双半桥注入锁相功率合成无极灯制造技术

本发明专利技术涉及电光源照明技术领域，具体是一种双半桥注入锁相功率合成无极灯。包括电源滤波器EMI、整流桥堆、功率因数校正APFC、无极灯管、基准晶振、分频器、两个自振荡芯片4、6、半桥逆变器A、半桥逆变器B、相加耦合器，两个自振荡芯片4、6的RC振荡器共接电阻R4、电容C5同步振荡，自振荡芯片4及半桥逆变器A输出功率变压器T1与自振荡芯片6及半桥逆变器B输出功率变压器T2反相馈入相加耦合器，功率合成经磁环电感耦合到灯管启辉，基准晶振信号经分频器注入两个自振荡芯片4、6的RC振荡器锁定相位，获取大功率照明避免器件温升过高振荡频率变化功率失衡灯光下降。本发明专利技术适用于大功率无极灯照明场合。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及电光源照明
，具体是一种双半桥注入锁相功率合成无极灯。包括电源滤波器EMI、整流桥堆、功率因数校正APFC、无极灯管、基准晶振、分频器、两个自振荡芯片4、6、半桥逆变器A、半桥逆变器B、相加耦合器，两个自振荡芯片4、6的RC振荡器共接电阻R4、电容C5同步振荡，自振荡芯片4及半桥逆变器A输出功率变压器T1与自振荡芯片6及半桥逆变器B输出功率变压器T2反相馈入相加耦合器，功率合成经磁环电感耦合到灯管启辉，基准晶振信号经分频器注入两个自振荡芯片4、6的RC振荡器锁定相位，获取大功率照明避免器件温升过高振荡频率变化功率失衡灯光下降。本专利技术适用于大功率无极灯照明场合。【专利说明】双半桥注入锁相功率合成无极灯
本专利技术涉及电光源照明
，具体是一种双半桥注入锁相功率合成无极灯。
技术介绍
现有技术电子镇流器通用LC或RC振荡器作为无极灯电光源，产生的振荡频率受 温度变化稳定性差影响功率不够稳定，导致光强下降，虽然这种电子镇流器，结构简便，成 本低。要得到大功率照明势必增大器件电流，振荡功率管功耗剧增温升过高导致振荡频率 变化，结果会使灯光随频率变化功率幅值失衡。同时，大电流通过线圈温升高磁性导磁率下 降，磁饱和电感量变小阻抗趋向零，灯具工作时间与温升正比，温升高加速器件老化，轻则 灯管发光不稳定亮度下降，重则烧坏器件缩短使用寿命。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供逆变振荡高稳频相位同步，大功率照明的一种双半桥注入锁 相功率合成无极灯。 本专利技术技术解决方案为：包括电源滤波器EMI、整流桥堆、功率因数校正APFC，无 极灯管、基准晶振、分频器、两个自振荡芯片、半桥逆变器A、半桥逆变器B、相加耦合器、灯 管异常电流检测器，其中，基准晶振由石英晶体谐振器、两个反相器及电阻、电容组成，第一 个反相器输入与输出两端跨接偏置电阻，并分别并接接地电容，同时，还跨接串联微调电容 的石英晶体谐振器，基准晶振输出信号经第二个反相器接入分频器，自振荡芯片内含RC振 荡器、半桥逆变驱动电路，两个自振荡芯片RC振荡器共接电阻R n、电容C15同步振荡，输出 分别经半桥逆变驱动电路连接均由两个功率M0S场效应管互补组成的半桥逆变器A、半桥 逆变器B，自振荡芯片及半桥逆变器A输出功率变压器T 2与自振荡芯片及半桥逆变器B输 出功率变压器Τ3反相馈入相加耦合器，功率合成经磁环电感L 13、L14耦合到无极灯管启辉， 基准晶振信号经分频器注入两个自振荡芯片RC振荡器C T端锁定相位，灯管异常电流检测 器信号经三极管接入两个自振荡芯片RC振荡器CT端控制振荡快速停振，电网电源经电源 滤波器EMI、整流桥堆、功率因数校正APFC输出电压接入基准晶振、分频器、自振荡芯片及 半桥逆变器A、自振荡芯片及半桥逆变器B的电源端； 其中，功率因数校正APFC由芯片IC4、功率M0S场效应管％、升压二极管VDn、磁性 变压器?\及电阻、电容组成，整流桥堆输出经磁性变压器?\电感L3接％漏极、升压二极管 VDn至电容Cn作为功率因数校正APFC输出，电阻R4接整流桥堆输出引入芯片IC 4电源端， 并与磁性变压器?\电感L4经二极管VD5检波电压为芯片IC 4控制门限开启，电阻R2、R3接 整流桥堆输出分压取样接入芯片IC 4乘法器一端，乘法器另一端接电阻R8、R9分压取样输出 电压，乘法器输出与％源极接地电阻点连接峰值电流检测比较器，芯片IC 4输出接％栅极， 磁性变压器?\电感L5高频电压由二极管VD6~ 9整流、二极管VD1(I稳压、电容C12滤波接基准 晶振、分频器电源端。 本专利技术产生积极效果：解决双半桥逆变振荡高稳频、相位同步功率合成，达到单 个自振荡半桥逆变器难以得到的大功率无极灯照明，避免器件温升高振荡频率变化功率失 衡，稳定灯光延长使用寿命。 【专利附图】【附图说明】 图1本专利技术技术方案原理框图 图2基准晶振电路 图3双半桥注入锁相功率合成无极灯电路 【具体实施方式】 参照图1、2、3(图3以自振荡芯片及半桥逆变器A电路为例、自振荡芯片及半桥逆 变器B相同），本专利技术【具体实施方式】和实施例：包括电源滤波器EMI与整流桥堆10、功率因 数校正APFC1、无极灯管9、基准晶振2、分频器3、两个自振荡芯片4、6、半桥逆变器A5、半桥 逆变器B7、相加耦合器8灯管异常电流检测器11，其中，基准晶振2由石英晶体谐振器JT、 两个反相器ICp IC2及电阻、电容〇!、Cp C2组成，第一个反相器IQ输入与输出两端跨接偏 置电阻Ri，并分别并接接地电容，同时，还跨接串联微调电容Q的石英晶体谐振器JT， 基准晶振2输出信号经第二个反相器IC 2接入分频器，自振荡芯片IC5IR2153内含RC振荡 器、半桥逆变驱动电路，两个自振荡芯片4、6的RC振荡器共接电阻R n、电容C15同步振荡， 输出分别经半桥逆变驱动电路连接均由两个功率M0S场效应管Q 2、Q3互补组成的半桥逆变 器A5、半桥逆变器B7,自振荡芯片4及半桥逆变器A5输出功率变压器T 2与自振荡芯片及半 桥逆变器Β输出功率变压器Τ3反相馈入相加耦合器8,功率合成经磁环电感L 13、L14耦合无 极灯管9启辉，基准晶振2信号经分频器3注入两个自振荡芯片4、6的RC振荡器C T端锁定 相位，灯管异常电流检测器11信号经三极管接入两个自振荡芯片4、6的RC振荡器CT端控 制振荡快速停振，电网电源经电源滤波器EMI与整流桥堆10、功率因数校正APFC1输出电压 +15V接入基准晶振2、分频器3，+400V接入自振荡芯片4及半桥逆变器A5和自振荡芯片6 及半桥逆变器B7的电源端。 ic4引脚符号功能：V。。芯片逻辑控制低压电源，IDET零电流检测，MULT乘法器输 入，INV误差放大器输入，EA误差放大器输出，CS脉宽调制比较器，OUT驱动器输出，GND接 地。 IC5引脚符号功能：Vrc芯片低压电源端，VB驱动器浮置电源，H0驱动Q 2栅极，L0驱 动Q3栅极，vs浮置电源回归，RT接振荡定时电阻，C T接振荡定时电容，0CM功率信号接地。 电阻R1(1电容C13将降压供给自振荡芯片IC 5开启电源，产生振荡，驱动半桥功率 M0S管Q2、Q3，使之轮流导通/截止，半桥逆变器中点输出方波电压经电阻R14、电容C 17、二极 管VD12、VD13整流对电容C13充电，提供自振荡芯片IC 5电源，转换后电阻R1(l停止供电，降低 功耗。二极管VD14对电容C 16自举充电，浮置供电驱动半桥逆变器减少功耗。 两个逆变器功率合成拖动大功率灯具，扩容可靠，但两个自振荡芯片振荡电压相 位应一致，以消除非线性互调功率不均衡，获取稳定的输出功率。为此，引入注入锁相解决 功率合成相位同步技术。 基准晶振石英谐振器频率受温度变化极小，高度稳定。基准信号经分频器注入自 振荡芯片RC振荡器锁定相位。未注入基准信号RC振荡器产生自由振荡频率，注入基准信 号RC振荡电压与其矢量合成，通过自振荡芯片非线性变频锁定相位，振荡信号与注入基准 信号仅有一个固定的相位差。同步带宽与注入功率正比，与RC振荡器有载Q值反比本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双半桥注入锁相功率合成无极灯，包括电源滤波器EMI、整流桥堆、功率因数校正APFC、无极灯管，其特征在于：还包括基准晶振、分频器、两个自振荡芯片、半桥逆变器A、半桥逆变器B、相加耦合器、灯管异常电流检测器，其中，基准晶振由石英晶体谐振器、两个反相器及电阻、电容组成，第一个反相器输入与输出两端跨接偏置电阻，并分别并接接地电容，同时，还跨接串联微调电容的石英晶体谐振器，基准晶振输出信号经第二个反相器接入分频器，自振荡芯片内含RC振荡器、半桥逆变驱动电路，两个自振荡芯片RC振荡器共接电阻R11、电容C15同步振荡，输出分别经半桥逆变驱动电路连接均由两个功率MOS场效应管互补组成的半桥逆变器A、半桥逆变器B，自振荡芯片及半桥逆变器A输出功率变压器T2与自振荡芯片及半桥逆变器B输出功率变压器T3反相馈入相加耦合器，功率合成经磁环电感L13、L14耦合到无极灯管启辉，基准晶振信号经分频器注入两个自振荡芯片RC振荡器CT端锁定相位，灯管异常电流检测器信号经三极管接入两个自振荡芯片RC振荡器CT端控制振荡快速停振，电网电源经电源滤波器EMI、整流桥堆、功率因数校正APFC输出电压接入基准晶振、分频器、自振荡芯片及半桥逆变器A和自振荡芯片及半桥逆变器B的电源端。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：阮树成，阮雪芬，
申请(专利权)人：阮雪芬，
类型：发明
国别省市：浙江;33