【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供了一种局域加热的硅片抛光装置，包括滚轮、加热灯管、反射罩、传感器、槽体等。本技术结构合理，构造简单，相比整槽药液加热的抛光装置，因为采用了局域加热的设计，有如下优点：仅在硅片处进行加热，且无硅片时自动停止加热，故能耗更低，节约了设备使用成本；由于非加热处的药液温度较低，设备槽体可选择性价比更高的材质制造，节约了设备的制造成本。【专利说明】-种局域加热的硅片抛光装置
本技术涉及硅片抛光领域，具体涉及一种局域加热的硅片抛光装置。
技术介绍
在半导体及太阳能光伏行业，常常需要对硅片进行表面处理。抛光是较为常见的 一种表面处理工艺，经过抛光后的表面具有粗糙度低、反射率高、表面载流子复合速率低等 优点。抛光方法包括机械抛光、化学抛光等，其中化学抛光运用较为广泛，它是利用酸碱腐 蚀液快速腐蚀硅片表面，在近似各向同性的反应下，有效减少表面的高低起伏，达到抛光的 目的。 常见的化学抛光设备是将腐蚀液加热到较高温度后通过硅片进行抛光。该方法的 不足之处在于，需要对整槽药液进行加热，且无硅片生产时不能停止加热，故能耗较高，增 加了设备的使用成本；由于整槽药液的温度较高，同时又要兼顾耐腐蚀性，所以在设备槽体 材质的选择上有较大限制，很多价格便宜、耐腐蚀性好的材料因为温度的关系无法使用，这 就增加了设备的制造成本。
技术实现思路
本技术目的在于提供一种局域加热的硅片抛光装置，该装置克服了现有整槽 药液加热的抛光装置的不足，更加易于满足工业化生产的要求。 为实现上述专利技术目的，本技术采取的技术方案为： -种局...
【技术保护点】
一种局域加热的硅片抛光装置，所述装置包括滚轮（1）、加热灯管（2）、反射罩（3）、硅片探测器（4）及槽体（5），所述加热灯管（2）、所述反射罩（3）及所述硅片探测器（4）均位于所述槽体（5）上方，所述反射罩（3）位于所述加热灯管（2）正上方；其特征在于，加热方式为局域加热。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：季根华，刘锋，李翔，
申请(专利权)人：苏州旭环光伏科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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