处理模块的技术要求和工艺要求的影响来确定。 与单个腔室相比，通过这种构造实现该处理区域与外界气体环境或与例如在处理 模块内部的基片运输中所需的辅助装置间的更好的分离。通过这种方式，还能够降低处理 室内的杂质气体的浓度，并改善处理室的温度调节的精度。由于电浆加工处理（例如电浆 辅助的化学气相沉积）是依赖于温度的，因此温度调节精度的提高也导致基片处理均匀性 方面的质量提高。另一优点在于，能够将用于基片处理的直接的处理区域限定为，使得在电 浆启动时能够更确定且更短地来完成主要依赖于气体交换的瞬态过程。 在根据本专利技术的处理模块中，特别简单并且相应节约成本地实现该处理室的方式 为，使得承载装置构成该处理室的底部。其中，原本存在的承载装置同时构成该处理室的底 部和关闭装置。其中只有承载装置的至少设置有一个基片的侧面在该处理室内。该承载装 置的其它的组件位于该处理室的外部。因此能够使该处理室的内部体积最小化，从而减小 抽气时间、清洗时间、以及通气时间，由此能够节省成本。 在此，该处理模块内还能够布置多个处理室。例如，正如将在下文进一步阐述的， 能够存在两个处理室，这两个处理室的底部由两个承载装置形成。 根据本专利技术，该承载装置能够在该处理模块内水平移动。该处理模块在此能够构 建为例如连续式设备的模块。在这种情况下只存在一个基片运输方向，即穿过该连续式设 备的连续运行方向。在另一设计中，该处理模块还能够是末端模块，该末端模块仅具有用于 运入或运出至少一个承载装置的开口。在这种情况下，存在两种基片运输方向，进入方向和 与其反向的退出方向。 根据所采用的运输系统，该基片运输方向可以是一维移动方向或也可以是弯曲的 移动方向。该承载装置在基片运输方向上的移动尚不还不能导致该处理室的关闭。为了关 闭该处理室，该承载装置沿关闭方向朝该处理室的不移动部分的方向移动。通常该关闭方 向为向上的坚直移动，但该关闭方向也可以是与坚直方向成一角度的移动。在任何情况下， 该关闭方向不与该基片运输方向一致，而是横向于基片运输方向，即与之成大角度的方向。 通过承载装置朝向该关闭方向的移动，能够使该处理室关闭。通过承载装置与关闭方向相 反的移动，能够使该处理室对应地再次打开或使该承载装置与该处理室之间的距离增大。 处理室内的处理通常在处理室关闭的条件下进行，然而也能够设定为在处理室打开的条件 下处理。 在根据本专利技术之处理模块的优选的设计中，该至少一个承载装置是导电的或具有 至少一个导电的表面。因此，该承载装置能够形成电极，该电极与该电浆耦合，并且影响载 流子从电浆中沿承载装置的方向进行的移动。为了形成包含该电浆与该承载装置的电路， 该承载装置必须是导电的。 该承载装置的表面必须在该处理室内，并且由与适用于该处理的材料制成。也就 是说，该承载装置不允许被处理室内进行的处理损坏，并且不允许从该承载装置向该处理 室内释放杂质。例如，当在处理室内交替地进行氮化硅的CVD-沉积和采用含氯和/或含氟 清洁气体的腔室清洁时，可以考虑将铝作为与适用于该处理的材料。在铝和氮化硅之间存 在良好的粘附，因此不用担心剥落脱落所导致的过早的颗粒形成。此外，铝在不同的刻蚀气 体中是稳定的，因此在清洁处理中不会出现承载装置的不明确的腐蚀。在其它处理中，为达 到处理兼容性而需要其它的材料性质。例如，对于氧气电浆处理工艺要求可氧化性，或对于 高温处理工艺要求热稳定性。 对应地，在根据本专利技术的处理模块的优选结构中，用于气态、液态、和/或电介质 的该处理室的连接部设置于该处理模块的顶部和/或至少一个侧壁上。该处理室内的处理 通常需要特定的气体环境。为了创造这种特定的气体环境必须导入特定的气体。其它气体， 例如化学气相反应的反应产物必须从处理室中被抽出。此外,偶尔向处理室内引入流体介 质，例如冷却水。此外为了生成电浆，还必须向该处理室内引入电能。用于各个介质的不同 连接部优选地实现于该处理室的不移动的部分中，即该处理室的顶部或至少一个侧壁内。 不移动的连接部通常比移动的连接部更简单且更可靠。该连接部可布置于该处理室的壁内 或分布式布置于多个壁上。 基片的处理主要在处理室内进行。因此，仅仅是该能够被抽真空的处理室设有泵 接头。在这种情况下，在该处理模块中，该处理室周围的外部空间利用该处理室的泵接头或 者本文档来自技高网...
【技术保护点】
处理模块(1，1A，1B，1C，1D)，该处理模块具有至少一个位于所述处理模块(1，1A，1B，1C，1D)内的可抽真空的处理室(2，2A，2B)，以及至少一个水平穿过所述处理模块(1，1A，1B，1C，1D)的、能够在至少一个基片运输方向上移动的承载装置(3)，该承载装置用于分别容纳至少一个将要在所述处理室(2，2A，2B)内进行处理的面状基片(4)，其特征在于，所述至少一个处理室(2，2A，2B)能够通过所述承载装置(3)而相对所述处理模块(1，1A，1B，1C，1D)以物理方式关闭，所述承载装置的位置能够在至少一个横向于所述基片运输方向的关闭方向上改变，其中所述至少一个承载装置(3)构成所述至少一个处理室(2，2A，2B)的底部。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·迈，D·米勒，S·拉舍克，A·海因策，
申请(专利权)人：德国罗特·劳股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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